现如今科技飞速发展,传统的电力转化已经无法满足电力设备的需要。新型变频设备崛起的同时,大功率IGBT的应用也逐渐增多起来,IGBT的可靠性直接关系到变频的效率与电力设备
当选择的IGBT,设计者面临着一些架构选择,可以有利于IGBT的一种形式中,如对称与不对称阻塞,在另一个的。本文将回顾由不同的IGBT架构所提供的设计方案。该绝缘栅双极晶体
瑞萨电子近日发布了性能指数(FOM)较上代产品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新产品“G8H系列”,已开始供应样品。FOM是开关损耗与集电极-发射极间饱和电压(VCE(sat))的乘积,FOM越
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包
在IGBT的使用过程中,存在电路失效的情况,而失效的原因通常多种多样,其中一种就是当驱动电路工作频率相对IGBT开关频率不足时,导致的IGBT失效问题。只有对IGBT失效原因进
IGBT模块对不间断电源技术提供了技术保证,正在成为不间断电源技术中的主流技术。在IGBT模块电源技术中,对于电路的保护是非常必要的。本文就将对IGBT保护电路中的过流保护
随着人们对电源及电子设备的功能要求越来越高,为各种设备提供电源时需要进行的改动就越来越多。IGBT就是其中一种,然而在实际的设计过程中,很多朋友经常会遇到IGBT莫名其
全球先进电子元件分销商世强日前与国际桥堆制造领军企业Shindengen签订分销协议,前者正式代理包括桥堆、二极管、电源模块、可控硅、IGBT、MOS等在内的新电元全线产品。 新 电元工业株式会社于1949年成立以来,主要
本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用
直流大功率电源是目前工业、照明等领域中不可或缺的重要组成部分,也是很多工程师的重点设计方向之一。此前我们曾经分享过几种稳压直流大功率电源的设计方案,也得到了各位
21ic讯 贸泽电子 (Mouser Electronics) 为首家分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列产品在175&
1引言随着电力电子器件制造技术的发展,高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点,而越来越多地
逆变效率关系到设计的整体效率,因此很多设计者高度关注逆变效率。在逆变效率中,转换效率的特点是其效率永远小于1,这是因为逆变器内部的逆变电路会产生一定损耗,由于产生
很多新手在接触逆变效率时,都会对逆变效率与之流侧输入的功率关系产生疑惑。在本文中,小编将通过一个例子,为大家分析直流侧输入与逆变效率到底有没有关系,是否输入功率
英飞凌科技股份公司推出全新S5系列,进一步增强其IGBT的性能。全新推出的这个产品系列立足于超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT,专门针对开关频率高达40kHz的工业设备的交流-直流电力转换装置而开发。这类工业设备主要包括光伏逆变器(PV)和不间断电源(UPS)。 S5系列器件能够满足制造商实现不低于98%的系统效率级别,从而最大限度提高太阳能电池板的发电量,同时降低系统成本的需求。新产品系列更加坚固耐用,质量更高,可帮助最终用户将设备寿命延长至20年。总体而言,新推出的IGBT产品系
引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有M
采用IGBT作开关元件时,逆变器电路采用率联谐振逆变电路,如图3-33所示。这种电路的设计和工作原理与用SCR作开关的电路相同。要注意的是,IGBT和VMOS的控制极脉冲宽度必须等
IGBT、续流二极管构成的功率开关单元模块电路(a)所示为单开关模块;(b)所示为两单元(半桥)模块;(c)所示为H桥(单相桥)模块;(d)所示为不对称H桥模块;(e)所示为三相桥(六单元或
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图
如今新能源汽车日益普及,但驱动汽车前进的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)国产化问题,一直困扰着国内新能源汽车厂。昨天,上海先进半导体制造公司与深圳比亚迪微电子公司签署战