Power Integrations推出面向新一代高压电力系统的2200V氮化镓技术
全新2200V PowiGaN™技术,可帮助AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高功率密度与系统运行效率,同时助力搭建安全性更高、结构更精简的电力系统方案。
加利福尼亚州圣何塞——2026年8月5日:专注于高能效电源转换高压集成电路研发Power Integrations(纳斯达克代码:POWI,简称PI),今日宣布其PowiGaN™氮化镓(GaN)技术额定电压已提升至2200V,大幅超越目前所有商用氮化镓技术的电压等级。当前各行业正通过升级高压母线架构,持续提升设备整体功率密度,而这项技术的进展能够更好匹配高压数据中心、新能源汽车、可再生能源及高压直流输电基础设施的升级需求。
“我们的2200V PowiGaN™技术可为各类新一代高压电力系统提供充足的电压裕量,同时能够实现高开关频率,满足最大化功率密度的设计需求。”PI总裁兼首席执行官Jennifer Lloyd表示:“适用的新兴应用场景包含下一代AI数据中心(行业技术路线图规划采用)以及输出电压(48V)持续提升的下一代电动汽车电池系统与辅助电源系统。本次重要技术进展将氮化镓的应用范围拓展至以往碳化硅(SiC)占据主流的电压区间,可为光伏、高压直流输电、高端工业电能变换等应用领域提供具备竞争力的高频备选方案。”
得益于优异的工作效率与高频开关特性,氮化镓功率器件已在众多电源转换场景中逐步替代传统硅晶体管。然而,随着数据中心、新能源汽车、新能源发电及高压直流基础设施向更高电压、更高功率密度方向迭代,氮化镓技术也需同步升级。目前行业常见的高压方案,主要包含低频碳化硅器件方案,以及多颗低压氮化镓器件堆叠串联方案,两类方案均会在系统集成度、结构复杂度或运行可靠性上存在一定取舍。
目前,1700V规格PowiGaN芯片已应用于单级变换的数据中心辅助电源设计;1250V PowiGaN技术可优化800V直流数据中心主功率变换级的堆叠式设计方案,简化整机架构。全新2200V PowiGaN技术的推出,意味着我们可支撑更高等级母线架构设计,不仅服务于数据中心应用,还能为新能源汽车、光伏逆变器及电池储能系统的中长期产品迭代提供技术适配性。
“AI数据中心800V直流母线架构的普及,正在推动功率半导体方案的迭代升级。“Yole集团化合物半导体技术与市场分析师Roy Dagher博士分析指出:“以往受电压规格限制,氮化镓器件较少应用于主功率变换应用,该场景多采用碳化硅方案。2200V电压等级的氮化镓技术可为主功率级单级拓扑设计提供充足裕量,适配行业正在推进的1500V数据中心与新能源汽车硬件设计。结合行业测算,功率氮化镓器件市场规模预计将于,高压等级氮化镓技术的落地应用,将成为行业规模增长的重要推动力。”(注1)
资源
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关于 Power Integrations
Power Integrations, Inc.专注研发面向高压电源转换领域的半导体技术。公司产品是清洁能源生态系统中的核心基础器件,可支撑可再生能源发电,并实现电能高效传输、变换与利用;产品功率覆盖毫瓦至兆瓦级别,应用场景包括人工智能数据中心、电动汽车、高压直流基础设施等。如需了解更多信息,敬请访问:www.power.com。
前瞻性陈述
本新闻稿中,除历史事实陈述以外的部分语句,均属于美国联邦证券法定义下的前瞻性陈述,其中包含《1995年美国私人证券诉讼改革法案》安全港规则所覆盖的内容。
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(i)存在如下风险:竞争对手可能已研发展示2200V氮化镓技术(公司尚未获悉),或是推出相关技术的时间早于预期;
(ii)存在如下风险:2200V PowiGaN™技术或许无法按照预期的程度、时间(甚至完全无法),为人工智能数据中心、电动汽车、光伏、高压直流基础设施实现更高功率密度、更优能效或是更精简的系统架构;
(iii)存在如下风险:PowiGaN™技术可能无法在预期周期内(甚至完全无法)实现优于其他在售氮化镓产品的耐压性能;
(iv)存在如下风险:PowiGaN™技术或许无法达到预期水准(甚至完全无法)成为主流技术方案;
(v)存在如下风险:高压数据中心、电动汽车、可再生能源、高压直流基础设施领域,可能无法按照预期规模、预期时间(甚至完全不会)采用更高电压母线架构;
(vi)存在如下风险:规划采用1500V配电架构的行业路线图、下一代电动汽车电池与辅助电源系统,可能无法按照预期时间、预期规模落地(甚至无法落地);
(vii)存在如下风险:氮化镓功率开关器件可能无法按照预期规模、预期时间(甚至完全无法)逐步替代硅晶体管;
(viii)存在如下风险:本氮化镓技术的替代方案(包含碳化硅(SiC)、低压氮化镓器件),在部分或全部数据中心、电动汽车、新能源、高压直流基础设施应用场景中,其性能适配程度优于预期,或是适配周期长于预期。
(ix)存在如下风险:2200V PowiGaN™技术推出后,或许无法按照预期规模、预期时间(甚至完全无法)支撑数据中心、电动汽车、光伏逆变器以及电池储能系统采用更高规格母线架构;
(x)存在如下风险:人工智能数据中心向800V直流母线架构转型的进程,可能无法达到预期规模、无法在预期时间落地,甚至不会发生;
(xi)存在如下风险:2200V耐压等级或许无法按照预期程度、在预期周期内(甚至完全无法)为单级拓扑预留设计裕量,或是为正在兴起的1500V数据中心与电动汽车方案提供面向未来的适配能力;
(xii)存在如下风险:功率氮化镓器件市场规模到2031年可能无法达到35亿美元,甚至无法实现该规模的市场体量;
(xiii)公司业绩预测能力存在不确定性;
(xiv)贸易政策发生变动,尤其是关税升级、新增更高额度关税。相关变化可能降低搭载公司集成电路终端产品的市场需求;同时客户为对冲自身产品增加的关税成本,或将对公司产品售价形成压力;
(xv)公司产品供货能力,以及争取新设计方案定点等其他经营活动开展存在不确定性;
(xvi)全球宏观经济与地缘政治环境变化,包括通胀、武装冲突、贸易磋商等因素,或将影响公司产品市场需求;
(xvii)客户需求存在转向可能:市场需求从搭载公司集成电路的终端产品,转移至未采用公司产品的终端设备;
(xviii)市场竞争带来的影响,竞争环境可能造成公司营收下滑,或迫使公司下调产品销售价格;
(xix)产生不可预见的成本与开支;大宗商品价格、汇率波动,将引发元器件成本、运营支出出现不利波动;
(xx)新产品研发延期、产品存在缺陷,以及新产品获得市场认可的程度存在不确定性。
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(1) 来源: Power GaN 2026 report, Yole Group





