MOSFET
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安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
经优化用于减少开关、导通及驱动器功耗以提升能效安森美半导体(ON Semiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广
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安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
经优化用于减少开关、导通及驱动器功耗以提升能效安森美半导体(ON Semiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广
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IR推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品
北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品
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基于MOSFET的焦耳小偷电路可提升电压设计
简单的间歇振荡器电路可以用来借助线圈电感的属性提升电压(V=L di/dt)。这种电路如图1所示，它更常见的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)电路。上述电路的输出是电压脉冲，可以
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大功率电源中MOSFET功率计算
也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多，
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8种噪声测试技术的实现，包括模块电源、MOSFET等
噪声通常指任意的随机干扰。热噪声又称白噪声或约翰逊噪声，是由处在一定温度下的各种物质内部微粒作无规律的随机热运动而产生的，常用统计数学的方法进行研究。热噪声普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，因此
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Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案
器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET，占位面积8mm x 8mm日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V
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Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C 适合超高功率密度应用
30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%可靠性比额定结温为150° C业内标准值的MOSFET高三倍21ic电源网讯 Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOS
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Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列
全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合，为设计师提高灵活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M
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e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS™与OptiMOS™系列功率MOSFET， 支持亚太区电子产品设计
英飞凌功率MOSFET是电信、太阳能、照明及汽车电子等工业应用的理想选择e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系
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Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路
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意法半导体(ST)扩大碳化硅MOSFET产品系列
意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势
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Diodes芯片级双向MOSFET节省空间 有效提高锂电池容量
21ic电源网 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级
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哪一个更简单，选择热插拔控制器，还是功率MOSFET？
我曾经遇到过节假日有客人上门，必须跑到商店，在关门前挑选几件物品的情况。我当时就意识到“跑”这个单词会有多少种意思呢。我听说单单作为动词，他就有645个意
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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适
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德州仪器推出NexFET N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻
采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件21ic电源网讯 日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低
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让爱车如虎添翼：被动无钥门禁系统
被动无钥门禁概述：被动无钥门禁，可能好多业界的朋友多对此相对陌生，它的出现让车辆最大限度降低功耗，实现最高安全性，同时赋予高LF灵敏度和最大读取距离。最小化的钥匙FOB设计可通过高集成度实现，包括3D主动LF
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封装寄生电感是否会影响MOSFET性能？
I.引言 高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现
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高压电机控制系统的主要设计考虑因素
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案?如何以
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Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N
