MOSFET
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3A输出、同步DC-DC转换器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC转换器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。内置MOSFET能够提供比异步方案更高的效率(93%)，同时还可简化设计，并极大地降低EMI。MAX15041能够输出高达3A电流，非常适合电信和网
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短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究
近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会
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东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件
东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。如果采用该技术层叠100层16GB的内存芯片
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短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究
近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会
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符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC（ON Semiconductor）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV84
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低通态电阻650V MOSFET（ST）
意法半导体近日推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh™ V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。意法半导
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针对应用选择正确的MOSFET驱动器
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
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两款N沟道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路（
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新型高速18V MOSFET驱动器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列，该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列
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针对应用选择正确的MOSFET驱动器
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
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针对应用选择正确的MOSFET驱动器
针对应用选择正确的MOSFET驱动器
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两款N沟道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路（
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两款N沟道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路（
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新型高速18V MOSFET驱动器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列，该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列
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MOSFET栅漏电流噪声模型研究
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。对于常规体MOSFET，当氧化层厚度<2 nm时，大量载流子以不同机制通过栅介质形成显著的栅极漏电流。栅极漏电流不仅能产生
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业界最小的芯片级MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道S
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全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
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全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供
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MOSFET市场增长快速，本土企业积极追赶
全球节能环保意识高涨使得高效、节能产品成为市场发展的主流趋势。相应地，电源管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越来越多的应用到整机电子产品中。在功率器件产品中，MOSFET的市场需求增长最快。据分析机构数据显示
