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[导读]1、三星电子量产20纳米4Gb DDR3三星电子近日宣布正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,创新性地研发出“改良版双重照

1、三星电子量产20纳米4Gb DDR3

三星电子近日宣布正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,创新性地研发出“改良版双重照片曝光技术”和“超薄介电层成型技术”,开创了内存存储器制造技术的新纪元。

新一代20纳米DDR3 DRAM的生产率比25纳米DDR3提高了30%以上,更比30纳米级DDR3提高了超过一倍。同时,基于20纳米的DDR3 DRAM模组的耗电量同比基于25纳米的DDR3降低了25%,将为全球IT企业提供最优质的“超节能绿色IT方案”。

21ic新闻大爆炸:三星电子量产20纳米4Gb DDR3

21ic编辑视点:三星电子一直是DRAM领域的领导,2013年第四季度,三星电子以48.9%的市场份额继续领跑全球移动DRAM市场。在智能手机和平板电脑的刺激下,超小型的DRAM的需求越来越大。三星电子正式量产世界最小型4Gb DDR3必能第一时间抢占市场。

2、三星PCB工厂遭大火 Galaxy S5或受影响

据外媒SamMobile报道,负责为Galaxy S5生产PCB电路板的一家工厂周日发生大火,这可能会影响这款旗舰的上市计划。据称火灾发生在当天早上7点,虽然消防人员迅速达到现场,然而大火仍花了6个小时才被扑灭。据称火灾引起的大火让当地调用了80辆消防车,并有287名消防人士参与了此次的扑灭工作,初步估计造成的设备和零部件损失将高达10亿美元。

21ic新闻大爆炸:三星电子量产20纳米4Gb DDR3

21ic编辑视点:三星Galaxy S5定于4月11日在全球超过150个国家上市,很多用户也做好了入手的准备,但是在生产方面却很不顺利:先是指纹识别传感器面临产能不足,现在又碰到了工厂大火的麻烦。尽管三星并未表示会延迟Galaxy S5上市,不过该公司在找其他工厂提供PCB电路板资源。所以现在就断定Galaxy S5是否延期发布还为时过早,我们只能希望它的上市不会遭延误。

3、国产IGBT功率器件步入快速发展阶段

据了解,国内IGBT市场近年呈现出持续快速增长的势头,预计至2013年末,国内IGBT功率器件的市场规模将近70亿元人民币,同比增长大约15%左右;2013年至2015年,国内IGBT功率器件市场规模的年均复合增长率将达到18%左右。

与此同时,由于新型功率器件和集成控制器的大量涌现,以及电力电子转换技术的不断进步,在各厂商对新型功率器件的迫切需求下,功率半导体器件正快速地向高温、高频、低功耗、高功率容量,以及智能化、系统化、高度集成方向发展,整体性能更适用于严酷的工业环境。对于国内本土功率器件厂商来说,由于意识到技术突破的重要性,国内企业一直致力于实现尖端产品的国产化进程。

21ic新闻大爆炸:三星电子量产20纳米4Gb DDR3

21ic编辑视点:当前,在日益严峻的环境问题和能源消耗的压力之下,绿色能源领域正成为世界各国的发展目标,由此也带动了整个功率半导体行业的发展,尤其是功率半导体核心器件——IGBT。在中国,为了适应大环境的需求,扶持相关企业的健康发展,国家在新能源、节能环保方面也出台一系列支持性的政策措施,在政府和市场的双重推动下,功率半导体行业正面临着重要的发展机遇。

4、国内变频器行业升温 低压变压器仍为弱势

近年来中国变频器产品行业工业总产值增长迅速,在与国外知名变频器品牌的产品竞争中,国内变频器企业在巩固中低压变频器市场地位的同时,更加速推进高端化的产品结构转型,通过与变频器用户深入交流,应用前沿技术,开发生产令用户满意的高端变频器产品。

虽然中国变频器行业起步较晚,国产变频器设备生产企业在技术和品牌影响力等方面与国际品牌尚有差距,但国内变频器设备生产企业并不甘于现状。相反,国内变频器生产企业正视起步晚,技术差距这些弱势。长期摸索,整合资源通过点滴积累,实现技术突破,近年来bian,在国内变频器市场逐步取得了不错的成绩。

21ic新闻大爆炸:三星电子量产20纳米4Gb DDR3

21ic编辑视点:国内变频器设备生产企业在市场份额上已经超越进口变频器产品,国内变频器企业正不断缩小与国外企业的技术差距,通过技术攻关和质量控制,在保证质量的基础上,确立了国产变频器产品的本土化应用竞争优势,填补了变频器产品的应用空白。另一方面,国内变频器企业在巩固中低压变频器市场地位的同时,应加速推进高端化的产品结构转型,通过与变频器用户深入交流,应用前沿技术,开发生产令用户满意的高端变频器产品。

5、石墨烯落马 世上最薄太阳能电池研制完成

维也纳技术大学的研究者们宣布他们开发出了世界上最薄的太阳能电池,材料并不是石墨烯,而是一种叫硒化钨的新材料。这种材料能够吸收光,因此适合用来制造太阳能电池。整个结构由一层钨分子和夹着它的两层硒分子组成。硒化钨电池非常之薄,95%的光都能够穿过它,意味着这5%以外的都有被转化成电力的可能性,使得这种电池的效率非常高。研究小组认为这种电池可以大量覆盖在建筑物表面,不影响光照的情况下还能提供电力,可谓完美。

21ic新闻大爆炸:三星电子量产20纳米4Gb DDR3

21ic编辑视点:对太阳能电池而言,非常重要的一个参数是光电转换效率。很显然,纯色的太阳能电池吸收光的效率要比透明的高出不少。不过,有时候人们为了追求美观,更愿意在建筑物上使用透明的太阳能电池。这种太阳能电池能满足人们对美观需求,同时电池的效率也非常之高。未来这种电池有望广泛应用于现代建筑中。

6、Ciena推出新一代的WaveLogic光子芯片

近日消息, Ciena公司宣布为其WaveLogic光子芯片增加更多的网络智能和业务自动化功能。WaveLogic芯片在光子层面实现网络智能,从而确保可以按需提供业务,进而支持所谓的可调谐的SLA。Ciena为其WaveLogic芯片新增的功能包括升级其OneConnect智能控制面,在光子和OTN层提供更多的分布式智能;新增智能拉曼放大,实现拉曼放大的自动部署,包括在自启动前自动检测光纤的条件,从而实现即插即拔;新的PinPoint特性实现自动的OTDR测试。

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21ic编辑视点:光子集成技术是光纤通信最前沿,最有前途的领域,它是满足未来网络带宽需求的最好办法。光子集成芯片比传统的分立CEO(光电子)处理降低了成本和复杂性,带来的好处是以更低的成本构建一个具有更多节点的全新网络结构。随着Internet的普及,在未来的高速度、大容量信息网络体系中,光子芯片必将成为主流。

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