瑞萨电子推出的第三代MRDIMM 将DDR5内存性能提升至16,000MT/s，赋能下一代AI与HPC应用

时间：2026-07-30 16:56:52

关键字： AI DDR5 数据中心

[导读]2026 年 7 月 30 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布，推出其第三代(Gen3)DDR5多路复用双列直插内存模块(MRDIMM)芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒(MT/s)速率的服务器级MRDIMM。该系列解决方案专为应对人工智能(AI)数据中心、云基础设施及加速计算工作负载等场景中，日益增长的内存带宽需求而设计。

2026 年 7 月 30 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布，推出其第三代(Gen3)DDR5多路复用双列直插内存模块(MRDIMM)芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒(MT/s)速率的服务器级MRDIMM。该系列解决方案专为应对人工智能(AI)数据中心、云基础设施及加速计算工作负载等场景中，日益增长的内存带宽需求而设计。

瑞萨将于2026年8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026(存储与内存未来大会)上展示第三代MRDIMM内存接口组件(展位号#807)，包括支持下一代MRDIMM性能的第三代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD，RRG5013x)和多路复用数据缓冲器(MDB，RRG5103x)。

随着AI模型规模持续扩大、计算工作负载的数据密集度不断攀升，系统架构师在确保与现有服务器平台兼容的同时，面临着提供更高内存带宽的严峻挑战。瑞萨第三代MRDIMM解决方案在沿用现有DDR5基础设施的基础上，较第二代方案可实现25%的内存带宽提升。这意味着服务器平台无需进行颠覆性的架构变更，即可释放更强的性能。

瑞萨持续提供经现场验证且可量产的MRDIMM平台，涵盖MRCD、MDB、电源管理IC(PMIC)、串行存在检测(SPD)集线器及温度传感器。这一平台化策略使客户能够在跨代升级中灵活扩展MRDIMM性能，同时保持设计的连续性并加速产品部署。

第三代MRDIMM基于成熟的第二代产品架构，在扩展性能的同时保留了标准DIMM的外形尺寸和系统兼容性。此外，第三代产品还增强了系统的可视性与稳健性，包括设备均衡自训练模式(DESTM)的质量指示状态，该功能使用户能够微调时序和接收端均衡训练，从而最大化裕量。

除性能提升外，瑞萨第三代MRDIMM解决方案在设计时充分考虑了系统级能效，旨在帮助客户在日益增长的带宽需求与系统层面的散热设计及功耗限制之间取得平衡。详细的功耗对比数据将在随附的产品文档中提供。

Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD表示：“AMD长期以来一直致力于支持开放且基于标准的技术，这些技术推动了数据中心的创新，并随着AI和HPC工作负载的不断演进而提供了更高的灵活性。MRDIMM和瑞萨芯片组等下一代内存形态的创新，对于助力行业实现更高带宽、更高效率以及持续的平台可扩展性至关重要。”

Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas表示：“AI训练和推理工作负载正在从根本上重塑数据中心基础设施的系统内存需求，为满足这些工作负载对内存容量及吞吐量的巨大需求，瑞萨始终走在行业前沿，推出了第三代MRDIMM芯片组组件。我们的客户正采用瑞萨完整的芯片组组件，持续突破内存吞吐量和容量的边界。”