MOSFET
-
新型MOSFET 器件（Diodes）
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
-
25V DirectFET系列MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新
-
单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
-
新型MOSFET 器件（Diodes）
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
-
25V DirectFET系列MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新
-
25V DirectFET系列MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新
-
单一P沟道MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
-
单一P沟道MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
-
单一P沟道MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
-
高性能电源转换器设计中的同步整流技术
为满足这些需求，在上世纪90年代晚期开关电源设计师开始采用同步整流（SR）技术——使用MOSFET来替代常用二极管实现的整流功能。SR提高了效率、热性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整个系统的电源系统成本。本文将介绍SR的优点，并讨论在其实现中遇到的挑战。
-
ULDO稳压器在上网本电源中的应用
未来的4C产品标榜低价、轻薄且具备移动上网功能，因此其电源设计方案必须摆脱传统的限制。这些限制包括外部零件和线路烦琐复杂，较高的输出噪音和待机功耗，以及不够平易近人的BOM成本等。 为此，亚瑟莱特科技特别
-
ULDO稳压器在上网本电源中的应用
未来的4C产品标榜低价、轻薄且具备移动上网功能，因此其电源设计方案必须摆脱传统的限制。这些限制包括外部零件和线路烦琐复杂，较高的输出噪音和待机功耗，以及不够平易近人的BOM成本等。 为此，亚瑟莱特科技特别
-
ULDO稳压器在上网本电源中的应用
未来的4C产品标榜低价、轻薄且具备移动上网功能，因此其电源设计方案必须摆脱传统的限制。这些限制包括外部零件和线路烦琐复杂，较高的输出噪音和待机功耗，以及不够平易近人的BOM成本等。 为此，亚瑟莱特科技特别
-
全球首款1毫欧以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Pow
-
全球首款1毫欧以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司）宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Pow
-
双MOSFET解决方案（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成
