-
Gartner预测DRAM内存降价趋势将持续到年底
由于芯片厂商提高产量和PC厂商坚持反对价格进一步上涨的强硬立场，DRAM内存价格在今年 6月出现了一年以来的首次下降。 内存芯片价格下降对 于每个购买新PC的用户来说都很重要，因为昂贵的DRAM内存芯片价格是PC价格
-
尔必达发布首款自行开发制造的图形DRAM
尔必达内存发布了首款自行开发制造的图形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戏机及个人电脑的图形处理用途之外，还面向科学计算、物理模拟及数字图像处理等的GPU（图形处理器）用途。将
-
陆行之升4面板目标价
花旗环球证券亚太区半导体首席分析师陆行之昨（4）日一口气调升友达（2409）、奇美电（3009）、达虹（8056）、联咏（3034）等4文件面板概念股目标价，但也提醒，友达因营业利率走跌与需提列面板价格控管费用，去（20
-
李志村：台胜科全年满载，产品涨价，逐季成长
台塑集团旗下的半导体硅晶圆厂商台胜科(3532)于28日召开股东常会，董事长李志村表示，台胜科今年以来不论在八吋厂或十二吋厂都是满载生产，但目前还不够的是「价格还需要再上涨」，李志村表示，台胜科自今年1月起就恢
-
蔡力行：台日连手 抢进大陆
因应大陆由世界工厂转为全球市场，台湾半导体协会理事长暨台积电新事业总经理蔡力行昨（25）日表示，台湾居于有利地位，尤其台湾半导体有很强的垂直整合供应链，日本则具备先进技术优势，台日连手有助抢进大陆市场
-
借世界杯3D概念热潮 3D芯片联盟诞生
又一个3D(三维)芯片联盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一项3D多项目晶圆(MPW)服务，以Tezzaron公司的3D芯片技术和GlobalFoundries公司的130纳米CMOS代工工艺为基础。多年以来，Tezzaron一直在致力于研发
-
今年晶圆设备销售成长率上看113%
随着IC需求持续成长，市场研究机构Gartner再度上调2010年全球晶圆制造厂资本支出预测值。由于各大晶圆厂快速扩张45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造业者转型至3x节点(3xnode)制程，该机构预测，2010年晶圆制造设备销
-
Gartner：今年半导体设备市场急速膨胀
进入2010年后，全球半导体接连扩大设备投资，将使半导体设备市场急速膨胀。据市调机构Gartner预测统计，因全球半导体企业自2009年底开始为因应逐渐转好的市场情况，纷纷进行大规模投资，2010年如光学设备等半导体制造
-
尔必达将与联华电子将研发新技术
「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。
-
新创公司企图以STT-RAM取代今日主流内存
今日主流内存技术的末日即将来临？一家专精自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美国硅谷新创公司 Grandis 日前发表了更新的产品蓝图，并宣示以这种新一代 MARM 取代 D
-
联电私募 传尔必达策略结盟
联电昨日与尔必达、力成签订直通硅晶穿孔（TSV）技术合作开发合约，市场则再度传出，尔必达将是联电私募案引进策略合作伙伴的口袋名单之一，且双方未来不排除朝向交叉持股的合作方向进行。唯联电及尔必达对此一市场消
-
联电尔必达力成 合攻3D IC
联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生
-
联电与力成及尔必达28奈米TSV技术合作 最快2012年量产
晶圆代工大厂联电(2303-TW)今天与DRAM模块厂力成(6239-TW)日本尔必达(Elpida)(6665-JP)共同宣布针对包括28奈米先进制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技术进行合作。 联电执行长孙世伟表示，有鉴于摩尔定律的成长已经趋缓
-
签订3D IC技术合约 蔡笃恭：技术到位后自然有市场需求
力成董事长蔡笃恭今日表示，只要3D IC的TSV技术率先达成熟阶段，市场需求自然会浮现。(巨亨网记者蔡宗宪摄) 日本DRAM晶圆大厂尔必达(6665-JP)，台湾晶圆代工大厂联电(2303-TW)以及DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(21
-
力晶首季销售激增逾8成跃居全球第5大DRAM供应商
研究机构iSuppli表示，力晶2010年首季销售季成长81%，已跃居全球第5大DRAM供应厂。全球DRAM产业首季营收比前1季成长8.8%，根据iSuppli的资料，前5大DRAM厂约占全球整体DRAM产业营收的91%，前2大厂三星电子(SamsungEl
-
海力士：无锡封测厂可月产1亿颗1GB DRAM
全球第2大内存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，该公司已与大陆厂商无锡太极实业(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江苏省无锡市建成第二座内存厂房，名称为「高科技半导体封装测试公司(HitechSemiconductorPackage
-
联电、尔必达、力成挥军铜制程3D芯片
联电（2303）、尔必达（Elpida）、力成（6239）等3家半导体大厂今（21）日将宣布策略合作，据了解，3家业者将针对铜制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技术进行合作开发，除了针对3D堆栈铜制程之高容量DRAM技术合作
-
海力士中国大陆第2座存储器封测工厂落成
韩联社(Yonhap)报导，海力士(Hynix Semiconductor)在中国大陆的第2座存储器封测工厂已落成。这座厂房名为Hitech半导体封装测试公司，位于江苏无锡，是与无锡太极实业合资的企业，由海力士持有45%股权，太极实业拥有剩
-
南亚科、瑞晶40纳米6月导入全面反制三星大扩产计画
继三星电子(SamsungElectronics)宣布大手笔资本支出，台系DRAM厂亦不甘示弱，台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入42及45纳米制程，较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示，
-
南亚科、瑞晶40纳米6月导入 全面反制三星大扩产计画
继三星电子(Samsung Electronics)宣布大手笔资本支出，台系DRAM厂亦不甘示弱，台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入 42及45纳米制程，较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示
