MOSFET
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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新型逻辑电平沟道MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
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新款全桥式MOSFET预驱动器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式 MOSFET 预驱动器 IC，扩展其现有全桥式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、 宽泛的工作电压（5.5
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新型IRS2093驱动IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 针对50W至150W高性能D类音频应用的需求推出新型IRS2093驱动IC，这些应用包括家庭影院系统和汽车音响放大器。IRS2093基于半桥拓扑结构，在一个IC上集成了4个高压通
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基于混合SET/MOSFET的比较器
1. 引言 据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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基于混合SET/MOSFET的比较器
1. 引言 据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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超低压差线性稳压器的拓扑架构及应用趋势
近年来，低压差稳压器(LDO)在各类电子设备，尤其是对电能有苛刻需求的消费类电子中，得到了广泛的应用。但随着更低压差应用需求的发展，由于LDO拓扑架构的限制，越来越难以满足应用的需求。于是，基于新型拓扑架
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超低压差线性稳压器的拓扑架构及应用趋势
近年来，低压差稳压器(LDO)在各类电子设备，尤其是对电能有苛刻需求的消费类电子中，得到了广泛的应用。但随着更低压差应用需求的发展，由于LDO拓扑架构的限制，越来越难以满足应用的需求。于是，基于新型拓扑架
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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高压电容器充电变简单了
设计一个高达kV的高压电容器充电器或电源不是一件小事。采用通用反激式 PWM 控制器的分立式解决方案需要光耦合器，还要具备监视、状态指示和保护功能，这就要很多电路，增加了设计复杂性。尤为重要的是要避免输入过流，这种情况在发生在接通时会被误认为是短路的容性负载所引发。还必需确保该类型的转换器只有输入电压在安全工作范围之内时才接通，从而保持长期可靠性。
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MicroFET MOSFET（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封装，
火焰舞者
happde
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剑圣灬哥
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天命风流
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