在日本援助下，美光将在广岛 DRAM 工厂安装 EUV

据业内信息，美光在日本政府的援助下向其位于广岛的 DRAM 工厂投资了 37 亿美元，该公司计划在广岛工厂安装 EUV 设备来升级工艺，进而使广岛工厂能够制造美光最新一代 DRAM(1-gamma)，这将是日本首次使用 EUV 设备。

“在过去十年中，美光在广岛的业务一直是多项行业领先内存技术的开发和生产的核心，”美光 CEO 兼总裁 Sanjay·Mehrotra 表示。“我们很自豪能够成为日本第一个使用 EUV 的公司，并在我们的广岛工厂开发和制造 1-gamma。我们的计划反映了我们对日本的持续承诺、与日本政府的牢固关系以及美光广岛团队的杰出才能。”

美国驻日本大使 Rahm·Emanuel 表示，美光与日本宣布在广岛生产 1-gamma 存储器是确保半导体供应链安全的重要一步，这种伙伴关系展示了盟友在共同努力时如何能够在尖端技术方面创造经济机会和安全。

“美光是日本唯一一家生产 DRAM 的公司，它不仅对全球 DRAM 行业，而且对我们发展中的半导体生态系统设定步伐都至关重要，”经济产业省商业和信息政策局局长 Satoshi·Nohara 说。“我们很高兴看到我们与美光的合作在广岛扎根，将最先进的 EUV 引入日本。这不仅将深化和推进我们半导体生态系统的人才和基础设施，还将为我们的数字经济带来指数级增长和机遇。”

据悉，美光在日本拥有超过四千名工程师和技术人员，致力于推动日本的劳动力发展和半导体生态系统，并在过去五年中在日本雇佣了超过一千五百名新员工，美光提供了日本市场大约三分之一的 DRAM。

根据知情人士透露，美光从日本政府获得了大约 2000 亿日元(约 15 亿美金)的财政奖励，帮助其在日本生产下一代存储芯片，这是日本政府加强国内半导体生产的最新举措之一。此外日本政府已经投入数十亿美金鼓励芯片代工巨头台积电在国内增加产能，并资助日本国内晶圆代工厂 Rapidus，希望未来几年产出 2nm 芯片。

从 2013 开始美光已在日本投资超过 130 亿美金，其中包括在去年推动生产“1-beta”制造工艺的 DRAM，最新激励资金将帮助美光生产“1 Gamma”制程芯片，这是一种计划于明年年底推出的更先进的存储工艺节点。

昨天七大半导体业界高层与日本首相会面，多家厂商已向日本政府表达，将在日本强化投资与合作研发的意愿。其中包括日本首相岸田文雄，与台积电董事长刘德音、三星电子 CEO 庆桂显、英特尔 CEO Pat·Gelsinger、美光 CEO Sanjay·Mehrotra、IBM资深副总裁 Dario·Gil、应用材料半导体产品事业群总裁 Prabu·Raja、Imec执行副总裁 Max·Mirgoli 等在日本首相官邸见面。

会面时岸田文雄指出，希望各厂扩大对日本直接投资，而日本政府将对半导体产业提供支援。另外也谈到 G7 峰会加强合作关系。日本经产省大臣西村康稔在会后的记者会上表示，美光已提出在日本广岛工厂中量产最新一代 DRAM 的提案，因此最高将投资 5000 亿日圆(约 37 亿美金)，日本政府将以促进先进半导体投资的预算提供相关支援。