MOSFET
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性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世
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Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能
21ic讯，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiH
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实现更高能效的新一代同步整流驱动控制器NCP4305
同步整流旨在通过用低导通电阻的MOSFET代替常规的肖特基二极管进行整流来减小损耗，提升能效。以5 V应用为例，使用肖特基二极管整流将产生0.3 V的导通压降，而同步MOSFET的
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不断发展的ROHM最新功率元器件
用于功率转换的半导体功率元器件，由于对所有设备的节能化贡献巨大，其未来的技术发展动向受到业界广泛关注。ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流，致力将在使分立半
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如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损
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如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。关键词：MOSFET 损耗分析 EMI 金升阳R3一
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实现更高能效的新一代同步整流驱动控制器NCP4305
同步整流旨在通过用低导通电阻的MOSFET代替常规的肖特基二极管进行整流来减小损耗，提升能效。以5 V应用为例，使用肖特基二极管整流将产生0.3 V的导通压降，而同步MOSFET的
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卡车、汽车和重型设备必须具备坚固的电源转换
卡车、汽车和重型设备环境对任何类型的电源转换器件要求都是非常苛刻的。宽工作电压范围加之很大的瞬态和宽温度变化范围，所有这些因素使可靠的电子系统设计变得非常有挑战性。使设计时须考虑的因素更加复杂的是，有些应用要求将电源转换器件安装在引擎罩内，因而要求很高的温度额定值。同时，由于电子组件数量不断增加，所以可用空间也在不断缩小，从而由于空间限制而使高效率转换变得至关重要了。
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业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领
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Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET
Fairchild 推出了其行业领先的中压MOSFET产品，采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品，在尺寸缩减了一半的同时，提供了更高功率密度和更佳效率，且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。
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安森美推出14款车载半导体芯片 包括电源IC和MOSFET等
美国安森美半导体公司于2015年8月6日发布消息称，推出了14款车载设备用半导体芯片，包括三款满足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)标准的线性驱动
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“2015 ROHM 科技展”青岛站回顾
7 月 24 日，“2015 ROHM科技展”巡回展抵达青岛站，本次科技展会由ROHM(罗姆)半导体集团主办、21ic中国电子网承办，以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，从应用层面出发，以产品展示及专业讲座的形式，向半导体业界人士展示功率电子、车载电子、传感器网络、通信技术等方面的罗姆最新产品和技术，并进行了众多的高新技术主题演讲。
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世界首家※！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家※开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。 另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为R
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Diodes优化互补式MOSFET 提升降压转换器功率密度
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互补式双 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流转换器的功率密度。新产品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。器件设计针对负载点转换器，为专用集成电路提供从3.3V下降到1V的核心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路适配器、以及服务器和机顶盒等设备的处理器。
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SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
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壮大中压MOSFET产品阵容 英飞凌推出OptiMOS 300 V
21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壮大中压MOSFET产品阵容，树立功率场效应管市场新标准。300V OptiMOS 的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不
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东芝推出用于USB Type-C负载开关的MOSFET
东芝已推出了SSM6J507NU，这是一个P沟道MOSFET产品，是适用于USB Type-C接口(符合USB PD*1规范)的负载开关。USB PD是指一项技术，它允许电源高达100W(20V/5A)，同时要求USB Type-C接口和电池充电器IC之间的负载开关
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Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器 在小尺寸逆变器中有效节省空间
21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和MOSFET驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占位小，高度为2.5mm
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英飞凌新一代CoolMOS 可减少50%的开关损耗
21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS™ CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓
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Vishay 发布3颗新的600V 快恢复二极管N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件
