物联网将催生标准CMOS射频前端IC快速发展

硅的原材料是普通的沙子，但当几十年前，科学家将它用来制作半导体器件以来，在摩尔定律的指导下，硅为我们的世界带来了翻天覆地的变化。如今，电子设备中所使用的大多数器件都采用了基于硅的标准CMOS工艺制作，但其中有一个部分却难以实现，这就是射频前端。目前,射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造，但由于材料的稀缺性和工艺的复杂性，射频前端芯片普遍良率不高，成本居高不下。也有厂商探索采用基于衬底的硅技术，以期降低成本，但目前该技术还只能做到部分射频产品，例如一些开关器件。

RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜博士
 

RFaxis是一家专注于射频前端设计的公司，该公司以其独创的技术解决了纯硅CMOS工艺生产射频前端器件的难题。RFaxis推出的射频前端器件基于纯硅标准CMOS工艺，将PA、LNA和开关集成在一起，真正实现了高集成度的单一芯片，不仅大幅降低成本，同时减少了系统复杂度及噪声。其最近推出的一款RFX8055芯片是业界首款单芯片5GHz 11ac产品，外型只有2.3mmx2.3mm。

RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜博士认为采用标准CMOS工艺将是下一代射频前端器件发展的主流。钱永喜博士对比了当前用于射频应用的GaAs和标准CMOS工艺，他指出，目前GaAs生产工厂采用的是2μm GaAs HBT工艺，6英寸晶圆，每片晶圆的成本远超过1000美元；而RFaxis采用的标准CMOS工艺是0.18μm，8英寸晶圆，每片晶圆的成本大大低于1000美元，而且良率远高于GaAs HBT工艺。因此，钱博士认为，在射频应用上，从GaAs/SiGe工艺转到标准CMOS工艺将会是不可逆转的一种趋势，因为，标准CMOS工艺可以解决一直以来利用GaAs/SiGe工艺生产射频放大器以及前端器件的供应瓶颈和成本困扰。

标准CMOS射频前端IC将PA、LNA和开关集成在单一芯片中
 

钱博士表示，宽带通信、移动通信及物联网是RFaxis的目标市场。尤其是物联网，时下物联网的火热发展带动了更广泛的无线网络通信需求，这些应用于物联网的大批量的无线联网设备对成本极其敏感，又对供货周期要求苛刻。因此，传统的GaAs/SiGe制造工艺已远远不能满足这些需求，而基于纯硅的标准CMOS工艺射频器件恰恰可以解决这些难题，迎来了广阔的发展空间。

RFaxis的产品可以满足无线互联市场的方方面面的应用，例如，大功率Wi-Fi领域的功率放大器、路由器；Wi-Fi终端设备PC、家庭网关；手机、平板等移动Wi-Fi设备；以及ZigBee/ISM、无线音视频等机器与机器之间的无线通信。RFaxis的RFX2402C/E已经应用在一款在市场上广受喜欢的触摸屏无线11n路由器中，酷派和TCL的手机中就采用了集成有RFaxis RFX8422S的展讯的芯片。前不久，高通创锐讯推出的QCA9880 XB143参考设计就采用了RFaxis的RFX8051取代昂贵的GaAs或SiGe前端模块，基于该参考设计，用户可以实现高性能11ac产品，在提供无缝的、相当于千兆位速率的Wi-Fi功能的同时明显降低物料费用。

思科2013年的报告预计，物联网将以年复合增长率23.9%的速度快速发展，到2020年，全球联网的设备将达到500亿，如此庞大的市场为无线互联器件带来了广阔的舞台，也必将催生标准CMOS射频前端IC的快速发展。