三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称,基于其45nm e
PPTV携手华数传媒合作推出了机顶盒产品PPBox,299元售价在业界引起了不小的轰动。今日零点800台工程版PPBox的网络预售正式首发了,工程版的售价为199元,但仅过了3分钟的时间,800台PPBox就被速抢一空。
三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称,基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性
盛群推全新系列的TinyPower液晶(LCD)快闪记忆体(Flash)微控制器(MCU),全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个微控制器,符合工业上-40°C~85°C工作温度与高抗杂讯之性能要求,且提供48~80接脚的不同封
近期内存业界传出三星电子(Samsung Electronics)将策略性淡出小型内存卡microSD生产行列,未来仅针对少数几家客户以供应Wafer方式,让客户自行生产并封装 microSD成卡,至于三星既有资源将全数投注于eMMC、eMCP、固态
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU,全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个MCU,符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,且提供48 ~ 80-pin的不同封装型式,搭配TinyPowerTM Flash
今年智慧型手机、平板等行动装置快速成长、DRAM及NAND Flash价格也不断走高,整体景气看旺,对于数位储存市场来说,将会有很大的发展空间。然而也正因为智慧手机和平板装置成为未来主流、亦随着云端热潮崛起,产业典
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发,以及採用 40nm 製
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发,以及採用 40nm 製
Holtek推出全新的A/D与I/O两系列的Full Speed USB Flash MCU - HT66FB540、HT66FB550、HT66FB560与HT68FB540、HT68FB550、HT68FB560。HT66FB5x0与HT68FB5x0为Holtek新世代8-bit Flash USB MCU系列产品。Holtek提供高
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU,全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个MCU,符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,且提供48 ~ 80-pin的不同封装型式,搭配TinyPowerTM Flash
继现有的Enhanced Flash MCU A/D型的HT66Fxx系列,Holtek再推出HT66F60A/70A、HT66FB60A/70A及HT66FU60A/70A系列MCU。除承袭原有之USB及UART系列外,并将程序空间推展到32K Words。适用于各种小家电、量测仪表、工业
从手机到平板电脑,以及蓝牙耳机等外设,各种数码产品想要能“说”会“唱”,都必须依靠音频芯片。高性能的音频芯片往往功耗较高,会大幅度降低移动设备电池使用时限。今年初,成都锐成芯微科技有限责任公司(以下简称
面板产业受到大尺寸电视与iTV带动,近几个月出现需求回升态势,明年整体面板产业可望好转,而半导体材料通路商华立(3010)旗下代理的日系LCD时序控制晶片也在第四季再度打入新客户,加上新增的驱动IC与Flash产品线效应
专业封装测试厂力成科技(6239)昨天公布3月合并营收31.17亿元,月增6.6%,年增8.08%。法人预估,第2季在DRAM及Flash需求量价同增下,力成营收可望摆脱阴霾,逐步向上。 另一家封测大厂矽品也公布3月合并营收达49
据DIGITIMES Research报道,2012年第4季日本半导体龙头厂东芝(Toshiba)因NAND Flash价格较第3季上扬,其半导体事业营收较第3季增长10.5%,为2,316亿日圆(约24亿美元),已连续两季增长,且营业利益亦由第3季120亿日
基于TMS320C6000 DSP及DSP/BIOS系统的Flash引导自启动设计
基于TMS320C6000 DSP及DSP/BIOS系统的Flash引导自启动设计
全球市场研究机构TrendForce调查显示,受到NAND Flash原厂对通路市场客户持续紧缩供货下,三月上旬NAND Flash合约价呈现上涨的走势,特别是在低容量MLC与TLC部分,涨幅高达10%以上水平。展望2013年,受惠智能型手机、