-
昭和电工量产表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
昭和电工宣布，成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC（碳化硅）外延晶圆（Epitaxial Wafer）。该晶圆的平滑性为0.4nm，较原产品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现
-
Lasertec将上市SiC晶圆缺陷检查装置
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">Lasertec开始受理SiC晶圆缺陷检查装置“WASAVI系列CICA61”的订单。SiC晶圆正在功率元件领域普及。此次的产品主要用
-
环球电信公司联手Sicap公司在菲律宾推出USSD服务菜单
菲律宾领先电信企业环球电信公司（Globe Telecom）和面向移动运营商提供解决方案的Sicap公司共同宣布，推出动态下拉式菜单内容服务，以便用户发现和使用服务。选择Sicap公司的USSD菜单浏览器（UMB）软件，意味着环球
-
优化上料组合、提高生产率
随着SIPLACE SiCluster Professional优化软件的面世，西门子电子装配系统有限公司(SEAS)进一步扩大了其面向电子制造行业的智能设换线方案的产品组合范围。除了能够根据产品的特点进行分组生产，SIPLACE SiCluster Pr
-
SICAS认为全球半导体业已停止出售工厂
芯片制造产能的下降及随着需求市场的增长芯片制造业开始停止出售工厂。按半导体国际产能统计（SICAS）组织的数据,在先进制程方面的产能利用率已上升到超过90%。全球fab的产能利用率在2009年第三季度的平均值己从第二
-
垂直分层空时码系统信号检测算法的研究
主要介绍了基于多输入多输出(MIMO)传输方式的垂直分层空时码系统(V—BLAST)空时码系统的检测算法，并把它与传统的MIMO信号检测算法进行了分析和比较，仿真得出相关结论。
-
SiC元件普及还需突破三大障碍
SiC元件普及还需突破三大障碍 SiC元件价格下降的前景虽然看到，但要确保SiC元件普及，还需解决三大课题。即①进一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品质；③开发可充分发挥SiC元件优点的周边技术。 在①的元件
-
SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
使用国产6H—SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
-
新日铁开展SiC晶圆业务，“质量不输美国可瑞”
新日本制铁(新日铁)着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC(碳化硅)晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圆。此前新日铁一直提供试制用晶圆的样品，而此次
-
天科合达将高质量碳化硅晶圆价格推向历史新低
目前，半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料，SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料，可广泛用于制造半导体照明、微电子、电力电子等半导体器件。 根据权
-
第三代碳化硅肖特基二极管（英飞凌）
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界
-
第三代碳化硅肖特基二极管（英飞凌）
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界
-
SICAS：第三季度半导体产能利用率降至86.9% 先进制程需求保持强劲
国际半导体产能统计组织（SICAS）发布的报告显示，第三季度半导体产业产能利用率继续走低。然而，不同类别产品之间的差异之大让人吃惊。 第三季度产能利用率从第二季度的88.5%降低至86.9%。这是近两年来的新低，2
-
埃及Orascom有意与奥地利电信合并
C114 9月10日消息（张月红编译）据报道，埃及电信运营商Orascom与奥地利电信公司正在谈判合并事宜，奥地利电信控股股东是国企OeIAG公司，但其最大的股东是其政府部门。OeIAG执有奥地利电信27.37%的股权，其余的在股票
