CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

11月15日，高温半导体解决方案商CISSOID宣布与湖南国芯半导体科技有限公司签署战略合作协议，双方将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。

宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中为充分发挥宽禁带功率模块的优势，需要驱动器在耐高温、可靠性和保护机制等方面提供充分支持。

CISSOID公司是来自比利时的高温半导体解决方案领先厂商，拥有在航空航天、石油、汽车等多个要求严苛的领域验证过的、应用超过10年的驱动器产品，这些驱动器产品具有耐高温、高可靠性、高鲁棒性等特性，可以助力宽禁带半导体功率模块在各类系统应用中充分发挥其性能优势。

国芯科技是由中车时代电气联合长安汽车、南方电网、格力电器、中环股份等8家企业共同出资成立的集研发、检测、技术服务于一体的高新企业，主要开展先进IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率RF，以及SiC、GaN等宽禁带功率半导体材料、器件及技术的研究开发。

国芯科技携手中国IGBT技术创新与产业联盟成立了功率半导体创新中心，旨在开展功率半导体产业共性技术研发、相关产品开发、科技成果转移扩散、技术孵化和商业化应用等工作，并提供设计、检测等技术服务，进行人才培养和国际交流合作。目前，该创新中心已正式获批成为湖南省制造业创新中心，正致力于建设升级为国家级制造业创新中心，打造成中国功率半导体产业生态聚集圈。

国芯科技总经理戴小平表示，“很高兴可以与CISSOID公司签署战略合作协议，CISSOID公司多年来在高温驱动器和高温封装方面的技术可以助力宽禁带功率模块在系统级上实现耐高温、高能量密度，同时可极大地提高电控系统的可靠性。我们将与CISSOID公司合作研发宽禁带功率技术、模块及系统应用，进而推动宽禁带半导体技术在中国加速发展。”、