记忆体封测族群下半年营收表现相对突出。力成11月营收为新台币33.51亿元,较上月微幅增加,创下新高记录。该公司表示,尔必达(Elpida)虽然针对标准型DRAM进行减产,但也持续增加Mobile DRAM的订单,希望12月营收也能
2010年,半导体封装业界,以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV(硅贯通孔)的三维积层等创新技术,但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月,SEMI公布了关于铜
据iSuppli公司,2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位,在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元,比2009年下半年劲增45.6%。其在
2011年DRAM产业中,虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划,包括兴建12寸晶圆厂Line-16,以及将现有Line-15升级至35纳米制程,但综观整个DRAM产业的位元成长率,仍都是来自于制程微缩为主,包括三星35纳
2010年,半导体封装业界,以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV(硅贯通孔)的三维积层等创新技术,但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月,SEMI公布了关于铜引线键
大陆IC封测技术已往高阶制程移动,并且借著半导体群聚效应进行区域整并,竞争力逐渐提升,例如江苏长电已在2009年正式挤进全球前10大封测厂,加上整合元件厂(IDM)逐步与大陆合作,大陆本土IC封测业已开始进入蓬勃发展
日本东芝(Toshiba)与南通富士通于2010年4月成立合资无锡通芝公司,初期东芝半导体(无锡)出资80%、南通富士通出资20%,但数年后南通富士通将持过半股份,未来将可获得东芝及其子公司等日系高阶封测订单。 中资苏州
2010年,半导体封装业界,以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV(硅贯通孔)的三维积层等创新技术,但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月,SEMI公布了关于铜引线
2010年,半导体封装业界,以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV(硅贯通孔)的三维积层等创新技术,但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月,SEMI公布了关于铜
时序即将迈入年终之际,IC封测厂的营运表现也开始转弱,11月的营收跌多涨少,其中表现较为逆势的则有矽品(2325)、欣铨(3264)、菱生(2369),均较上月出现反升,而记忆体封测厂力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)则
由微软前CTO Nathan Myhrvold创办的美国知识风险公司,日前针对半导体专利侵权一案展开了多项行动,包括两家内存商及三家FPGA供应商。美国知识风险公司,成立于2000年,Myhrvold表示,公司已向特拉华州联邦法院提交了多
据iSuppli公司,2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位,在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。 2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元,比2009年下半年劲增45.6%
封测业11月营收陆续出炉。整体来说,依旧以内存封测业营收表现较佳,包括力成、福懋科和华东等单月实绩仍创历史新高纪录。在逻辑IC封测业相对疲弱,日月光、京元电呈现下滑,硅格持平,硅品和欣铨逆势微幅扬升。观察
IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片,并会在3-5年内在服务器机型上投入实用。Menon称IBM将继续开发自有PCM技术专利,不过专利开发完
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题,正高悬于更多的新兴行业之上,如何避免相同的问题被复制,更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来,新一轮以科技带动的产业发展的
实验动物独立通气笼盒(Individual Ventilated Cages,IVC)(闭环)监控系统,由微控制器实现对笼盒风扇的通气量、笼盒内部的氨含量等参数采集,并根据这些参数来调整通气风扇转速,以调整笼盒的换气率,从而确保笼盒内
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题,正高悬于更多的新兴行业之上,如何避免相同的问题被复制,更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来,新一轮以科技带动的产业发展的
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题,正高悬于更多的新兴行业之上,如何避免相同的问题被复制,更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来,新一轮以科技带动的产业发展的
11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%,让市场笼罩在乌云密布的气氛当中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%,1Gb DDR3报价掼破1.3美元;DRAM业者则表示,1Gb DDR3 eTT价格单日大跌超过7%,其实只是以补跌来
针对2011年半导体资本支出的趋势,设备大厂应用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长,幅度将胜过DRAM产业,晶圆代工也仍然相当强劲,预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。