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力成蔡笃恭：未来几年封装将有革命性改变

内存封测大厂力成(6239)昨日召开法说会，董事长蔡笃恭表示，将今年资本支出从新台币90亿元提高至120亿元，除了扩厂增加产能外，未来几年封装将会有革命性改变，力成正准备因应，明年盖厂，后年投产。蔡笃恭表示，

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2010-07-30

封装 DRAM LAB 内存
先进制程转换Q4全球DRAM市场趋向供过于求

DigitimesResearch分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举

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2010-07-30

先进制程 BORDER DDR3 DRAM
力成蔡笃恭：Mobile支撑业绩走强下半年逐季成长5-7%

DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(29)日召开法说会，董事指蔡笃恭表示，虽然市场上对DRAM景气持保守看法，不过随着苹果 (AAPL-US)iPad上市与一般智能型手机销售畅旺带动，Mobile DRAM需求仍相当强劲，将能支撑力成下半

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2010-07-30

IPAD MOBILE DRAM 内存
DRAM回春力成赚半个股本瑞晶EPS3.09元

内存封测大厂力成(6239)昨(29)日召开法说会，公布第二季营收 92.87亿元，季增7.4％，单季税后净利35.79亿元，均优于公司预估值，每股盈余达5.34元，力成董事长蔡笃恭表示，力成第三季营收，可望再增加5-7％，全年营收

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2010-07-30

电子 EPS DRAM
EUV要加大投资强度

未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的CJMuse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其

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2010-07-29

EUV GLOBALFOUNDRIES FAB DRAM
先进制程转换Q4 全球DRAM市场趋向供过于求

DigitimesResearch分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举

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2010-07-28

先进制程 DIGI DDR3 DRAM
先进制程转换 Q4全球DRAM市场趋向供过于求

Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此

智能硬件
2010-07-28

先进制程 DIGI DDR3 DRAM
惠瑞捷子公司推出用于高级DRAM测试的全晶圆探针

半导体测试公司惠瑞捷 (Verigy)旗下全资子公司 Touchdown Technologies 推出了其 1Td300 全晶圆探卡，这是该公司首款用于高级 DRAM 存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对 300 mm或200 mm 晶圆进行高并行

测试测量
2010-07-28

晶圆 HD TECHNOLOGIES DRAM
惠瑞捷子推出用于高级DRAM测试全晶圆探针

半导体测试公司惠瑞捷(Verigy)旗下全资子公司TouchdownTechnologies推出了其1Td300全晶圆探卡，这是该公司首款用于高级 DRAM存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对300mm或200mm晶圆进行高并行测试(hi

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2010-07-27

晶圆 HD TECHNOLOGIES DRAM
日月光强势展开填权息法人估Q2 EPS高于公司预期

IC封测龙头厂日月光(2311-TW)今(27)日进行除权息交易，每股配发0.36元现金股利与 1 元股票股利，虽然封测族群第 3 季旺季效应恐不如以往，不过市场仍看好日月光发展新制程技术的进度，早盘买盘随即进场推升，盘中最

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2010-07-27

芯片制程技术 EPS DRAM
DRAM封测价无下跌空间

由于DRAM厂新制程转换速度加快，7月以来DRAM产出量明显放大，虽然价格持续缓跌，但对后段封测厂来说，订单仍然持续涌入，包括力成（6239）、华东（8110）、福懋科（8131）、泰林（5466）等业者均表示，订单能见度已达

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2010-07-27

计算机 GB DDR3 DRAM
IC封测法说登场，硅品、日月光Q3成长有限

本周台股进入法说会旺季，IC封测厂系由硅品(2325)打头阵、于28日率先登场，之后分别由力成(6239)、日月光(2311)接棒。近期市场信息多空杂陈，尤其对照先前于股东会时所释放的乐观看待，硅品、日月光对于第三季的展

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2010-07-26

Flash IC NAND DRAM
尔必达飞索结盟形成全球第5大NAND Flash阵营

DRAM大厂尔必达(Elpida)和NOR Flash大厂飞索(Spansion)宣布结盟，将共同开发NAND Flash技术和产品，尔必达取得相关专利，未来将以日本广岛12?厂做为生产基地，初期从43纳米切入，未来再导入32纳米，全面抢进NAND

消费电子
2010-07-26

尔必达 Flash NAND DRAM
封测法说开跑铜制程、H2展望、市场供给量将成关注焦点

下周起第 2 季半导体封测族群法说开始鸣枪起跑，三大家IC封测更是排排站依序举行，首先由7/28的硅品(2325-TW)鸣枪起跑，接续在后的是7/29的 DRAM大厂力成(6239-TW)以及7/20的龙头日月光(2311-TW)，预期铜制程的进度

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2010-07-25

半导体晶圆代工电子产业 DRAM
华东7月营收挑战新高

内存封测厂华东科技昨（23）日举行建厂15周年暨B15新厂启用典礼，董事长焦佑衡表示，华东科技第三、四季产能持续满载，新厂加入后，明年营收挑战100亿元历史新高。华东科技总经理于鸿祺表示，DRAM复苏趋势确立

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2010-07-24

东芝封装 DRAM 内存
华东科技新厂启用黄崇仁：DRAM可望维持2、3年稳定期

内存封测代工厂华东科技，昨日举办新厂启用典礼，以贵宾身分出席的力晶董事长黄崇仁表示，近期ＤＲＡＭ价格走跌，是自然性跌价，并非恶性竞争跌价，他对ＤＲＡＭ后市展望依然乐观，预期ＤＲＡＭ产业可望维持2、3年

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2010-07-24

笔记本电脑 DRAM 内存
焦佑衡：订单将涌入，华东新产能很快就会填满

主掌华科事业群(PSA)电子零组件业务的焦佑衡表示，今年4、5月强劲的需求超乎往年水平，6月份的确有点回软，7月的一开始也是差不多的情况，不过就在这一两天，感觉到欧洲市场需求回来了。整体而言，第三季景气不能

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2010-07-23

电子 PCBA DRAM 内存
南亚科、华亚科三度上修资本支出　提前布局42纳米

台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50纳米制程转换吃足苦头，第2季仍处于亏损状态，近期决定全面加速转进42纳米，南亚科42纳米制程更将抢先在2010年第4季进入量产，全力转亏为盈，并共同宣布三度上修资本支出，南亚

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2010-07-23

美光尔必达 MICRON DRAM
企业节省支出　惠瑞捷：测试业景气依旧疲软

自动测试(ATE)设备商惠瑞捷策略营销部副总裁Mark Allison表示，2010年内存测试景气依旧疲软，主因是测试设备的资本支出尚未有所提升。他认为，新的晶圆厂有新的产出恐怕得等到2011年，同时，内存制造厂仍使用旧型、

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2010-07-23

测试机 DDR3 DRAM 内存
Immersion机台缺货台DRAM厂改采购旧机种应急

全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(ImmersionScanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时；存储器业者透露，尔必达(Elpida)阵

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2010-07-22

尔必达 IMMERSION SCANNER DRAM

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力成蔡笃恭：未来几年封装将有革命性改变

先进制程转换Q4全球DRAM市场趋向供过于求

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EUV要加大投资强度

先进制程转换Q4 全球DRAM市场趋向供过于求

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DRAM封测价无下跌空间

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尔必达飞索结盟形成全球第5大NAND Flash阵营

封测法说开跑铜制程、H2展望、市场供给量将成关注焦点

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华东科技新厂启用黄崇仁：DRAM可望维持2、3年稳定期

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南亚科、华亚科三度上修资本支出　提前布局42纳米

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