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12寸产能吃紧台积电买力晶厂地扩产

设备业者透露，台积电(2330)将以超过30亿元价格，买下力晶位于新竹科学园区内园区三、五路的12寸厂P4建物及P5建地，以因应逐渐吃紧的先进产能需求，而目前台积电竹科12寸第4、5期工程已于今年完工量产，开始进行40及

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2010-12-27

台积电 FAB DRAM 博通
大陆IC设计享受政策扶植

正在崛起当中的中国大陆IC设计公司已逐渐成为不能忽视的族群，资策会产业情报研究所（MIC）产业顾问洪春晖表示，国际芯片大厂如高通等在大陆降价抢市，大陆十二五计划也宣示将以政策扶植本地IC设计产业，未来台系业者

消费电子
2010-12-27

三星半导体产业 IC设计 DRAM
DRAM没赚头拿封测厂开刀

受到年底ODM/OEM厂去化手中过多DRAM库存的卖压影响，近日内DRAM价格呈现崩跌走势，1Gb DDR3白牌颗粒价格已跌至1美元以下，2Gb DDR3现货价也跌破2美元，已是卖一颗赔半颗，要求后段封测厂降价态度转趋强硬。封测

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2010-12-27

OEM GB DDR3 DRAM
扩产能台积电买力晶厂地

晶圆代工龙头台积电将以超过30亿元价格，买下力晶位于新竹科学园区内园区三、五路的12寸厂P4建物及P5建地，以因应产能需求。台积电昨日表示，台积电一直在找可以盖厂的土地，竹科又已经无法取得其它建厂用地，若

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2010-12-27

晶圆厂台积电 FAB DRAM
分析称三星LED将继面板及DRAM后再度超越台湾

平板计算机是LED背光继电视与计算机荧幕之后的下一个产业焦点。预计明年起，平板计算机市场起飞，将大量使用LED背光源，这将使得高阶LED晶粒供应吃紧的状况，提早在明年2月就发生。目前苹果iPad的背光板主要是由日本

显示光电
2010-12-24

三星 LED BSP DRAM
12月份DRAM价格继续大幅下滑

据iSuppli公司，12月DRAM价格继续下降，跌势不止，经过几个月的大幅下滑，价格已降到年内最低水平。12月10日，2GB DDR3 DRAM模组合同价格为21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3价格下跌，DDR2同样跌

消费电子
2010-12-24

内存 GB DDR3 DRAM
DRAM价格加速下滑也不能吓阻厂商加大明年供货

2009年第二季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升，DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。DIGITIMESResearch分析师柴焕欣说明，2006年以来，包括台、美、日等DRAM厂即因产品价格持续下跌而处于长期亏损窘境

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2010-12-23

先进制程 40纳米 GB DRAM
美光第一财季净利润1.55亿美元同比下滑24%

北京时间12月23日消息，据国外媒体报道，美国最大的存储芯片制造商美光科技周三发布了该公司2011财年第一财季财报。财报显示，受芯片平均销售价格下滑导致利润率下滑的影响，美光科技第一财季净利润同比下滑24%。美光

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2010-12-23

美光美光科技内存芯片 DRAM
2011年全球DRAM产能位成长率达58.8%成长幅度大于2010年49.4%

2009年第2季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升，DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。2006年以来，包括台、美、日等DRAM厂即因DRAM价格持续下跌而处于长期亏损窘境，在金融海啸期间，更因不耐景气严寒，

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2010-12-22

先进制程 PC市场 ELECTRONICS DRAM
DRAM合约价再跌10%减产潮恐扩大

2010年12月下旬DRAM的合约价格持续重挫，其中2GB容量DDR3模块的价格下跌10%，平均售价跌破20美元，低价来到17美元价格，相较于2010年上半DRAM缺货高峰期，2GB容量DDR3模块价格较当时的价格已下跌超过50%，市场预期供

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2010-12-22

内存 GB DDR3 DRAM
中国芯片如何突破需从政策与体制中破解

曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的

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2010-12-22

三星中国芯片芯片产业 DRAM
分析称三星LED将继面板及DRAM后再度超越台湾

平板计算机是LED背光继电视与计算机荧幕之后的下一个产业焦点。预计明年起，平板计算机市场起飞，将大量使用LED背光源，这将使得高阶LED晶粒供应吃紧的状况，提早在明年2月就发生。目前苹果iPad的背光板主要是由日本

电源-LED驱动
2010-12-22

三星 LED BSP DRAM
2010全球半导体市场增长远超预期

据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSuppli预计，2010年全球半导体行业总收入或为3,040亿美元，较2009年总收

电子设计自动化
2010-12-21

半导体市场半导体行业 ISUPPLI DRAM
2010全球半导体市场或大幅增长至3040亿美元

据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSuppli预计，2010年全球半导体行业总收入或为3,040亿美元，较2009年总收

半导体
2010-12-21

半导体市场半导体行业 ISUPPLI DRAM
东芝停电事故将导致NAND闪存芯片价格上涨15%

亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示，由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响，到2011年1月中旬之前，NAND闪存芯片的价格可能会上涨15%。Dramexchange分析师希恩-杨（SeanYang）表示，32G

半导体
2010-12-17

东芝闪存芯片 NAND闪存 DRAM
封测厂下季ASP 变化不大

市场传出封测厂明年第1季平均接单价格（ASP）将出现5％至10％跌幅，但包括日月光、矽品、菱生、超丰等逻辑IC封测业者则表示，国内业者虽有要求降价，但短期不会有结论，也就是下季看来不会降价，且国际大客户并没有任

模拟
2010-12-16

晶片封装 IC设计 DRAM
2010年全球半导体封装产业盘点

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线

半导体
2010-12-15

尔必达封装技术半导体封装 DRAM
IDM加强与中国大陆厂技术合作

中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且藉著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃

电子设计自动化
2010-12-15

移动 IC DM DRAM
IDM加强与中国大陆厂技术合作台封测厂压力渐增

中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且藉著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃

模拟
2010-12-15

移动 IC DM DRAM
封测客户明年首季砍价不手软逻辑IC记忆体降幅5~10%

年关将届，各家封测厂开始与客户端协商2011年首季代工报价，然情况却不乐观，由于逻辑IC和记忆体封测客户皆面临沉重成本压力，要求后段厂能降价且幅度从5%起跳，尤其记忆体封测客户砍价毫不手软，要求降幅逼近10%，明

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2010-12-15

PID IC CHIP DRAM

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12寸产能吃紧台积电买力晶厂地扩产

大陆IC设计享受政策扶植

DRAM没赚头拿封测厂开刀

扩产能台积电买力晶厂地

分析称三星LED将继面板及DRAM后再度超越台湾

12月份DRAM价格继续大幅下滑

DRAM价格加速下滑也不能吓阻厂商加大明年供货

美光第一财季净利润1.55亿美元同比下滑24%

2011年全球DRAM产能位成长率达58.8%成长幅度大于2010年49.4%

DRAM合约价再跌10%减产潮恐扩大

中国芯片如何突破需从政策与体制中破解

分析称三星LED将继面板及DRAM后再度超越台湾

2010全球半导体市场增长远超预期

2010全球半导体市场或大幅增长至3040亿美元

东芝停电事故将导致NAND闪存芯片价格上涨15%

封测厂下季ASP 变化不大

2010年全球半导体封装产业盘点

IDM加强与中国大陆厂技术合作

IDM加强与中国大陆厂技术合作台封测厂压力渐增

封测客户明年首季砍价不手软逻辑IC记忆体降幅5~10%

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