MOSFET
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Vishay推出用于同步降压的业内首批通过AEC-Q101认证的双片不对称封装12V和20V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，
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步进电机的MOSFET管驱动设计
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向
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东芝推出适用于LED驱动器应用中负载开关的业界领先小尺寸、低导通电阻N沟道MOSFET
东芝公司(TOKYO：6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出小封装尺寸的N沟道MOSFET，该MOSFET适用于LED驱动器应用中的负载开关，包括汽车仪表盘仪表和前照灯以及LED电视背光灯，它们是业界领先的[1]低导通
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MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。
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MOSFET和三极管ON状态有什么区别？
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区
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Vishay 推出 650V快速体二极管MOSFET 可提高软开关电压余量
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
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基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流组件，不过
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功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析
功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器
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MOSFET开关损耗分析
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
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6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门
由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路
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大功率电源MOSMOSFET问题的分析
在现代科技的环境下，传统的电源设计方案已经无法再满足人们的需要。因此功率更为强大的大功率电源开始成为设计者们的新宠。但是在应用过程中大功率电源也遇到了这样或那样
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同步降压 MOSFET 电阻比的正确选择
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些
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大功率电源MOS工作温度确定之计算功率耗散
在电子电路设计中，散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下，空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤其明显。为了尽量控制
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高效高可靠性LED驱动设计心得技巧分享
近日，LED驱动电路设计方面的资深达人DougBailey总结了设计工作中需要注意的问题和亲身设计心得，为大家分享总结如下：一、不要使用双极型功率器件DougBailey指出由于双极
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入门必看的MOSFET小功率驱动电路知识分享
功率器件MOSFET是目前应用频率最高的电子元件之一，也是很多电子工程师在入门学习时的重点方向。如果设计得当，MOSFET驱动电路可以帮助工程师快速、高效、节能的完成电路系
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功率MOSFET在集成驱动电路中的设计应用简析
功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用，此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式，在今天的文章中，我们将会就功率MOS管
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Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包
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功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析
功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器
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干货!一种简易的MOSFET自举驱动电路设计分享
功率开关器件MOSFET在驱动电路中的应用频率在最近几年直线上升，在一些中小功率的开关电源产品中，利用MOSFET完成驱动电路的设计不仅省时省力，还具有良好的功率转换效果。
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同步整流降压式DC-DC变换器应怎样选择MOSFET?
功率器件MOSFET在很多电路系统的设计中都得到了广泛的应用，而对于同步整流降压式的DC-DC变换器来说，怎样选择合适的MOSFET则是非常重要的一环，需要研发人员认真对待。本文
