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DRAM的五大趋势

时间：2010-12-31 10:48:12

关键字： DRAM MICRON 三星尔必达

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[导读]2011年全球DRAM会发生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在汇总了各种资料之后给出的DRAM五大趋势;1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。当平板电脑开始蚕食它的同伴，笔记本与上网本时未来市场会发生

2011年全球DRAM会发生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在汇总了各种资料之后给出的DRAM五大趋势;

1.DownonDRAM下行

2011可能是NAND年，而不是DRAM。当平板电脑开始蚕食它的同伴，笔记本与上网本时未来市场会发生什么？在此情况下，过去每台笔记本电脑使用2Gb的存储器，将被仅使用256Mb，它的1/8的容量的平板电脑所替代，因此DRAM在2011年可能要过载啦。

2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工艺

总体上全球DRAM制造商都将迈入3xnm工艺，三星与海力士走在前列，然而尔必达也试图由65nm或者65xS(65nm缩小版)跨入3xnm，为了降低成本。

3.Koreanduopoly韩国两家垄断

从DRAM市场看，与NAND不同，有多家竞争者共存，但是将呈现韩国两家垄断的局面。目前应该说仅是三星与海力士能称得上是第一阵容，因为它们的技术先进，而Micron，Nanya，Inotera(明显的技术滞后，财务不佳)只能称之为第二阵容。而Elpida，Powerchip，Rexchip，尽管也是落后，但明显有翻本的决心。

三星采用30nm技术制造DRAM，必须要购买的NXT光刻机(浸入式)，这也是三星站在首位要付出的代价。今年三星非常成功在Q3已将DRAM的市场份额扩大至40％，让竞争对手望尘莫及。全球DRAM的位增长率可达45-50％，而三星可能增长过70％。

海力士仅在三星之后，站在第一阵容中。它的问题是由于它的结构导致债务高悬，期望2011年能园满解决。海力士在韩国的M10及无锡产出的DRAM会采用4x及3xnm工艺，明年它将由8F2迈入6F2架构。

4.ToughtimesforMicroncampMicron阵营艰难

目前Micron还是可以算作在DRAM第一阵容中，实际上它从2009年开始表现好己经有一阵子。但是它要从成熟的Trench技术过渡到stackDRAM，电容器的尺寸要改变。在2010年初它的启步是成功的，也拿到订单，但是由于成品率不理想，导致位产能增长只能在低水平。

由trench向stack工艺过渡，对于Micron及它的台湾合作伙伴不太容易平滑过渡，目前Nanya，Inotera正为50nm的成品率提升而努力，因此向40nm及30nm过渡是吃力的。但是也有好的消息，可能明年能够解决工艺问题，克服学习曲线这一关。由于Micron及它的合作伙伴Nanya，Inotera能在FormosaPlastics的财力支持下，所以明年它们有可能过渡到4xnm或者3xnm。同样Micron将把它在2011年的投资总计19亿美元中的2/3，用在NAND中。

5.Elpida'sgamble尔必达冒险

尔必达将尽一切可能返回到第一阵容中。首先台湾的资金/政府的拯救计划并未到位，但是Micron与Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作继续存在。现在尔必达是希望在日本与台湾两地都增加投资。除此之外，在技术层面，尔必达正采用65nmXS，一种65nm的缩小版技术在DRAM中获得利润，显然只要价格下降不要过快。除此之外，尔必达也期望尽快跨入4xnm及3xnm中。