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GTAT专利技术Merlin助力光伏产业前行
多晶硅市场的发展与整个光伏产业的发展息息相关。在过去的几年里，整个光伏产业链都遇到了很多的问题，产能利用率并不是很高，很多中国的公司也受到了产业不景气的影响，几乎没有公司进行产能扩张。但是最近我们注意
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丰田用SiC开发出高效率功率半导体
丰田汽车公司与电装株式会社、丰田中央研究所株式会社合作，利用新材料SiC开发出了一种功率半导体。这种SiC功率半导体预计将用于控制混合动力车等的电动机驱动力的动力控制单元上，今后1年之内将会在公共道路上开始进
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CISSOID公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售CISSOID产品的经销协议
【导读】中国北京与比利时 Mont-Saint-Guibert，2014 年 5 月 5 日——高温及长寿命半导体解决方案方面的领先供应商 CISSOID 公司，宣布与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售其产品的重大经销协议。诺卫卡公司现
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安捷伦推出支持 SSIC、CSI-3 接口的协议分析仪
21ic讯 安捷伦科技公司日前宣布，用于下一代移动计算应用的 U4431A MIPI® M-PHY® 协议分析仪增加了 SSIC 和 CSI-3 支持。新增支持能够帮助研发和制造工程师深入分析 MIPI M-PHY 设计。CSI-3(数字相机串行接
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新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性，以升压斩波电路为载体，通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响，以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时，以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体加速导入 元器件厂商拼杀
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业
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碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
12月5日消息，据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各
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全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（Semiconductor Industry Association，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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