DRAM

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  • DRAM概述

    动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。

    基础知识科普站
    2021-12-11
    DRAM RAM 主存

  • IC Insights：DRAM价格将在今年第4季度回落

    据全球知名半导体分析机构ICInsights更新的《麦克林报告》，DRAM价格在今年前八个月飙升了41%，从1月份的平均销售价格（ASP）3.37美元上涨至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增长37%（如下图）。2019年对DRAM来说是相...

    满天芯
    2021-12-08
    半导体 IC INSIGHT DRAM

  • 落地、开工、投产，新一批半导体项目汇总

    近日，一批半导体项目落地、开工、投产，涉及第三代半导体氮化镓、存储封测、以及硅晶圆外延片等领域。60亿，第三代半导体氮化镓项目落地福州近期，4个重大产业项目落地福州长乐区，涉及新材料、大数据、第三代半导体等，投资额超396亿元，其中包括第三代半导体氮化镓项目。据福州新闻网报道，第...

    满天芯
    2021-12-08
    半导体 移动存储 氮化镓 DRAM

  • 动态随机存取存储器

    动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

    基础知识科普站
    2021-12-01
    SRAM DRAM RAM

  • SRAM结构原理与应用

    SRAM (Static RAM)，即静态RAM.它也由晶体管组成。接通代表1，断开表示0，并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新，但停机或断电时，它们同DRAM一样，会丢掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容.而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件。所以，除了价格较贵外，SRAM芯片在外形上也较大，与DRAM相比要占用更多的空间。由于外形和电气上的差别，SRAM和DRAM是不能互换的。

    基础知识科普站
    2021-12-01
    SRAM CSB DRAM

  • SRAM存储器

    静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory)，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

    基础知识科普站
    2021-12-01
    SRAM ROM DRAM

  • 存取存储器

    随机存取存储器(英语：Random Access Memory，缩写：RAM)，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

    基础知识科普站
    2021-12-01
    ROM DRAM RAM

  • DRAM 的需求已经减弱 内存要降价？

    市场研究机构 TrendForce 的数据也显示，10 月份 PC 用 DRAM 通用产品(DDR4 8GB)成交价为 3.71 美元，环比降价 0.39 美元，比上一季度下降 9.51%。DRAM 自今年 1 月份起一直保持价格上升趋势，此次是全年首次降价。TrendForce 分析认为，随着 PC 制造商的 DRAM 库存水平上升，市场对 DRAM 的需求已经减弱。

    模拟
    2021-11-24
    内存 NAND DRAM

  • IC Insights：DRAM价格将在今年第4季度回落

    据全球知名半导体分析机构ICInsights更新的《麦克林报告》，DRAM价格在今年前八个月飙升了41%，从1月份的平均销售价格（ASP）3.37美元上涨至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增长37%（如下图）。2019年对DRAM来说是相...

    满天芯
    2021-11-15
    Insight DRAM

  • 三星开发出其业界首款基于14纳米的LPDDR5X DRAM

    （全球TMT2021年11月9日讯）三星宣布开发出其业界首款基于14纳米的下一代移动DRAM -- LPDDR5X（低功耗双倍数据速率5X），将引领超高速数据服务市场的增长。 三星成功开发LPDDR5X DRAM 三星的14纳米LPDDR5X在“速度、容量和省电...

    美通社全球TMT
    2021-11-09
    三星 DDR DRAM

  • SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

    10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3DRAM内存芯片。该产品可以与CPU、GPU核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。目前HBMDRAM已经发展到了第四代，HBM3进一步提升了单片容量以及带宽。SK海力士表示，2020...

    芯电路芯资讯
    2021-11-05
    海力士 DRAM

  • 绿芯工业级温度 NVMe U.2 固态硬盘最高容量可达 7.68TB

    先进的数据完整性和安全性为用户提供高可靠性保障

    绿芯
    2021-11-03
    固态硬盘 绿芯 DRAM

  • 美光推出全新 Crucial 英睿达 DDR5 内存，为消费者提供下一代台式电脑所需的高速度和海量带宽

    与 DDR4 内存相比，Crucial 英睿达 DDR5 内存的数据传输速度提高 50%，达到 4800MT/s，开箱即用的有效带宽几乎翻倍

    美光
    2021-10-28
    美光 DDR5 DRAM

  • SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

    10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

    芯电路芯资讯
    2021-10-21
    海力士 DRAM

  • DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？

    DRAM制造工艺上的1x、1y、1z1z之类的代表的是什么？DRAM产品目前处在10-20nm工艺制造的阶段，并且由于DRAM制程工艺进入20nm以后，制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成类似1x、1y、1z的定义。1x-nm制程相当于16~...

    21ic电子网
    2021-10-20
    DRAM

  • SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

    （全球TMT2021年10月20日讯）SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。  HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。...

    美通社全球TMT
    2021-10-20
    海力士 DRAM

  • 集邦：DRAM明年供过于求，恐进入跌价周期

    市调机构集邦科技指出，随着后续买方对DRAM的采购动能收敛，加上现货价格领跌所带动，第四季合约价反转机会大，预估将下跌3～8％，结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道，将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素，预期20...

    满天芯
    2021-10-14
    DRAM

  • 三星宣布：14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产

    10月12日消息，三星宣布开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14nmDRAM。继去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管JooyoungLee表示，“通过...

    OFweek维科网
    2021-10-13
    三星 DDR DRAM

  • 三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产

    （全球TMT2021年10月12日讯）三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。 “通过开拓关键的图...

    美通社全球TMT
    2021-10-12
    三星 DDR DRAM

  • 内存不再好卖，DRAM合约价格四季度跌幅将超出预期

    9月23日消息，据国外媒体报道，在今年8月份，研究机构就曾表示，由于供求状况发生了变化，加之供求双方存在较大的分歧，在三季度已经过了一半的情况下，供求双方仍未就三季度DRAM的合约价格达成一致。

    嵌入式硬件
    2021-09-24
    内存 DRAM
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