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制程转进成本下降 DRAM业明年可持续获利
针对 DRAM 厂明年获利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降， DRAM 厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者，今年营业利益率平均
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三星46nm良率提升DRAM价格有望持续下降
台湾媒体报道，受到三星46nm制程工艺DRAM芯片良率提高的利好消息影响，DRAM内存芯片的期货价格有望在7、8月份持续下跌。业界消息称，三星目前向PC厂商供应的2GBDDR3价格已经从先前的45美元下降到了40美元。消息称，随
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三星46nm良率提升 DRAM价格有望持续下降
台湾媒体报道，受到三星46nm制程工艺DRAM芯片良率提高的利好消息影响，DRAM内存芯片的期货价格有望在7、8月份持续下跌。业界消息称，三星目前向PC厂商供应的2GB DDR3价格已经从先前的45美元下降到了40美元。消息称，
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DDR3 2Gb将成主流，封测厂成长动能将受影响
DDR3 今年已经完全取代DDR2，本土DRAM厂配合市场趋势也陆续转进生产DDR3，而在容量规格上面，下半年也将会看到DDR3 2Gb产品将上市，其中南科(2408)就表示，8月份开始，12吋厂将会全部投入DDR3 2Gb，预料最快明年DD
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内存产出增加 封测厂下半年订单无虞
内存产出持续增加，有利于后段封测厂的接单，封测厂不仅陆续调高资本支出，也普遍看好下半年的营运。其中力成科技下半 年订单能见度十分明朗，营运可望呈现逐季走扬势。该公司封装及测试产能利用率都将维持在95%的满
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大摩王安亚：铜制程明年营收成长放缓 较看好内存封装股
摩根士丹利证券半导体产业分析师王安亚今天发布封测产业报告指出，铜制程不利封装业者中长期营收的成长，明后年将看到年增率放缓至个位数；相对于IC逻辑封装，从事内存封装的力成(6239-TW)较有成长空间，为封装类股
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TIMC败部复活投入闪存产业再造
台湾创新记忆体公司TIMC，在整合DRAM受挫后，各界一度以为(宣明智)白忙一场，不过经济部通过TIMC与茂德、翔淮先进光罩及晶豪科等公司合作，共同投入双子星技术开发，让TIMC败部复活，TIMC表示，目前储存型快闪记忆体
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点阵式液晶字符反白和图形显示研究
本文采用以ST7920为控制器的YMl2864R构成了自动监控型独立通气笼盒(Individually Ventilated Cages，IVC)系统的人机界面显示部分；给出了点阵液晶显示模块与单片机之间的硬件接口设计；介绍了液晶模块文本显示和绘图显示的基本特性及实现，并重点介绍了任意字符反白和任意位置任意大小图形显示的方法。
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Gartner预测DRAM内存降价趋势将持续到年底
由于芯片厂商提高产量和PC厂商坚持反对价格进一步上涨的强硬立场，DRAM内存价格在今年 6月出现了一年以来的首次下降。 内存芯片价格下降对 于每个购买新PC的用户来说都很重要，因为昂贵的DRAM内存芯片价格是PC价格
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尔必达发布首款自行开发制造的图形DRAM
尔必达内存发布了首款自行开发制造的图形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戏机及个人电脑的图形处理用途之外，还面向科学计算、物理模拟及数字图像处理等的GPU（图形处理器）用途。将
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陆行之升4面板目标价
花旗环球证券亚太区半导体首席分析师陆行之昨（4）日一口气调升友达（2409）、奇美电（3009）、达虹（8056）、联咏（3034）等4文件面板概念股目标价，但也提醒，友达因营业利率走跌与需提列面板价格控管费用，去（20
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李志村：台胜科全年满载，产品涨价，逐季成长
台塑集团旗下的半导体硅晶圆厂商台胜科(3532)于28日召开股东常会，董事长李志村表示，台胜科今年以来不论在八吋厂或十二吋厂都是满载生产，但目前还不够的是「价格还需要再上涨」，李志村表示，台胜科自今年1月起就恢
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蔡力行：台日连手 抢进大陆
因应大陆由世界工厂转为全球市场，台湾半导体协会理事长暨台积电新事业总经理蔡力行昨（25）日表示，台湾居于有利地位，尤其台湾半导体有很强的垂直整合供应链，日本则具备先进技术优势，台日连手有助抢进大陆市场
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借世界杯3D概念热潮 3D芯片联盟诞生
又一个3D(三维)芯片联盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一项3D多项目晶圆(MPW)服务，以Tezzaron公司的3D芯片技术和GlobalFoundries公司的130纳米CMOS代工工艺为基础。多年以来，Tezzaron一直在致力于研发
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今年晶圆设备销售成长率上看113%
随着IC需求持续成长，市场研究机构Gartner再度上调2010年全球晶圆制造厂资本支出预测值。由于各大晶圆厂快速扩张45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造业者转型至3x节点(3xnode)制程，该机构预测，2010年晶圆制造设备销
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Gartner：今年半导体设备市场急速膨胀
进入2010年后，全球半导体接连扩大设备投资，将使半导体设备市场急速膨胀。据市调机构Gartner预测统计，因全球半导体企业自2009年底开始为因应逐渐转好的市场情况，纷纷进行大规模投资，2010年如光学设备等半导体制造
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尔必达将与联华电子将研发新技术
「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。
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新创公司企图以STT-RAM取代今日主流内存
今日主流内存技术的末日即将来临？一家专精自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美国硅谷新创公司 Grandis 日前发表了更新的产品蓝图，并宣示以这种新一代 MARM 取代 D
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联电私募 传尔必达策略结盟
联电昨日与尔必达、力成签订直通硅晶穿孔（TSV）技术合作开发合约，市场则再度传出，尔必达将是联电私募案引进策略合作伙伴的口袋名单之一，且双方未来不排除朝向交叉持股的合作方向进行。唯联电及尔必达对此一市场消
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联电尔必达力成 合攻3D IC
联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生
