IGBT

以创新的IGBT技术、合理的器件选型和有效的系统手段优化变频器设计

全球对于节能和绿色能源的需求使得马达变频驱动在工业应用领域不断增长，甚至还扩展到民用产品和汽车领域。因此在过去几年，市场对变频器的需求量和相应的产量一直在持续增

IGBT电动中国芯！比亚迪：好电动车就靠它了

提起如今迅速崛起的新能源汽车，尤其是对于纯电动车，大部分对它的关注点都集中在电池及续航里程上，但他们却不知道，电动车上还有个指甲大小的部件与电池同样重要。今晚，比亚迪在宁波举办的“核心技术解析会之IG

比亚迪不仅做车，还做芯片！比亚迪发布IGBT 4.0：打造电动中国芯

比亚迪于宁波威斯汀酒店举办比亚迪核心技术解析会之IGBT电动中国芯，发布全新一代车规级IGBT标杆性产品—;—;比亚迪IGBT 4.0。IGBT(Insulated Gate Bipolar Tran

比亚迪推出第四代IGBT，核心技术告别卡脖时代

不过，国外早在上世纪80年代便开启了对IGBT的研究生产，要在产品上追上国外先进水平，显然需要更多时间。因此，中途比亚迪的IGBT芯片又历经8年，多次迭代，其间，比亚迪还与上海先进半导体在2015年达

智能功率IGBT和MOSFET让汽车更加舒适环保

汽油机缸内直喷是当前轿车汽油喷射中的前沿技术，多点顺序汽油喷射将各个点火线圈分别安装在各缸的进气歧管中，使各缸混合气分配较均匀，因此能很好地适应减少排放、降低油

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、 引言 电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展，功率器件则要求高速、高可靠、低损耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG

面向汽车应用的IGBT功率模块浅谈

诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并

备用通信电源新设计

在通信企业中，电源是通信系统的“心脏”， 是全程全网畅通的根本保障。供电系统的可靠性、稳定性和供电质量，直接影响到通信网络能否稳定的运行。应急、备用通信

关于蓄电池组充电的思考

1　引言 本文根据我们多年从事直流系统开发设计及现场应用经验，试图对后备蓄电池组的充电方式进行一些探讨，，希望能起到抛砖引玉的作用，研究出一种更加合理的蓄电池

CPLD在IGBT驱动设计中的应用

一款并联谐振逆变电源的设计方案

前言 在现代工业的金属熔炼、弯管，热锻，焊接和表面热处理等行业中，感应加热技术被广泛应用。感应加热是根据电磁感应原理，利用工件中涡流产生的热量对工件进行加热的

从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用

最经典的IGBT资料大全，技术详解，设计技巧，应用案例

基础理论IGBT系统的介绍 就IGBT的定义、工作原理、等效电路、特性参数、设计技巧等作全面介绍…… 设计技巧IGBT的驱动和过流保护电路的研究IGBT目前被广泛使

IGBT在大功率斩波中问题的应用

斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速

杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响

IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这

IGBT的驱动和过流保护电路的研究

1 引言绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热

小小一颗IGBT如何撬动电动汽车逆变器？

电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频

经验总结：IGBT奇葩波形 不炸都对不起它

对于很多电源新手来说，在使用示波器测试波形的时候，都遇到过炸管的问题，是什么原因导致炸管？又该如何解决呢？下面就来看看这位仁兄的情况。 　　 　　如图1，黄线为示波器探头直接接在上臂IGBT的驱动Vge两端。

基于2SD106的IGBT驱动电路设计与应用

引言 IGBT驱动电路的关键是驱动保护电路设计，良好的驱动电路必须保证IGBT的开关损耗量尽可能小。在IGBT承受短路电流时，如能实现可靠关断，则可以保护IGBT。 由于大功率的IGBT模块在开通关断时，需要瞬间大电流。本

MOSFET产能大缺 正酝酿下一波涨价

由于MOSFET受工控及车用电子需求提升，国际大厂纷纷转向高阶MOSFET及IGBT相关应用，外商逐渐退出低功率MOSFET市场，包括：意法、英飞凌等国际IDM大厂下半年MOSFET产能早已被预订一空，加上目前8吋晶圆代工产能极缺，形成MOSFET、指纹辨识、电源管理芯片等抢占产能情况。