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[导读]在全球汽车产业向电动化、智能化、网联化加速转型的浪潮中,车规功率半导体作为核心 “心脏”,正发挥着愈发关键的作用。国产车规功率半导体近年来发展迅猛,不断在技术突破、产能扩充、市场份额提升等方面实现新跨越,开启再提速的发展新篇章。

在全球汽车产业向电动化、智能化、网联化加速转型的浪潮中,车规功率半导体作为核心 “心脏”,正发挥着愈发关键的作用。国产车规功率半导体近年来发展迅猛,不断在技术突破、产能扩充、市场份额提升等方面实现新跨越,开启再提速的发展新篇章。

需求激增,产业蓬勃发展

新能源汽车市场的爆发式增长,成为国产车规功率半导体发展的强大引擎。相较于传统燃油车,新能源汽车需要大量的功率半导体来实现电能的高效转换与精确控制。例如,在电动汽车的电池管理系统、电机驱动系统、车载充电机等关键部件中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及新兴的碳化硅(SiC)基功率器件等不可或缺。据相关数据显示,纯电动汽车所使用的 IGBT 数量高达上百颗,是传统燃油车的 7 - 10 倍,其成本占整车成本的 7% - 10%。随着新能源汽车销量的持续攀升,对车规功率半导体的需求呈现井喷之势。中国作为全球最大的新能源汽车市场,亦成为全球最大的 IGBT 消费市场,份额约占全球总消费市场的 40%。预测指出,到 2025 年,我国 IGBT 的市场规模有望超过 500 亿元,其中新能源汽车 IGBT 已在 2020 年成为国内 IGBT 第一大应用领域,占比约三分之一。

除了新能源汽车领域,智能汽车的发展也为车规功率半导体带来了新的机遇。智能驾驶辅助系统、车联网等功能的实现,需要高性能的功率半导体来支撑。例如,在自动驾驶过程中,车辆需要实时处理大量的传感器数据,这就要求功率半导体具备更高的运算速度和更低的能耗,以确保系统的高效稳定运行。

技术突破,打破国外垄断

长期以来,车规功率半导体技术被欧美日等国际巨头垄断,国内企业在技术研发上面临巨大挑战。然而,近年来国内企业加大研发投入,积极开展技术攻关,在多个关键领域取得了突破性进展。以 IGBT 为例,国内企业在芯片设计、制造工艺以及模块封装等方面不断创新。武汉经开区东风新能源产业园智新科技股份有限公司成功下线华中地区首只量产的车规级 IGBT 模块产品,标志着湖北成功突破功率半导体器件 “卡脖子” 问题。智新半导体项目具备 IGBT 设计、制造、封装与测试等全套能力,项目一期 IGBT 年产能达 30 万只,总规划年产能为 120 万只,可满足东风公司 “东方风起” 计划新能源汽车到 2025 年一百万销量的 IGBT 需求。此外,芯华睿半导体通过对标国际头部功率半导体企业最新技术和工艺,推出了基于第七代 1.6um pitch 的微沟槽工艺 IGBT 芯片,在模块方面也取得了显著成果。

在新兴的碳化硅功率半导体领域,国内企业同样积极布局。碳化硅具有高击穿电压、高功率密度和耐高温高频等优势,在 800V 高压驱动平台等应用场景中表现优异。虽然目前国内 SiC 技术起步较晚,产能不足、制程落后,高度依赖海外,但部分企业已经取得了阶段性成果。例如,芯华睿已开发出基于第三代平面型栅极设计的 1200V 碳化硅芯片,为国产碳化硅功率半导体的发展奠定了基础。

产能扩充,保障市场供应

为了满足日益增长的市场需求,国内车规功率半导体企业纷纷加快产能扩充步伐。一方面,企业加大对现有生产线的升级改造,提高生产效率和产品质量。另一方面,积极投资建设新的生产基地。今年 8 月,新能源汽车主驱功率模块企业芯华睿半导体江苏工厂正式投产,该工厂占地 14,500㎡,总投资 5 亿元,建成后产能将达到 200 万套功率模块。按照规划,工厂将分期建设,目前一期已正式投产,全部投产后可以满足超过 100 万辆新能源的功率模块应用配套。众多国内企业的产能扩充举措,将有效缓解车规功率半导体供应紧张的局面,为国产车规功率半导体的市场竞争力提升提供有力支撑。

协同合作,完善产业生态

国产车规功率半导体的再提速,离不开产业上下游的协同合作。整车企业、半导体厂商、科研机构等各方力量正积极携手,共同构建完善的产业生态。整车企业如比亚迪,不仅在新能源汽车领域取得了显著成绩,还通过自主研发和生产车规功率半导体,实现了产业链的垂直整合,为自身产品的性能提升和成本控制提供了有力保障。同时,比亚迪也积极与其他半导体企业开展合作,共同推动技术创新和产业发展。半导体厂商之间也加强了合作交流,通过共享技术资源、联合研发等方式,加速技术突破和产品迭代。科研机构则在基础研究、人才培养等方面发挥着重要作用,为产业发展提供了坚实的技术支撑和人才保障。

然而,我们也应清醒地认识到,国产车规功率半导体在发展过程中仍面临诸多挑战。与国际先进水平相比,在核心技术、生产工艺和市场占有率等方面仍存在一定差距。例如,在 IGBT 芯片的设计和制造上,国内企业在提高沟道密度、电流密度、最大工作温度,降低芯片厚度、导通压降和开关损耗等方面还有提升空间。在碳化硅功率半导体领域,国内企业在衬底、外延等关键环节的技术和产能仍有待提高。

国产车规功率半导体正处于再提速的关键时期。面对市场需求的快速增长和技术创新的机遇与挑战,国内企业应继续加大研发投入,加强技术创新和人才培养,加快产能扩充步伐,深化产业协同合作,不断提升产品质量和性能,扩大市场份额,推动国产车功率半导体产业实现高质量、可持续发展,在全球汽车产业变革中占据更加重要的地位。

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