MOSFET
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电脑的麦克风电路以及JFET-MOSFET耳机功放电路
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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电脑的麦克风电路以及JFET-MOSFET耳机功放电路
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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基于航天器DC/DC变换器的可靠性设计
卫星用DC/DC变换器的高可靠和长寿命，是确保其完成飞行使命的基本条件之一。但人们对DC/DC变换器可靠性的认识通常集中在元器件固有质量或产品组装工艺缺陷方面，往往忽略了系统设计（包括技术方案和电路拓扑设计、输入/输出接口设计、环境试验条件适应性设计等）缺陷和电压、电流和温度应力对可靠性的影响。
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基于航天器DC/DC变换器的可靠性设计
卫星用DC/DC变换器的高可靠和长寿命，是确保其完成飞行使命的基本条件之一。但人们对DC/DC变换器可靠性的认识通常集中在元器件固有质量或产品组装工艺缺陷方面，往往忽略了系统设计（包括技术方案和电路拓扑设计、输入/输出接口设计、环境试验条件适应性设计等）缺陷和电压、电流和温度应力对可靠性的影响。
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高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC4449(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率
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高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC4449(Linear)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率
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晶圆厂产能不足MOSFET供货警报响
台晶圆代工厂产能供应失序情形，近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆，包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作，让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急
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晶圆厂产能不足 MOSFET供货警报响
台晶圆代工厂产能供应失序情形，近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆，包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作，让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急
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25W连续、28W峰值多输出电源电路
图1所示的DVD或机顶盒电源是用TNY280PN(U1)设计的一个反激式转换器。在这个设计中，10 μF的C4电容选择了U1的增强限流点，在启动或负载瞬态（DVD开仓）时可使电源输出28 W的峰值功率。图 1. 25 W连续、28 W峰值多输出
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高压电机控制系统的设计考量
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
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业界最小6A、17V降压DC/DC转换器（TI）
TPS54620的面积锐减60%，作为一款完整的6A电源解决方案，其面积还不足195mm2。性能特点：SWIFT器件支持6A连续、8A峰值负载电流以及1.6～17V的功率级输入电压；1.6MHz同步转换器不仅集成两个高效MOSFET（26mΩ与19mΩ
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高压电机控制系统的设计考量
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
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高压电机控制系统的设计考量
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
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基于LNK564DN的5V,350mA(1.75W)反激式电源电路
图1所示的隔离反激式电源是围绕着LinkSwitch-LP产品系列的LNK564DN(U1)而设计。在90-265 VAC的通用输入电压范围内输出可达5 V/350 mA(1.75 W)。二极管D1和D2对交流输入电压半波整流。存储电容(C1)和L1衰减传导EMI。电
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12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
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MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电
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昭和电工量产表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
昭和电工宣布，成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC（碳化硅）外延晶圆（EpitaxialWafer）。该晶圆的平滑性为0.4nm，较原产品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现单晶Si
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东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件
东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。如果采用该技术层叠100层16GB的内存芯
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MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电
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3A输出、同步DC-DC转换器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC转换器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。内置MOSFET能够提供比异步方案更高的效率(93%)，同时还可简化设计，并极大地降低EMI。MAX15041能够输出高达3A电流，非常适合电信和网
