三星首次在先进工艺层面反超台积电，3纳米芯片良品率持续提升

三星电子已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作，提高半导体晶片在生产过程中的良率，希望超车劲敌台积电。据悉，三星电子先进制程良率低迷，自5纳米制程一直存在良率问题，随着4纳米和3纳米，情况变得更糟，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过20%，量产进度陷入瓶颈。

三星电子先进制程良率非常低，自 5 纳米制程开始一直存在良率问题，在 4 纳米和 3 纳米工艺上情况变得更加糟糕。据传三星 3 纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过 20%，量产进度陷入瓶颈。

三星目前在 4 纳米和 5 纳米工艺节点上出现了与产量有关的问题，该公司不希望这个问题再次出现在 3 纳米工艺上。因此希望通过和 Silicon Frontline Technology 公司合作，帮助三星晶圆厂进行前端(front-end)工艺和芯片性能改进。

了解到，这家美国公司提供芯片鉴定评估和 ESD(静电放电)预防技术。ESD 是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一，是由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。据报道，三星在芯片设计和生产过程中已经与 Silicon Frontline 公司合作了很长时间，并取得了令人满意的结果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。

台积电总裁魏哲家在台积电2022技术论坛上表示，3纳米即将量产，客户相当踊跃;至于2纳米可以保证在2025年量产。

魏哲家表示，3纳米有说不出的困难，已快要量产，客户相当踊跃、有许多客户参与，工程能力有点不足，正尽量努力中。

8月18日，台积电副总监陈芳在2022年世界半导体大会上表示，台积电3纳米芯片将在今年下半年量产，已经对部分移动和HPC(高性能计算)领域的客户交付，

对于3纳米量产后的新一代芯片2纳米时间表，魏哲家指出，2纳米将用新的纳米片 (nanosheet) 技术，会在2025年量产，届时还是电晶体密度最小、效能最佳的先进制程技术。

据悉，台积电2纳米技术和3纳米技术相比，功效大幅往前推进。在相同功耗下，速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。

台积电此前在北美技术论坛上表示，2纳米技术在性能和功率效率方面提供全节点改进，以支持台积电客户的下一代产品创新。除了移动计算基准版本之外，2纳米技术平台还包括一个高性能变体，以及全面的小芯片集成解决方案。

魏哲家也说，“台积有能力设计产品但绝对不会自己设计产品”，“台积的成功是来自客户的成功”。他也特别强调，“这点和竞争对手不一样，他们客人不管有没有成功都会有自己的产品推出来。”

据台湾经济日报6月10日消息，台积电2纳米建厂计划相关环保评审文件已提交送审，力争明年上半年通过环评，随即交地建厂，第一期厂预计2024年底前投产。

芯片代工巨头台积电被曝大砍供应链订单，最多高达五成。据《台湾经济日报》 11月1日报道，半导体景气下行，台积电二度下修资本支出之际，传出3纳米制程大客户临时取消订单，台积电因而大砍供应链订单，最多高达四、五成，涵盖再生晶圆、关键耗材、设备等领域。

业界传言称，台积电遇到3纳米制程某预定大客户临时取消订单，导致其近日将要量产的3纳米制程，月产能比原先规划明显减少，约仅1万多片，要等到明年下半年N3E制程量产，3纳米制程月产能才会明显增加，这也影响相关供应链业绩动能，甚至传出订单比年初规划大砍四至五成。

报道显示，不具名的台积电供应链私下透露，来自台积电的订单确实从第三季度末开始转弱，第四季度与明年首季订单持续下滑。目前所知，受冲击的领域包括前段生产制程与后段先进封装制程，其中对后段的影响幅度大于前段。

10月13日，台积电曾表示，预估的2022年400亿至440亿美元的资本支出目标，目前则降至约360亿美元，包含仍持续面对供应不顺的干扰与反映市场需求变化。这已经是台积电第二次下修今年资本支出目标。

《台湾经济日报》称，这意味着原本要释放给供应链高达上千亿元的商机被砍掉，掀起供应链骨牌效应。

台积电尚未对此回应。台积电先前在法说会上提到，3纳米将在今年第四季度量产，预期在高速运算与智能手机应用驱动下，2023年平稳量产，但台积电并未透露3纳米月产能细节。

报道指出，针对目前的情况，台系设备工程厂商保持警戒，预料新接订单高峰期恐已过。业内人士分析，多个设备工程厂目前在手订单均为历史新高，主要贡献大多来自半导体产业龙头台积电的扩建新厂效益，并可望确保至2023年营运无虞。

另外有设备厂表示，明年来自台积电的订单确实低于原本预估，并且优先使用库存耗材，以至降低市场流动性，影响到公司的成长动能。至于材料厂方面，部分业者已感受到台积电订单有些减少的压力。

要说今年芯片大事情之一，莫过于今年7 月，韩国芯片巨头——三星宣布量产3纳米(nm)芯片。

毫无疑问，这甚至比台积电量产计划早了整整2个月，不过，即便如此，也有有消息指出，台积电3纳米芯片已获得英特尔、苹果等大客户青睐下订，而三星良率(合格率)和订单仍是市场关注焦点

对此，韩媒指出，虽然台积电(3纳米)量产进度落后，但市场占有率仍遥遥领先三星，而且鉴于苹果和三星在智能手机市场有直接竞争关系，所以三星很难成为台积电的优先选项。

《韩国商业》(Business Korea)就报道称，三星虽然在7 月独步全球，正式宣布量产3纳米芯片，以展现其技术实力，但由于晶圆代工龙头——台积电计划9 月开始量产，这也降低三星缩小与台积电在先进制程技术差距的预期。

上述报道还援引业界人士透露，台积电3纳米芯片已经获得大客户订单，预期将由苹果于今年底首发采用，其他买家包括：英特尔、超微、高通、联发科、博通、高通等客户，也都将于明年或后年完成3纳米芯片设计并量产。

三星和台积电两大芯片厂商在3纳米芯片技术研发上一直竞争激烈，而如今，随着双方新动作频频，这场芯片顶尖制程技术战，日趋白热化。

今年6月底，三星电子官宣，公司位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产3纳米制程半导体芯片。

消息发酵不过一周，台积电就对外表示，自家的3纳米制程将在今年下半年试产，同时将斥巨资扩大2纳米产能布局，并在2024年试产，2025年开始量产。

三星首产3纳米，反超台积电

今年上半年实现3纳米芯片投产，意味着三星首次在先进工艺层面反超台积电，成为全球第一家量产3纳米芯片的厂商。

三星官网公布的信息显示，此次量产的3纳米芯片与之前的5纳米芯片相比，性能提升23%，功耗降低45%，芯片面积缩小16%。

而且，与目前主流的鳍式场效应晶体管(FinFET)结构不同，三星3纳米采用的是全栅极(GAA)技术结构，可以更为精确地减少漏电损耗，降低功耗。