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厦门第三代半导体SiC生产线投产稳定，每月可产30万颗
厦门芯光润泽科技有限公司自主研发的国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线，于9月18日正式投产。据报道，两个月来，该生产线投产稳定，每月生产规模可达30万颗，每年可达360万颗。
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大力推广Littelfuse SiC MOSFET、SiC二极管等产品，世强获其“最佳市场开发奖”
2018年，本土十大分销商，Littelfuse官方授权一级代理商——世强，对Littelfuse的SiC MOSFET、SiC二极管等最新产品，进行了充分的市场推展，将这些产品带入了车载OBC、车载DC-DC、光伏等领域，并取得了喜人的成绩。由此，在Littelfuse 2018年度优秀供应商表彰大会中，世强斩获“Littelfuse最佳市场开发代理商大奖”。
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领先的SiC/GaN功率转换器的驱动
目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。这也意味着，要用更高的工作电压来管理更高的功率，却不能增加重量和尺寸，比如，太阳能串式逆变器和电动汽车牵引电机等应用场合。
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凭借对SiC MOSFET的大力推广 世强获Littelfuse最佳市场开发代理商
近日，全球排名第一的电路保护品牌Littelfuse向世强颁发了“最佳市场开发代理商奖”，以表彰其2018年在产品推广与市场开发方面所作出的杰出贡献。
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第三代半导体材料盛行，GaN与SiC如何撬动新型功率器件
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、G
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美高森美发布创新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成，显着提升高压应用的系统效率，并提供最大功效，帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计致力于提供功率、安全、可靠
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性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击
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领先的SiC/GaN功率转换器的驱动
目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。
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罗姆携多款车载元器件新品，亮相“2018北京国际智能网联汽车产业展览会”
全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”(展位号：2展馆T213)。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念
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低功耗SiC二极管实现最高功率密度
相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极
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SiC下，电源半导体如何应对能源问题
作为电力电子器件，SiC器件在低压领域如高端的白色家电、电动汽车等由于成本因素，逐渐失去了竞争力。但在高压领域，如高速列车、风力发电以及智能电网等，SiC具有不可替代性的优势。
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第三代半导体SiC在人工智能中的应用
2017年全球半导体产业受到存储器价格上扬、虚拟货币高涨、数据中心与云端企业因应人工智能(AI)应用大幅采用绘图处理器(GPU)，以及电竞比赛普及等带动，整体营收及获利明显增长，展望2018年全球半导体产业规模仍将持续成长……
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在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处
本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。
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ROHM带来车载电源IC和SiC的技术革新
近几年，家庭购置家用车越来越多的会选择电动汽车，这其中固然有国家的支持和补贴政策的因素，更重要的是，电动汽车本身也有几个优点足以打动消费者的心：首先是环保，电动汽车的百公里耗电量为15-20kwh，算上发电厂
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浅谈第三代半导体产业发展现状
材料、信息、能源构筑的当代文明社会，缺一不可。半导体不仅具有极其丰富的物理内涵，而且其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是世界各国争夺的战略阵地。
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QORVO新推GAN-ON-SIC晶体管，提高战术和公共安全电台的效率和带宽
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，该晶体管系列可以提高性能、增强功能，并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理，并且尺寸小巧，可以实现尺寸更小的新一代通信设备。
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ROHM全SiC功率模块的产品阵容更强大!
——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001)，有助于大功率应用的高效化与小型化全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出
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新材料江湖博弈之局，第三代半导体材料大势所趋
继第一代元素半导体材料(si)和第二代化合物半导体材料后，第三代禁带宽度半导体材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已经在获得了众多半导体厂商的认可。第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速
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