MOSFET
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ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度
意法半导体推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零
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Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动
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Diodes 推出 50V MOSFET 闸极驱动ICs 可满足电池供电 BLDC 马达的驱动需求
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高频闸极驱动 ICs，专门设计用于驱动半桥组态下的两部外接 N 沟道 MOSFET。50V 的额定值可满足各种马达驱动需求，特别是无刷直流 (
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看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可(IDA、SOA曲线)
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全新高压MOSFET高效支持大小功率应用
英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS 技术产品阵容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
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意法半导体(ST)同级领先的900V MOSFET管 提升反激式转换器的输出功率和能效
意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确
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面向高功率密度应用的集成化MOSFET调压器可减少外围器件数量
英飞凌科技股份公司)今日推出 IR3883，它是一种简单易用的全集成型高效直流-直流调压器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散热管理的高密度负载点应用。该器件非常适合用于网络、电信、服务器和存储解决方案。该调压器搭载稳定性增强引擎，在简化设计的同时，只需要纯陶瓷电容就可以确保稳定性。比较而言，其他解决方案需要额外配备用于保证稳定性和纹波注入的外围器件。因此，IR3883可减少多达5个外围器件，可简化尺寸小于100平方毫米的电路板布局设计。
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功率MOSFET关断损耗计算攻略
本文介绍了MOSFET管关断损耗的计算方式，供大家参考。
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Allegro发布第二代汽车级三相隔离器MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N沟道功率MOSFET驱动器产品，可以通过控制相内(in-phase)隔离MOSFET器件来隔离三相负载。Allegro的A6862电机驱动器IC适用于需要满足
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Nexperia成为分立器件、逻辑器件与MOSFETs市场新势力
前身为恩智浦 (NXP) 标准产品业务的Nexperia今天宣布，该公司已正式成为一家独立公司。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，在北京建广资产管理有限公司以及Wise Road Capital LTD(简称：智路资本)联合投资下，拥有前恩智浦部门所累积的专业知识、制造资源和主要员工，并致力于开拓产品新重点的承诺，成为独立的世界级分立器件 (Discrete)、逻辑器件(Logic) 和MOSFETs 领导者。
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MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
引言即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中
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8中常见电源管理IC芯片介绍
在日常生活中，人们对电子设备的依赖越来越严重，电子技术的更新换代，也同时意味着人们对电源的技术发展寄予厚望，下面就为大家介绍电源管理技术的主要分类。
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浅谈MOSFET驱动电路
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
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浅谈MOSFET驱动电路
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。
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堆叠PowerStack封装电流获得更高功率POL
电压稳压器，特别是集成MOSFET的直流/直流转换器，已从由输入电压、输出电压和电流限定的简易、低功耗电压调节器，发展到现在能够提供更高功率、监控操作环境且能相应地适应
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意法半导体发布两款40V汽车级MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)发布两款40V汽车级MOSFET。新产品采用意法半导体最新的STripFET F7制造技术，开关性能优异，能效出色，噪声辐射极低，耐误导通能力强。新产品最大输出电流达到120A，主要目标应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统，同时优异的开关特性使其特别适用于电机驱动装置，例如电动助力转向系统(EPS)。
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ROHM开发出符合AEC-Q101标准的超小型MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM面向引擎ECU*1为首的电子化日益普及的各种车载应用，开发出符合AEC-Q101*2标准的超小型MOSFET“AG009DGQ3”。“AG009DGQ3”是实现高可靠性安装、且安装面积可比以往产品减少达64%的产品。
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借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积
近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通
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借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积
近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1)
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TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积
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