Keil C51对标准ANSIC的扩展的学习
日前,国际半导体产能统计(SICAS)2010年第二季度(4~6月)的半导体产能公布。虽然部分半导体厂商已经开始了增产投资,但因老生产线废弃,晶圆处理能力未能大幅提高。在这种情况下,由于晶圆投入量增加,半导体的整体
SICAS(一家国际半导体数据统计机构)统计的数据中,表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计,另一类工艺为双极工艺,通常用在模拟电路中。除了标有300mm硅片MOS之外,双极数据以5英寸等值硅片计,而分立器件以6英寸等值硅片
SICAS是一家国际半导体数据统计机构。它统计的数据中,表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计,另一类工艺为双极工艺,通常用在模拟电路中。除了标有300mm硅片MOS之外,双极数据以5英寸等值硅片计,而分立器件以6英寸等值
日本的SiC功率半导体元件(以下简称功率元件)业务开始全面启动。集结产官学力量,使日本获得该领域主导权的举动越来越活跃。SiC是继现有硅之后的新一代功率半导体的一种。特点是与硅功率元件相比,可以大幅削减逆变
目前,功率半导体受到越来越多的关注。这是因为在实现CO2减排及环保对策时,功率半导体起到的作用极大。比如在日本国内,“变频器家电(空调、洗衣机、冰箱)”已变得相当普遍。采用变频器可使电力效率获得飞跃性提高
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效率大于95%,内部软起动和软关断,主要用在笔记本电脑,台式电脑和服务器,数字HDTV和消费类电子,网络和通信设备,打印
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效率大于95%,内部软起动和软关断,主要用在笔记本电脑,台式电脑和服务器,数字HDTV和消费类电子,网络和通信设备,打印
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效率大于95%,内部软起动和软关断,主要用在笔记本电脑,台式电脑和服务器,数字HDTV和消费类电子,网络和通信设备,打印
东京工业大学教授小长井诚研究小组,大幅提高了利用硅量子点的太阳能电池的开放电压(Voc)及I-V特性形状因子(FF)数值。2010年3月10日,该消息是在应用物理学会举行的2010年春季应用物理学会学术演讲会的会前新闻发
目前,Vishay已成为堪称全球最大的分立半导体与无源电子元件制造商之一。其产品元件几乎用于所有的电子设备中,在工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场。本次参展IIC,Vishay不仅展示了其最新的产品资
全球芯片制造产能都有成长,但市场需求也是一样;根据国际半导体产能统计组织(Semiconductor International Capacity Statistics,SICAS)所公布的数据,目前数个先进制程领域的晶圆厂产能利用率都维持在九成以上。SI
半导体产能统计组织(SICAS)指出,全球芯片制造产能正在增长,同时需求也在增长,这使先进制程的产能利用率保持在90%以上。2009年第四季度全球晶圆厂产能利用率达到89.4%,较第三季度的86.5%有所增长,这是由SICAS在
按半导体国际产能统计(SICAS)公布的2009第四季有关产能及利用率的最新数据,摘錄部分数据并加以说明。从SICAS摘下的2009Q4最新数据与2008Q4比较,有以下诸点加以说明;1),总硅片产能09Q4与08Q4相比还是减少10,7%2),全球
按半导体国际产能统计(SICAS)公布的2009 第四季有关产能及利用率的最新数据,摘錄部分数据并加以说明。从SICAS摘下的2009 Q4最新数据与2008 Q4比较,有以下诸点加以说明;1),总硅片产能09 Q4与08 Q4相比还是减少10,7%2)
作为电力电子行业在中国的一大盛会,PCIM 2010中国上海展将为业界及学术专家奉上行业大餐,新产品也将在展会期间相继亮相,那就让我们先一堵为快吧。 作为新起之秀,西安明科微电子材料有限公司与西北工业大学合作开
编码器技术是风能获取的关键旋转编码器在风能产业中起着非常重要的作用,它提供了使用当前涡轮机中非常动态灵活的控制系统所必不可少的高分辨率反馈。选择合适的编码器将能够极大地增强系统以最佳功率输出运行的能力
昭和电工宣布,成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC(碳化硅)外延晶圆(EpitaxialWafer)。该晶圆的平滑性为0.4nm,较原产品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现单晶Si