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[导读]器件通过AEC-Q102认证,CMTI达到业内先进的40 kV/µS,最大重复峰值隔离电压达707 Vpeak

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年7月9日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型3.6 mm窄体SOP-5封装车规级1 MBd高速光耦---VOMHA43A。Vishay Semiconductors VOMHA43A相对漏电起痕指数为400,共模瞬态抗扰度(CMTI)不低于 40 kV/µS 达到业内先进水平,可提高信号传输质量并节省空间,适用于额定隔离峰值电压(VIORM)达707 Vpeak的各种应用。

日前发布的器件通过 AEC-Q102认证,适于汽车、工业、家居楼宇控制及通信应用隔离数据通信、高速信号切换、地环路信号隔离以及逻辑电压电平转换。在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)及低速电动车(LSEV)领域,该光耦可为 CAN、LIN、I2C和SPI接口,以及智能功率模块(IPM)驱动器等隔离驱动电路应用提供通信总线隔离保护。

传统SOP-5封装宽度为 4.4 mm,而VOMHA43A采用窄体 SOP-5 封装大幅节省 PCB 空间,同时支持堆叠式布局。器件最小 CMTI 是最接近竞品的两倍以上,显著增强抗电脉冲尖峰、射频干扰(RF)及电磁干扰(EMI)能力。竞品器件的最大重复峰值隔离电压为567 Vpeak,而这款光耦的隔离耐压达到707 Vpeak,完全满足 400V 车载电池系统的应用需求。

VOMHA43A包含 GaAlAs 红外发射二极管,它以光学耦合的方式连接集成的光电探测器及高速晶体管。光电探测器与晶体管采用结隔离,减小密勒电容效应。光耦具备集电极开路输出功能,便于工程师连接不同逻辑系统时灵活调整负载状态,探测器芯片集成法拉第屏蔽层,因此器件能够抑制并减小输入输出端共模瞬态高电压。

光耦符合 RoHS 标准,无卤素,工作温度范围 -40 °C至 +125 °C,与主流竞品元件引脚兼容,可直接替换,无需重新进行机电设计。

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