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碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。
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ROHM PLECS Simulator上线!实现电力电子电路的快速验证
中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS®*开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%!
中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
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绿色能源：基于GaN与SiC的高效电源转换系统设计
高效电源转换系统成为推动能源利用效率提升的核心技术，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理特性，正在重塑电源转换系统的设计范式，为数据中心、电动汽车、可再生能源等领域提供突破性解决方案。
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节能新选择：ROHM新型SiC塑封型模块全面上线唯样，助力高效功率转换
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Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案
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ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计!
中国上海，2026年3月5日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。
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氮化镓“攻入”汽车主驱深水区：VisIC如何用D型技术颠覆SiC的行业共识？
在第三代半导体的版图中，行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅（SiC）主导电动汽车高压主驱，氮化镓（GaN）则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器，是SiC的绝对专属领地。然而，VisIC的GaN将会改写这一格局，在80-350kW的大功率主驱逆变器中，氮化镓不仅能做高压，而且在效率、可靠性与系统成本上，正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
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Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程
2026年01月13日，比利时泰森德洛·哈姆——全球微电子工程公司Melexis宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思(Leapers)选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融合，共同致力于推动汽车与工业能源管理领域的发展。
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VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称"HKMC"）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 /美通社/ -- 电动汽车氮化镓（Ga...
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TrendForce集邦咨询: 2025年第三季度电动车SiC逆变器装机量创单季新高，渗透率上升至18%
Jan. 9, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，受惠于新能源车[注1]市场成长，2025年第三季全球电动车[注2]牵引逆变器总装机量达835万台，年增22%。纯电动车(BEV)及插电混合式电动车(PHEV)为主要动能来源，装机成长率分别为36%和13.6%。
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爱普科技扩大S-SiCap™技术应用版图 满足AI与HPC新需求
新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，S-SiCapTM（Stack Silicon Capacitor）产品线持续深化技术布局，聚焦AI服务器与高性能计算（HPC）的整合挑战。S-SiCapTM产品线涵盖分离式硅电容（...
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VisIC宣布完成2,600万美元B轮融资
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2025年12月11日 /美通社...
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破局固态断路器应用，安森美SiC JFET因何成为最优解
断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器 (EMB) 作为业界公认的标准器件，包含两个独立触发装置：一个是双金属片，响应速度较慢，由过电流触发跳闸；另一个则是电磁装置，响应速度较快，由短路触发启动。EMB 拥有设定好的跳闸电流（通常为固定值），具备瞬时跳闸（电磁触发）和延时跳闸（热触发/双金属片触发）两种特性，可稳妥可靠地应对短路与过载情况。
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EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析
本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性
薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性
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三安碳化硅芯片成功上车，携手理想开启战略合作新篇章
长沙2025年11月28日 /美通社/ -- 近日，三安光电旗下的湖南三安半导体有限责任公司（以下简称"湖南三安"）在长沙隆重举行以"全‘芯'力量，共赴理想"为主题的三安碳化硅芯片上车仪式。此次活动不仅是对湖南三安车规级碳化硅芯片在性能、可...
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800V高压平台“破局”：从SiC器件到扁线电机，全链路升级如何实现充电5分钟续航300公里？
当新能源汽车驶入“高压时代”，一场关于充电效率的革命正以摧枯拉朽之势重塑行业格局。2025年，800V高压平台渗透率从2022年的2.5%飙升至15%，主流车型充电时间压缩至12分钟，部分技术标杆甚至实现“充电5分钟续航300公里”的突破。这一跨越式发展的背后，是SiC功率器件、扁线电机、电池热管理等全链路技术的协同进化，共同编织出一张覆盖充电、驱动、热管理的技术网络。
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三安半导体携技术洞见亮相CPEEC & CPSSC 2025赋能高效能源未来
深圳2025年11月12日 /美通社/ -- 11月7日至10日，中国电源领域规模最大、影响力最广的行业盛会——CPEEC & CPSSC 2025在深圳宝安国际会展中心举办。三安光电旗下湖南三安半导体（以下简称"三安半导体"）作为国内碳化硅...
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体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
中国上海，2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。
