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LEDinside预测LED市场未来六大变革
全球市场研究机构 TrendForce 旗下绿能事业处 LEDinside 报告指出， 2013年 LED 封装市场产值估计达125亿美元，2014年将达到133.9亿美元，年成长率为7%；2014年 LED市场亮点仍以平板电脑与智慧手机背光应用为主，照明
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TrendForce：2014年LED产业六大变革
根据全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处LEDinside 「金级会员报告」指出，2013年LED封装市场产值达125亿美元，2014年将达到133.9亿美金，年成长率为7%。2014年LED市场亮点仍以平板计算机与智能手机背光应用为
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AT89C51命名规则
以AT89S5224PC为例：AT = Atmel 公司89 = flash 存储器S = 可下载 ;C=COMS LV=低电压52 = 型号 ;51、5324 = 运行频率 ;12、16、20P = DIP 双列直插; D陶瓷、 J PLCC、 S Q贴片C = 商用;I 工业、A 汽车、M 军用、V 不
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应材：移动装置主导未来市场
全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆5日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NAND Flash厂的制程升级，将为设备
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应材：移动装置主导未来市场
全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆5日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NAND Flash厂的制程升级，将为设备
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无锡海力士厂房爆炸 存储器要涨价
韩国DRAM大厂海力士（Hynix）位于江苏无锡DRAM厂昨天发生爆炸，由于火势猛烈、浓烟漫布，估计受创严重，牵动DRAM供应。全球DRAM大厂三星、美光及南科等相继暂停报价，并停止接单。业者指出，海力士无锡厂每月晶圆投片
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海力士火灾对内存芯片价格影响不大
2013年9月4日下午3点半左右，位于江苏无锡新区的韩资企业海力士-意法半导体(中国)有限公司一车间突然发生火灾，冒起的滚滚浓烟蔓延周边数公里。无锡海力士公司4日下午发生火灾，截至18时明火已全部扑灭，1人受轻微外
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8月下旬主流NAND Flash合约价下滑5-10%，后续终端需求恐不如预期
根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，八月下旬NAND Flash合约价较上旬下滑5-10%，主要由于OEM需求不如预期，导致买方库存水位升高，备货力道明显萎缩。从产出端来看，东芝自第
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东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求;该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂(Fab
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东芝3D NAND晶圆厂破土动工带动NAND Flash业复苏
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求；该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂（Fa
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东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求;该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩
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联发科(2454)眼中的秘密武器，成就华邦电(2344)的大未来!
华邦编码型快闪记忆体(NOR Flash) 布局手机市场报捷，独家获得联发科主力晶片「MT6252」系列搭配采用，并打入三星、LG等大厂供应链。「MT6252」是联发科2011年秘密武器，放量出货当中，华邦NOR 晶片出货同步成长，挹
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SSD 2013 Q1出货量1150万台 未来成长空间仍相当大
固态硬碟(SSD)是这几年快速崛起的储存产品，也带给记忆体相关业者相当多商机，包括NAND Flash晶片、SSD供应商或是SSD控制晶片业者。目前NAND Flash晶片供应商包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、新帝
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为何Flash存储产品能够生存壮大
我永远忘不了自己第一眼看到华丽的菲斯克卡玛（Fisker Karma）1的情景。在那之前，公众一直沉迷于丰田普锐斯或日产Leaf等混合动力插电式汽车，这些车的外观性感异常，就像Martha Stewart在新一期维多利亚的秘密内衣产
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JEDEC标准(JESD216)S FDP对串行Flash在系统中的应用
摘要：JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用，并给出其在系统
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IBM筹划flash业务开发蓝图
IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术，为伺服器双列直插式存储器模组(DIMM)插槽加入NAND flash。该公司并计划在DIMM埠中采用自行设计的控制器芯片。此外，IBM并加倍扩增去年从Texas Memory System
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高速PCB设计中的常见问题及解决方法
随着器件工作频率越来越高，高速PCB设计所面临的信号完整性等问题成为传统设计的一个瓶颈，工程师在设计出完整的解决方案上面临越来越大的挑战。尽管有关的高速仿真工具和互连工具可以帮助设计设计师解决部分难题，但
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国外半导体大厂积极壮大高毛利的智慧化嵌入式系统市场版图
【导读】值此智慧化嵌入式系统(Intelligent Embedded System)市场方兴未艾之际，Flash MCU内嵌的编码型快闪(NOR Flash)记忆体容量亦将大幅增长，以迎合智慧化嵌入式系统配备联网、图形化和语音人机介面等功能，以及内
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智能嵌入式系统力拱 高容量Flash MCU需求涨
嵌入式系统智能化商机旺 MCU厂升级eFlash制程微控制器(MCU)厂商在嵌入式快闪记忆体(eFlash)新一轮先进制程竞赛开打。值此智慧化嵌入式系统(Intelligent Embedded System
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新内存芯片更经凑更快 挑战DRAM和Flash
一家美国创业公司开发出一种更紧凑更快的内存芯片，向DRAM和Flash芯片发起了挑战。新的内存芯片被称为交叉内存(crossbar memory)，由Crossbar研发，该公司联合创始人兼首席科学家是密歇根大学教授Wei Lu。演示用交叉
