IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示,基于SOI技术的嵌入式DRAM每个
2009年面临DDR2和DDR3规格交替之际,各厂纷纷压宝气势如虹的DDR3气势,DDR2饱受冷板凳之苦许久,然现在风水轮流转,DDR2受到供给减少、PC大厂又回头青睐之故,市场意外出现缺货声浪,DRAM厂和模块厂双双感叹误判形势
市场研究公司IC Insights表示,今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%,其他产品的业绩数据也十分健康,这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。 从今年1月到7月,IC市场销售额增长了43%,DRAM、
三星电子(Samsung Electronics)半导体部门可望再创2年9个月来未见的1兆韩元(约8.2亿美元)营业利益。据韩国证券业与相关业者表示,三星电子2009年第3季合并营业利益推估可落在3.7兆~3.8兆韩元间,且可能超越上述区间。
荷兰光刻设备商ASML公司称过去几个月内公司业务开始复苏,并上调第三第四季度业绩预期。 ASML称业绩复苏的主要原因是来自DRAM和逻辑芯片制造商的短期及中期订单有所改善。 “这意味着今年第三和第四季度净销售额
韩国半导体厂商海力士(Hynix)2009年第3季创下2,000亿韩元(约1.63亿美元)的营业利益,破除2007年第3季以来连续8季亏损魔咒。海力士在全球DRAM市场继三星电子(Samsung Electronics)之后第2家转亏为盈的厂商。 据业界预
半导体产业虽未完全摆脱阴霾,但复苏迹象持续显现;最近IC大厂包括Altera、Microchip、RF Micro、Skyworks、TI、Volterra等,都调升了季营收预测。尽管大多数分析师仍认为今年整体半导体领域表现将呈现衰退,Broadpo
DRAM价格趋于稳定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,台厂面对这样美好的光景,心中还是有些疑虑,担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗,破坏DRAM价格涨势,然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单,且随著
日本大型DRAM厂商尔必达内存(Elpida Memory)强势出击DRAM市场。除了接手已经破产的德国奇梦达(Qimonda AG)的图形DRAM业务,涉足该市场外,还计划与台湾DRAM厂商合作以加速低价位DRAM的开发。在大容量低功耗的高端
台湾新任“经济部长”施颜祥11日强调,成立TMC的时空环境在变,当时规划时全球DRAM产业正处严峻状态,现在已稍微舒缓;他将以技术生根台湾理念来处理TMC的后续问题。 施颜祥说,现在很难说TMC政策到底要不要调整,他
尽管近期DRAM价格大幅反弹,但估计2009年第3季仍仅有韩系两大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以赚钱,2010年再轮到美光(Micron)和尔必达(Elpida)转亏为盈,至于台厂方面,由于 2010年三星制程技术
Window 7将在下个月上市,触控面板成为主打商机。不过,今天高盛出具的产业报告却是指出未来3~6个月看好DRAM更胜于面板(TFT LCD)。高盛认为,今年TFT LCD的价格在9月已经到顶,因为10月回补库存结束。而在DRAM方面