功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介
随着个人电脑及智能手机市场进入旺季,加上先进驾驶辅助系统(ADAS)及自驾车、物联网及工业4.0等新蓝海市场进入成长爆发期,带动面板驱动IC、微控制器(MCU)、电源管理IC(PMIC)、金氧半场效电晶体(MOSFET)等强劲需求,也让台积电、联电、世界先进的8英寸晶圆代工产能满载到年底,且订单能见度更已看到明年上半年。
在电源设计小贴士 #42 中,我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器,并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中,我们
以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源,使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器(参考文献1)。虽然该电路可以编程设定输出电流,但负载电流要流经BCD(二-十
在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成,显着提升高压应用的系统效率,并提供最大功效,帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计致力于提供功率、安全、可靠
Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击
据台湾媒体报道,涨价缺货的野火如今已扩散到CMOS图像感测元件上,今年电子关键零组件及半导体材料接二连三调涨售价,有钱也拿不到货,前车之鉴,让代理商及客户端一听到缺货就害怕,而这一波CMOS供货吃紧,就是在这样的氛围下酝酿成形,且有迹可寻,早在今年第2季,中国大陆高端镜头马达就已传出供货吃紧情况。
因应节能减碳风潮,碳化硅(SiC)因具备更高的开关速度、更低的切换损失等特性,可实现小体积、高功率目标,因而跃居电源设计新星;其应用市场也跟着加速起飞,未来几年将扩展进入更多应用领域,而电源芯片商也加快布局脚步,像是英飞凌(Infineon)便持续扩增旗下CoolSiC MOSFET产品线,瞄准太阳能发电、电动车充电系统和电源供应三大领域。 英飞凌工业电源控制事业处大中华区应用与系统总监马国伟指出,相较于Si功率半导体,SiC装置更为节能;且由于被动元件的体积缩小,因此提供更高的系统密度。除了电动车之外,
使用同样是95W处理器的情况下,微星B360M-MORTAR的MOSFET温度为62.62度,ROG STRIX B360-G GAMING的MOSFET温度为74.89度,相差整整12度——这个相差的温度就有点夸张了。
一、基本电路拓扑与工作原理 基于电感升压开关型变换器的LED驱动电路广泛应用于电池供电的消费类便携电子设备的背光照明中。电感升压变换器基本电路拓扑主要由升压电感器
由于MOSFET受工控及车用电子需求提升,国际大厂纷纷转向高阶MOSFET及IGBT相关应用,外商逐渐退出低功率MOSFET市场,包括:意法、英飞凌等国际IDM大厂下半年MOSFET产能早已被预订一空,加上目前8吋晶圆代工产能极缺,形成MOSFET、指纹辨识、电源管理芯片等抢占产能情况。
传导损耗是由设备寄生电阻阻碍直流电流在DC/DC转换器中的传导产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当集成上桥臂MOSFET打开后,负载电流就会从其中通过。漏-源通道电阻(RDS
安森美半导体(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中压脉宽调制(PWM)降压转换器。
英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台,展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外,英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文,并在同期的国际研讨会上进行交流。
意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和工业电源的灵活性。
要普及LED灯具,不但需要大幅度降低成本,更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题,PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计
系统中的开关电源电路为蓄电池的充电提供稳定的电压采用的是反激式的开关电源电路。反激式开关电源的电路比较简单,比正激式开关电源少用了一个大的储能滤波电感,以及一个续流二极管