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[导读]LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点

新闻摘要:

·16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶,它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位。

·基于UFS的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量,从而使手机设计更加轻巧。

爱达荷州博伊西,2019年8月15日——美光科技股份有限公司今天宣布推出业内容量最高的单片式16Gb低功耗双倍数据率4X(LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X能够在单个智能手机中提供高达16GB1的低功耗DRAM(LPDRAM),显示了美光为当前和下一代移动设备提供卓越内存容量和性能的前沿地位。

美光 LPDDR4X基于UFS多芯片封装(uMCP4),满足了移动设备制造商对于低功耗以延长电池寿命,以及更小尺寸、纤薄设计、有吸引力的设备外形的需求。美光已经开始批量生产其LPDDR4X和uMCP4,引领行业向1z纳米工艺节点过渡。

“数据密集型移动应用程序不断推动着消费者对于大容量内存和存储的需求,这种需求不仅出现在旗舰智能手机中,而且出现在中高端移动设备中,”美光科技移动产品事业部高级副总裁兼总经理Raj Talluri博士表示,“新一代16Gb LPDDR4X旨在满足当今数据密集型应用程序的需求,同时确保满足未来边缘端高级人工智能处理和高带宽5G应用的需求。”

美光LPDDR4X在同等尺寸条件下为分立式设计和低功耗多芯片封装提供了更高的密度,以满足更广泛的智能手机用户群体的需求。新兴的5G移动技术需要一个能够提供更高数据率和实时数据处理的内存子系统,从而为移动设备用户提供绝佳的体验。

美光1z纳米LPDDR4X产品具备业界最低的能耗,同时保持了LPDDR4最高的时钟频率,高达4,266兆位/秒(Mbps)。与上一代针对4K视频播放等内存密集型应用的解决方案相比,美光1z纳米LPDDR4X的能耗降低了10%。LPDDR4X作为目前业内最高容量的单片式16Gb LPDDR4X裸晶(单个封装中堆叠多达8个裸晶),与前几代LPDDR4相比,可在不增加封装尺寸的条件下,实现内存容量的翻倍。

美光LPDDR4X内存解决方案现已批量供货,提供分立式解决方案和八种不同配置的基于UFS的多芯片封装(uMCP4),可选择范围从64GB+3GB组合至256GB+8GB组合。uMCP4满足了日益增长的中高端市场对于类似旗舰智能手机性能的内存需求。


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