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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013&rdq
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM 2013”（日本
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工日前宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成本，也适合
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6英寸SiC晶圆接连出现，各公司纷纷公布供货时间
在关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日，日本宫崎县Phoenix Seagaia Resort）的展示会场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸（150mm）的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸（75mm～100
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空应用提供无与伦比的高功率性能
新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达，以及防撞空中交通管制设备21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silic
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利用SiC和GaN实现AC-AC转换器薄型化
最近，采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。此次邀请了安川电机，针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功率调节器，介绍有关技术
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【技术讲座】利用SiC和GaN大幅削减电力转换装置的体积
最近，采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。《日经电子》此次邀请了安川电机，针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功率调节器，介绍有关技术和取得的效果。（《日经电子》
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异质结国际学会“TWHM” GaN
LED半导体照明网讯 9月2~5日“Topical Workshopon Heterostructure Microelectronics（TWHM 2013）”在日本函馆举行。据了解，该会议每隔一年举办一次，2013年迎来了第十届。此次会议是讨论采用不同材料的构
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全球第三代半导体材料研发部署重点及方向分析
在首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会上，Transphorm公司的技术营销高级经理黄赞先生对第三代半导体材料各国研发部署重点及方向进行了主题报告，系统阐述了美国、日本等国的第三代半导体材料研发相关项目、进
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全球第三代半导体材料研发部署重点及方向分析
在首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会上，Transphorm公司的技术营销高级经理黄赞先生对第三代半导体材料各国研发部署重点及方向进行了主题报告，系统阐述了美国、日本等国的第三代半导体材料研发相关项目、进
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全球第三代半导体材料研发部署重点及方向分析
在首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会上，Transphorm公司的技术营销高级经理黄赞先生对第三代半导体材料各国研发部署重点及方向进行了主题报告，系统阐述了美国、日本等国的第三代半导体材料研发相关项目、进
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日商AIR WATER选用爱思强系统生产GaN-on-SiC-on-Si
德国AIXTRON爱思强29日宣布，日本安昙野市的爱沃特株式会社（AIRWATER）告称已成功安装一套8x6英寸规格的全自动的爱思强AIXG5HT行星式反应器，用于氮化镓外延层的生长。AIRWATER之所以选用爱思强MOCVD系统，是基于该
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SiC和GaN是“下一代”还是“当代”？
SiC企业不断增多，成本不断下降一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当
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GT Advanced Technologies推出碳化硅炉新产品线
21ic讯 GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径
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GT Advanced Technologies推出碳化硅炉新产品线
新罕布什尔州，纳舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大
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