MOSFET
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IR推出100V集成MOSFET方案
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针
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隔离式栅极驱动器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言[QC1] )。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流[QC2] 。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
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凭借对SiC MOSFET的大力推广 世强获Littelfuse最佳市场开发代理商
近日，全球排名第一的电路保护品牌Littelfuse向世强颁发了“最佳市场开发代理商奖”，以表彰其2018年在产品推广与市场开发方面所作出的杰出贡献。
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ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驱动两级外部 N 沟道功率 MOSFET
LTC7840 的一种典型应用是利用第一个通道将 12V 输入电压提升到 48V，第二个通道将 48V 升压至240V 并提供高达 700mA 的输出电流，因而使其非常适合汽车、工业和医疗应用。
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IR推出新型DirectFET MOSFET
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648
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一款功率稳压逆变电源的设计与制作
标称功率300W的逆变电源，用于家庭电风扇、电视机，以及日常照明等是不成问题的。300W逆变器，利用12V/60AH蓄电池向上述家用电器供电，一次充满电后，可使用近5小时。不过，
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ROHM株式会社小型大功率封装MOSFET MPT6
半导体制造商ROHM株式会社（总社设在京都市）最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的MPT6 双元件系列产品，这种产品采用独创的小型大功率
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从原理到具体电路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用
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功率稳压逆变电源的设计与应用
目前国内大多数采用的长延时热脱扣试验方案是通过变压器直接对断路器施加一个电压以获得测试电流。在测试过程中，由于电网电压的波动、载流电路中引线电阻变化、负载本身电
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利用理想二极管和热插拔控制器隔离电源故障
用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如，μTCA网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“
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MOSFET安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或
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安森美半导体应用于汽车自动空调的电源、电机驱动及分立元件等方案
在当今的汽车设计中，空调已是标准的舒适性配置。从功能上讲，当今的汽车空调实际上是将加热、制冷及通风等功能一体化，成为汽车加热、通风空调(HVAC)系统(本文将简称为&ld
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NexFETTM：新一代功率MOSFET
对于理想开关的需求 功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关，例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时，由于切换时
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电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常
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利用PowerTrench MOSFET应对更高功率密度的新挑战
引言随着社会经济从纸张型向数字信息管理型方向发展，用于数据处理、存储和网络的数据中心在个人业务、学术和政府体系等众多领域发挥着重要的作用。不过，与此同时，数据中
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电源设计小贴士 29：估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升
在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热
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MOSFET陷缺货潮，大中或借涨价提升毛利率
法人预期，MOSFET市场在缺货效应加持下，大中可望借由产品涨价提升毛利率，第三季获利相较上季有机会明显提升。
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电源设计小贴士28：估算热插拔MOSFET的瞬态温升——第1部分
在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的
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IR发布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
导读：全球功率半导体领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）日前发布其近日新增产品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.总所周知，IR不仅是全球功率
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讨论在PFC中应用的新型超级结MOSFET器件的特点
超级结（Super-Junction）MOSFET器件基于电荷平衡技术，在减少导通电阻和寄生电容两方面提供了出色的性能，这通常需要折中权衡。有了较小的寄生电容，超级结MOSFET具有极快
