一台3亿欧元！ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货

综合韩联社、koreatimes报道显示，全球光刻机龙头大厂ASML首席执行官温宁克(Peter Wennink)于今日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。

在今天的新闻发布会上，温宁克还介绍了ASML新一代High-NA EUV光刻机的进展，预计将于2024年开始发货，每台设备的价格在3亿至3.5亿欧元之间。

众所周知，目前ASML是全球最大的光刻机供应商，同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。

由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长(13.5nm)相比DUV 浸入式光刻系统(193 nm)有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。

目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径(NA)的High-NA光刻机。

相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率(根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高)，从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造)。

基于不同的市场情景，ASML预计会有巨大的增长机会来实现以下目标：

2025年：年收入在约300亿欧元至400亿欧元之间，毛利率在约54%至56%之间;

2030年：年收入在约440亿欧元至600亿欧元之间，毛利率在约56%至60%之间。

最后，在股东回报方面，ASML宣布了一项新的股票回购计划，计划回购最高 120 亿欧元的股票，在 2025 年的 12 月 31 日之前进行。

Frédéric Schneider-Maunoury 强调，全球半导体产业正在积极发展当中，台湾半导体产业对世界的贡献更是有目共睹，ASML 也会持续加码投资台湾，并支持台湾的客户群及全球半导体产业。他也再次感谢台湾的大力支持，相信通过这些支持，可以一起贡献半导体产业光明的未来。

台湾行政院副院长沈荣津表示，ASML明年7月即将动工的北部投资案，将是ASML有史以来在台湾最大投资案。

而针对相关投资案，ASML 晚间发出声明指出，ASML 持续在全球和中国台湾投资，为公司持续的成长做准备，以支援全球客户及半导体产业的发展，目前无法透漏新北投资案的相关细节。

在ASML台湾林口工厂担任量测机台组装工程师的Jason自豪地说，ASML是全世界科技的领导品牌。他表示，林口厂有2成非技术职缺，加入ASML不是一定要有工程背景。

ASML台湾区暨东南亚区财务长何思颖先前曾表示，ASML台湾有35%员工是非理工科系毕业，未来也会持续提供相关非理工职缺，在加入ASML后，会提供个人职涯发展与学习机会，除了自我优势强化，更提供学习机会提升员工的产业专业知识。

ASML为半导体生产商提供光刻机及相关服务，TWINSCAN系列是世界上精度最高，生产效率最高，应用最为广泛的高端光刻机型。全球绝大多数半导体生产厂商，都向ASML采购TWINSCAN机型，比如英特尔(Intel)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)、台积电(TSMC)、中芯国际(SMIC)等。

ASML的产品线分为PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列现已停产;AT系列属于老型号，多数已经停产。市场上的主力机种是XT系列以及NXT系列，为ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的机型，分为干式和沉浸式两种，而NXT系列则是主推的高端机型，全部为沉浸式。

除了致力于开发的TWINSCAN平台外，ASML还在积极与IMEC, IBM等半导体公司合作，开发下一代光刻技术，比如EUV(极紫外线光刻)，用于关键尺度在22纳米甚至更低的集成电路制造。ASML已经向客户递交若干台EUV机型，用于研发和实验。同时，基于传统TWINSCAN平台的双重曝光等新兴技术，也在进一步成熟和研发过程当中。2007年末三星(Samsung)宣布成功生产的36纳米闪存，基于的便是双重曝光技术。