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谷歌苹果出席参议院听证会为隐私政策辩护
新浪科技讯 北京时间5月11日凌晨消息，苹果和谷歌周二出席了美国参议院举行的听证会上，对各自的隐私政策进行了辩解。 苹果软件业务副总裁盖伊•特里布尔(Guy Tribble)说，“苹果致力于保护我们所有用户的
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未来五年将会是LED产业的黄金增长期
led被称为第四代照明光源或绿色光源，是一种半导体固体发光器件。在1955年时，美国无线电公司的RubinBraunstein发现了砷化镓（GaAs）及其他半导体合金的红外线放射作用，1962年美国通用电气公司（GE）的NickHolonyak
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LED外延片介绍及辨别质量方法
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激
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新日铁与科锐签订SiC基板专利相互授权协议
2011年4月25日在东京都内召开了新闻发布会。（点击放大） 新日本制铁（新日铁）与美国科锐就新一代功率半导体等采用的SiC基板，签订了双方在全球所拥有专利的相互授权协议。双方可相互利用SiC块体基板和外延基板方
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新日铁增加SiC基板产能，2011年内上市外延基板
新日铁的SiC基板产品群（点击放大） 基板质量出色（点击放大） 新日本制铁（新日铁）计划在2012年3月底之前，将新一代功率半导体用4英寸（100mm）以下口径的SiC基板产能增至目前约3倍的1000枚/月。为满足SiC基
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飞兆半导体收购TranSiC公司 试水碳化硅领域
为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor） 宣布收购碳化硅 （Silicon Carbide; SiC） 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术
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飞兆收购TranSiC 引入碳化硅技术扩展产品创新
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、
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飞兆收购TranSiC 引入碳化硅技术扩展产品创新
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、
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飞兆半导体收购SiC公司TranSiC
飞兆半导体公司日前发布声明，称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC，但交易金额并没有透露。 飞兆半导体董事会主席、CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出：“碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOS
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SiC基板专利综合实力前三位为电装、科锐、新日本制铁”
Patent Result的分析结果。（点击放大） 从事专利分析等业务的日本Patent Result，公布了用于制造SiC功率半导体元件的SiC基板相关专利的调查结果。结果显示，日本电装在“综合实力排名”中位居首位，第二位是美国
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飞兆半导体收购SiC公司TranSiC
飞兆半导体公司日前发布声明，称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC，但交易金额并没有透露。 飞兆半导体董事会主席、CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出：“碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOS
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瑞萨将上市SiC功率半导体
瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因
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【基板开发最前沿（二）】科锐及罗姆展现的SiC基板的未来
图：科锐的SiC基板。左为功率元件用4英寸品，右侧为LED用6英寸品（点击放大） “基板开发最前沿”的第二篇介绍SiC基板厂商的举措。目前使用SiC的功率半导体元件（以下称功率元件）比IGBT等Si制功率元件更有望使逆
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预估台积电2011年营收4811亿元，毛利率48.39%，税后EPS 6.59元
1.台积电对1Q11合并营收预估1,050~1,070亿元，QoQ-2.8~-4.6%；毛利率47~49%；营业利益率35~37%。IBTSIC预估台积电1Q11营收1,063亿元，QoQ-3.45%，毛利率48.17%，税后净利374.96亿元，税后EPS 1.45元。 2.IBTSIC预
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阿丽亚娜公司将为法意发射军事通信卫星
欧洲阿丽亚娜空间公司6日宣布，该公司将为意大利特莱斯帕齐奥电信公司发射一颗军事通信卫星。这颗名为Sicral-2的卫星重达4.4吨，由泰雷兹阿莱尼亚宇航公司为意大利国防部和法国武器装备总署设计制造。根据已签署的协
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罗姆丰富产品线亮相高交会
在第12届高交会电子展上，罗姆（ROHM）展出了通过自身研发、收购整合等途径不断变宽的产品线，及适用于汽车电子、LED、白色家电、IPC、手机等领域的系统解决方案。其中ROHM和OKI 半导体共同开发完成的面向Intel Atom
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罗姆加强中国布局，积累三大产品线优势
上个世纪五十年代创立初期，ROHM（罗姆）生产销售的产品只有电阻，六十年代末七十年代初，ROHM开始进入晶体管、二极管和集成电路等半导体领域，并成为了第一家进入美国硅谷的日本企业，在硅谷开设了IC设计中心。而今
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TriQuint在第10届IEEE国际固态集成电路技术会议 (ICSICT) 上发表讲演
全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商 TriQuint 半导体公司（纳斯达克：TQNT）今日宣布，TriQuint半导体公司的高级射频设计工程师 Wen Chen 女士将应邀在2010年11月4日在上海举行的第10届IEEE国际固
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富士电机开发出SiC功率元件用小型封装
富士电机开发完成了用于SiC功率半导体元件（以下：功率元件）的新封装。据富士电机介绍，体积约为原来Si功率元件封装的1/4。另外，通过采用无需引线键合的布线技术、低热电阻的绝缘底板及耐热性较高的封装树脂等，实
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Cree推出口径为6英?的SiC底板
美国LED芯片龙头Cree发?了口径为6英?，约150mm的SiC底板，6英?产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于LED、高频元件及功率半导体元件。 Cree目前SiC底板口径以4英?为主，6英?底板不但可以提高生产效率，还可削减
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林翊宸爸爸
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