四代先进工艺技术和3D IC以及第四代FinFET技术合作21ic讯 赛灵思公司宣布其与台积公司( TSMC)已经就7nm工艺和3D IC技术开展合作,共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。该技术代表着两家公司在先进
目录 1.比预期要差 半导体FinFET制程进展缓慢 2.联发科十核处理器Helio X20参数曝光 3.可以抛弃机械硬盘了 全球第一款6TB固态硬盘七月上市 4.中国手机市场饱和
新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout),目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台,成功
21ic讯 Mentor Graphics公司宣布,TSMC和Mentor Graphics已经达到在 10nm EDA认证合作的第一个里程碑。 Calibre® 实体验证和可制造性设计 (DFM) 平台以及 Analog FastSPICE™ (AFS™) 电路验证平台(
新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout),目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台,成功完成超过100件FinFET投片。包括格罗方德半
21ic讯 全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司,在加利福尼亚州圣何塞举行的国际光学工程学会(SPIE)先进光刻技术大会上,推出了业界首款在线3D扫描电子线宽量测系统,成
弹性客制化 IC 领导厂商 (Flexible ASIC LeaderTM) 创意电子 (GUC) 与全球高速串联解串器 (High-speed SerDes) 创新技术的领导者 Credo,于今日宣布,双方运用台积电 (TSMC) 的 16纳米 FinFET+ 制程技术,共同合作开发高性能网络芯片设计解决方案。
目前手机处理器的发展已经到了一个不上不下的关口,ARM的Cortex-A53、Cortex-A57均已经不算新架构,也有相关产品在售。没有革新的情况下,加大性能的代价就是功耗提升。除了工艺升级之外,笔者已经想不到有什么方法能
近日消息,据digitimes报道,移动装置如智能手机、平板电脑等应用领域,对于半导体芯片的需求走到超低功耗,制程技术从28纳米制程,到20纳米制程,将于2015年进入第一代3D设计架构的FinFET制程,也就是14/16纳米世代
继与海思16nm合作之后,台积电16nm更近了。近日消息,台积电联合CEO魏哲家(CC Wei)宣布,将在2015年第二季度或者第三季度初批量投产下一代工艺16nm FinFET,将成为仅次于Intel 14nm的最先进制造技术。根据今天发布的
台积16纳米 提前明年Q2量产台积电提前试产16纳米制程,并加速相关产能建置脚步。设备商透露,台积电16纳米产能预定明年第1季拉升至每月5万片,量产时程可望推进至明年第2季,比预定时间提前一季,将承接苹果下世代处
令设计者受益于先进制程的更高性能、更低功耗以及更小设计面积Cadence设计系统公司今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。 Cadence所提供的丰富IP组合能使系统和芯片公司在16纳米FF+的先进制程上相比
双方在10纳米FinFET工艺上的合作可使客户即刻启动设计Cadence设计系统公司今日宣布,其数字和定制/模拟分析工具已通过台积电公司16FF+制程的V0.9设计参考手册(Design Rule Manual,DRM) 与SPICE认证,相比于原16纳
Virtuoso Liberate特性分析解决方案搭配Spectre电路模拟器倍增16纳米FinFET单元库的特性分析速度亮点:• 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET STA关联性的严格的精度目标• Cadence的16纳米FinFET v1.0单元
日前,全球首颗以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)的ARM架构网络芯片成果产出,这是由台积电帮助海思半导体双方合作后的成果。根据设备厂透露,这个成果表明了台积电的16纳米技术在面对英特尔以及三星的强力压力下,已
21ic讯—2014年9月25日,Mentor Graphics公司宣布,基于台积电(TSMC)的SPICE仿真工具认证程序,Analog FastSPICE (AFS™)平台(包括AFS Mega及Eldo®)通过了16nm FinFET+V0.9工艺制程认证。V1.0的认证正在
21ic讯 Mentor Graphics公司(NASDAQ:MENT)今日宣布,基于台积电(TSMC)的SPICE仿真工具认证程序,Analog FastSPICE (AFS™)平台(包括AFS Mega及Eldo®)通过了16nm FinFET+V0.9工艺制程认证。V1.0的认证正在
和20纳米标准晶体管比较,3D 16纳米 FinFET具有更高性能、更低动态功耗,更小晶体管体积等优点。近日,Sidense公司就采用16纳米CMOS FinFET工艺技术制造的测试芯片,成功演示了1T-OTP位单元架构的读写能力。Sidense
三星电子(Samsung Electronics)将于11月推出先进代工制程14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)样品,而此次应用14纳米制程的应用处理器(AP)试制品,也传出将先提供给高通(Qualcomm)、苹果(Apple)、超微(AMD)等主要客户。据韩
Needham&Co.半导体设备分析师EdwinMok27日针对晶圆代工领域提出了透彻分析,认为相关的半导体设备订单有望在今(2014)年下半年攀高,但16/14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)订单却将递延一季。barron`s.com报导,Mok发表研