SK海力士HBM4定价曝光：较HBM3E溢价最高70%

8月6日消息，据媒体报道，作为全球最早量产HBM4的存储器制造商，SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位，SK海力士计划提高HBM4售价，预计相比HBM3E溢价可能高达70%。

业内消息指出，今年上半年，SK海力士供应给英伟达的12层堆叠HBM4单价约为500美元，相较同规格HBM3E(约300美元)高出60%-70%。

这一强势定价源于其在英伟达Blackwell Ultra产品组合中近乎垄断的HBM3E供应地位，以及HBM4领域的先发优势。更高的价格也反映了新一代HBM制造技术的复杂性，特别是其选择台积电4nm工艺生产基础裸片(Base Die)的成本考量。

面对高利润HBM市场的激烈争夺，三星正加速推进1cnm DRAM技术的开发与量产。吸取过往经验，三星此次策略转向稳扎稳打：不盲目追求抢先供应HBM4，而是聚焦于打造一款能够实现稳定供应的成熟产品，以赢得AMD及英伟达等客户的采用，确保长期可靠收益。随着HBM4时代临近，头部厂商间的竞争态势预计将比HBM3/HBM3E时期更为激烈。