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中国芯片如何突破需从政策与体制中破解

曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的

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2010-12-22

中国芯片芯片产业 DRAM 三星
分析称三星LED将继面板及DRAM后再度超越台湾

平板计算机是LED背光继电视与计算机荧幕之后的下一个产业焦点。预计明年起，平板计算机市场起飞，将大量使用LED背光源，这将使得高阶LED晶粒供应吃紧的状况，提早在明年2月就发生。目前苹果iPad的背光板主要是由日本

电源-LED驱动
2010-12-22

LED BSP DRAM 三星
2010全球半导体市场增长远超预期

据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSuppli预计，2010年全球半导体行业总收入或为3,040亿美元，较2009年总收

电子设计自动化
2010-12-21

半导体市场半导体行业 ISUPPLI DRAM
2010全球半导体市场或大幅增长至3040亿美元

据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSuppli预计，2010年全球半导体行业总收入或为3,040亿美元，较2009年总收

半导体
2010-12-21

半导体市场半导体行业 ISUPPLI DRAM
东芝停电事故将导致NAND闪存芯片价格上涨15%

亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示，由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响，到2011年1月中旬之前，NAND闪存芯片的价格可能会上涨15%。Dramexchange分析师希恩-杨（SeanYang）表示，32G

半导体
2010-12-17

东芝闪存芯片 NAND闪存 DRAM
封测厂下季ASP 变化不大

市场传出封测厂明年第1季平均接单价格（ASP）将出现5％至10％跌幅，但包括日月光、矽品、菱生、超丰等逻辑IC封测业者则表示，国内业者虽有要求降价，但短期不会有结论，也就是下季看来不会降价，且国际大客户并没有任

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2010-12-16

晶片封装 IC设计 DRAM
2010年全球半导体封装产业盘点

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线

半导体
2010-12-15

尔必达封装技术半导体封装 DRAM
IDM加强与中国大陆厂技术合作

中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且藉著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃

电子设计自动化
2010-12-15

移动 IC DM DRAM
IDM加强与中国大陆厂技术合作台封测厂压力渐增

中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且藉著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃

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2010-12-15

移动 IC DM DRAM
封测客户明年首季砍价不手软逻辑IC记忆体降幅5~10%

年关将届，各家封测厂开始与客户端协商2011年首季代工报价，然情况却不乐观，由于逻辑IC和记忆体封测客户皆面临沉重成本压力，要求后段厂能降价且幅度从5%起跳，尤其记忆体封测客户砍价毫不手软，要求降幅逼近10%，明

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2010-12-15

PID IC CHIP DRAM
记忆体封测厂11月营收

记忆体封测族群下半年营收表现相对突出。力成11月营收为新台币33.51亿元，较上月微幅增加，创下新高记录。该公司表示，尔必达(Elpida)虽然针对标准型DRAM进行减产，但也持续增加Mobile DRAM的订单，希望12月营收也能

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2010-12-15

尔必达 PID MOBILE DRAM
2010年半导体封装年度总结

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜

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2010-12-15

尔必达封装技术半导体封装 DRAM
2010年H1全球五大第三方DRAM模组厂商排名，金士顿遥遥领先

据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元，比2009年下半年劲增45.6%。其在

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2010-12-14

金士顿 BORDER ISUPPLI DRAM
2011年DRAM位元成长率上看50%

2011年DRAM产业中，虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳

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2010-12-14

尔必达计算机晶圆厂 DRAM
2010年半导体封装盘点

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV(硅贯通孔)的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键

电子设计自动化
2010-12-14

尔必达封装技术半导体封装 DRAM
IDM加强与大陆厂技术合作　台封测厂压力渐增

大陆IC封测技术已往高阶制程移动，并且借著半导体群聚效应进行区域整并，竞争力逐渐提升，例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂，加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作，大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃发展

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2010-12-14

移动 IC DM DRAM
无锡通芝、集成电路

日本东芝(Toshiba)与南通富士通于2010年4月成立合资无锡通芝公司，初期东芝半导体(无锡)出资80%、南通富士通出资20%，但数年后南通富士通将持过半股份，未来将可获得东芝及其子公司等日系高阶封测订单。中资苏州

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2010-12-14

集成电路富士通奇梦达 DRAM
2010年半导体封装盘点：低成本的铜引线键合引人注目

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线

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2010-12-14

尔必达封装技术半导体封装 DRAM
半导体封装篇：低成本的铜引线键合引人注目

2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜

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2010-12-13

尔必达封装技术半导体封装 DRAM
封测厂11月营收跌多涨少，记忆体相关最强势

时序即将迈入年终之际，IC封测厂的营运表现也开始转弱，11月的营收跌多涨少，其中表现较为逆势的则有矽品(2325)、欣铨(3264)、菱生(2369)，均较上月出现反升，而记忆体封测厂力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)则

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2010-12-11

Flash IC MOBILE DRAM

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DRAM

中国芯片如何突破需从政策与体制中破解

分析称三星LED将继面板及DRAM后再度超越台湾

2010全球半导体市场增长远超预期

2010全球半导体市场或大幅增长至3040亿美元

东芝停电事故将导致NAND闪存芯片价格上涨15%

封测厂下季ASP 变化不大

2010年全球半导体封装产业盘点

IDM加强与中国大陆厂技术合作

IDM加强与中国大陆厂技术合作台封测厂压力渐增

封测客户明年首季砍价不手软逻辑IC记忆体降幅5~10%

记忆体封测厂11月营收

2010年半导体封装年度总结

2010年H1全球五大第三方DRAM模组厂商排名，金士顿遥遥领先

2011年DRAM位元成长率上看50%

2010年半导体封装盘点

IDM加强与大陆厂技术合作　台封测厂压力渐增

无锡通芝、集成电路

2010年半导体封装盘点：低成本的铜引线键合引人注目

半导体封装篇：低成本的铜引线键合引人注目

封测厂11月营收跌多涨少，记忆体相关最强势

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