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2010年半导体封装盘点：低成本的铜引线键合引人注目
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线
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半导体封装篇：低成本的铜引线键合引人注目
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜
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封测厂11月营收跌多涨少，记忆体相关最强势
时序即将迈入年终之际，IC封测厂的营运表现也开始转弱，11月的营收跌多涨少，其中表现较为逆势的则有矽品(2325)、欣铨(3264)、菱生(2369)，均较上月出现反升，而记忆体封测厂力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)则
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三家FPGA公司面临侵权指控
由微软前CTO Nathan Myhrvold创办的美国知识风险公司，日前针对半导体专利侵权一案展开了多项行动，包括两家内存商及三家FPGA供应商。美国知识风险公司,成立于2000年,Myhrvold表示,公司已向特拉华州联邦法院提交了多
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金士顿扩大在DRAM模组领域的领先优势
据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。 2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元，比2009年下半年劲增45.6%
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封测业11月营收两样情 内存有撑 逻辑IC疲软
封测业11月营收陆续出炉。整体来说，依旧以内存封测业营收表现较佳，包括力成、福懋科和华东等单月实绩仍创历史新高纪录。在逻辑IC封测业相对疲弱，日月光、京元电呈现下滑，硅格持平，硅品和欣铨逆势微幅扬升。观察
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IBM首席技术官：相变存储技术3-5年内实现商业化
IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片，并会在3-5年内在服务器机型上投入实用。Menon称IBM将继续开发自有PCM技术专利，不过专利开发完
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中国芯片行业如何实现突破
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的
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基于YMl2864R点阵式液晶显示模块的IVC监控系统
实验动物独立通气笼盒(Individual Ventilated Cages，IVC)(闭环)监控系统，由微控制器实现对笼盒风扇的通气量、笼盒内部的氨含量等参数采集，并根据这些参数来调整通气风扇转速，以调整笼盒的换气率，从而确保笼盒内
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战略性新兴产业预警
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的
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战略性新兴产业预警
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的
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1Gb DDR3掼破1.3美元 DRAM产业减产潮恐扩大
11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%，让市场笼罩在乌云密布的气氛当中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%，1Gb DDR3报价掼破1.3美元；DRAM业者则表示，1Gb DDR3 eTT价格单日大跌超过7%，其实只是以补跌来
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应用材料：2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长
针对2011年半导体资本支出的趋势，设备大厂应用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长，幅度将胜过DRAM产业，晶圆代工也仍然相当强劲，预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。
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VLSI下调半导体及设备市场预测
按VLSI市场调研公司的最新报告，今年无论半导体以及设备业都达到历史上辉煌的年份之一，由此也导致可能产能过剩及芯片价格下降。同时，该公司也更新了2011及2012年半导体及设备业的预测，为2011年半导体增长4.4%为24
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应用材料计划重返硅蚀刻领域，投放新型装置
美国应用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，为了重返硅蚀刻领域，开发出了新型蚀刻装置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并决定在12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蚀刻领域的市场份额方面，
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DRAM产业二次崩盘潮
全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机，虽然2010年上半年在供给不足的情况下，DRAM报价达到顶峰，但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺，加上DRAM产业供给端大量产出，使得DRAM价格再度面临崩盘窘境，时至
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应用材料推出全新刻蚀系统
应用材料11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™刻蚀系统，主要针对45nm以下存储和逻辑芯片市场。结构紧凑的Centris系统装配了8个反应腔，即6个刻蚀反应腔和2个刻蚀后清洁腔，每小时可
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产能过剩导致DRAM价格持续下滑
根据分析师和市场研究人员表示，个人电脑中的主要存储元件DRAM的价格在2011年将会呈现下滑的状态。瑞士信贷投资银行预测，2011年中期DRAM市场仍将供过于求，但2011年下半年将恢复。该公司表示，DRAM季度收入将可能在
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DRAM供需待调整2011年下半走向平衡
南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景；在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，
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DRAM供需待调整 2011年下半走向平衡
南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景；在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，
