SIC

英飞凌 EasyPACK™ S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用

【2026年6月9日, 德国慕尼黑讯】无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33 x 36 mm²，在确保可靠热性能与低电磁干扰的同时，显著助力系统小型化。首批采用这种新封装方式的模块集成了英飞凌的 1200 V CoolSiC™ MOSFET G2以及IGBT4 和1200 V IGBT7 等技术。

罗姆参展PCIM Europe 2026

推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。

ROHM PLECS Simulator上线!实现电力电子电路的快速验证

中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS®*开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。

ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%!

中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。

绿色能源：基于GaN与SiC的高效电源转换系统设计

高效电源转换系统成为推动能源利用效率提升的核心技术，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理特性，正在重塑电源转换系统的设计范式，为数据中心、电动汽车、可再生能源等领域提供突破性解决方案。

节能新选择：ROHM新型SiC塑封型模块全面上线唯样，助力高效功率转换

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计!

中国上海，2026年3月5日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。

氮化镓“攻入”汽车主驱深水区：VisIC如何用D型技术颠覆SiC的行业共识？

在第三代半导体的版图中，行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅（SiC）主导电动汽车高压主驱，氮化镓（GaN）则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器，是SiC的绝对专属领地。然而，VisIC的GaN将会改写这一格局，在80-350kW的大功率主驱逆变器中，氮化镓不仅能做高压，而且在效率、可靠性与系统成本上，正展现出超越碳化硅的巨大潜力。

Melexis硅基RC缓冲器获利普思选用，携手开启汽车与工业能源管理技术新征程

2026年01月13日，比利时泰森德洛·哈姆——全球微电子工程公司Melexis宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思(Leapers)选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融合，共同致力于推动汽车与工业能源管理领域的发展。

VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投

VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称"HKMC"）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 /美通社/ -- 电动汽车氮化镓（Ga...

TrendForce集邦咨询: 2025年第三季度电动车SiC逆变器装机量创单季新高，渗透率上升至18%

Jan. 9, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，受惠于新能源车[注1]市场成长，2025年第三季全球电动车[注2]牵引逆变器总装机量达835万台，年增22%。纯电动车(BEV)及插电混合式电动车(PHEV)为主要动能来源，装机成长率分别为36%和13.6%。

爱普科技扩大S-SiCap™技术应用版图 满足AI与HPC新需求

新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，S-SiCapTM（Stack Silicon Capacitor）产品线持续深化技术布局，聚焦AI服务器与高性能计算（HPC）的整合挑战。S-SiCapTM产品线涵盖分离式硅电容（...

VisIC宣布完成2,600万美元B轮融资

VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2025年12月11日 /美通社...

破局固态断路器应用，安森美SiC JFET因何成为最优解

断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器 (EMB) 作为业界公认的标准器件，包含两个独立触发装置：一个是双金属片，响应速度较慢，由过电流触发跳闸；另一个则是电磁装置，响应速度较快，由短路触发启动。EMB 拥有设定好的跳闸电流（通常为固定值），具备瞬时跳闸（电磁触发）和延时跳闸（热触发/双金属片触发）两种特性，可稳妥可靠地应对短路与过载情况。

EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析

本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。

Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性

薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性