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[导读]太阳能逆变器种类丰富,可按类型(集中式、组串式、微型)或终端应用场景(住宅、商业、公用事业)进行划分。目前,组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级,单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升,而单价和尺寸却不断下降,这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。

太阳能逆变器种类丰富,可按类型(集中式、组串式、微型)或终端应用场景(住宅、商业、公用事业)进行划分。目前,组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级,单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升,而单价和尺寸却不断下降,这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。

集中式太阳能逆变器通常应用于公用事业电站,具有超大容量。但受安装地点限制,近年来其新增装机容量已被组串式太阳能逆变器超越。微型太阳能逆变器主要用于住宅发电,同时也广泛服务于城市基础设施供电,例如路灯、交通信号灯等场景。

太阳能逆变器的核心是功率转换部分,具体包含 DC-DC 升压转换器与 DC-AC 逆变器。随着功率器件的持续发展,以及终端产品催生出的新需求,诸多新型拓扑结构应运而生。深入了解这些拓扑结构及功率产品,有助于更透彻地理解整个系统并实现快速设计。

框图 - 光伏逆变器

下面的框图展示了由安森美 (onsemi)打造的光伏逆变器解决方案。 该框图呈现了光伏逆变器所采用的电源管理和功率转换技术。安森美提供品类齐全的产品, 涵盖分立碳化硅 (SiC) 器件、 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)、 功率模块、隔离式栅极驱动器及电源管理控制器, 助力系统实现更高的功率密度和效率。

市场信息和趋势

碳化硅替代品

碳化硅 (SiC) 有助于提供更高的效率以推进当前技术趋势。 与传统的硅基 MOSFET/IGBT 相比,SiC 器件在高电压场景下的优势尤为突出:高压器件可简化拓扑结构, 无需使用多电平转换器; SiC 逆变器解决方案的损耗低于 IGBT 解决方案;同时, SiC MOSFET 的开关速度更快, 能够缩小无源器件(尤其是电感) 的尺寸。 这两方面因素共同提升了功率密度, 使相同尺寸和重量的器件可实现更高功率输出。

不过, 实际应用中必须在成本与性能之间进行权衡, 并结合具体需求来选择最合适的解决方案。

IGBT 和 SiC 二极管

SiC 二极管替代方案的应用正愈发普遍, 尤其在 DC-DC 转换环节, 原因有三:其一, 成本已降至合理水平;其二,无需对电路设计进行大幅改动;其三, 也是最重要的一点, 能显著提升系统性能。 此外, 工作频率的提高还可缩小无源器件的尺寸。

在大功率产品(约 200kW 以上) 中, IGBT 仍是首选。 一方面, IGBT 在大电流场景下表现优异, 且这类系统对工作开关频率的要求不高, 因此 IGBT 关断速度慢的问题不会造成太大影响。 另一方面, 全 SiC 系统需要全新设计, 且成本高昂。 例如, 基于 IGBT 的转换器驱动电路与 SiC 系统不兼容;由于 SiC 元件的短路耐受时间 (SCWT) 短于 IGBT,还需重新设计保护方案。

更高的母线电压

对大功率的需求持续增长, 在同等功率条件下, 采用 1500V 组串替代 1100V 组串时, 因电流更低而能够降低互联成本。 为顺应此类趋势, 更高电压等级的开关器件应运而生。 无论是选用高压开关器件, 还是采用多电平拓扑结构, 都能显著提升光伏逆变器的工作功率。 关于 1500V 逆变器与 1100V 逆变器的对比, 详见后文。

表 1: 1500V(型号-2)与 1100V 光伏逆变器的对比

公用事业级解决方案

300 kW+ 光伏组串式逆变器 - 公用事业级解决方案

安森美发布了采用 F5BP 封装的新型 Si/SiC 混合功率集成模块 (PIM), 可为公用事业级光伏组串式逆变器及储能系统提升 15% 的功率输出。这些模块能够提高功率密度与效率, 使光伏逆变器的功率从 300kW 提升至 350kW。 这意味着, 对于一座 1 吉瓦的光伏电站而言, 每小时可额外节省近 2 兆瓦的电力。 此外, 新型模块凭借更高的功率密度与效率, 减少了所需模块的数量, 将元件成本降低 25% 以上。

该系列模块集成了先进元件, 包括 1050V FS7 型 IGBT 与 1200V D3 EliteSiC 二极管, 与前代产品相比, 功率损耗降低高达 8%, 开关损耗减少 15%。 这些 PIM 模块在逆变器部分采用创新的 I-NPC 拓扑结构, 在升压部分则采用飞跨电容拓扑。 此外, 它们采用先进的直接键合铜 (DBC) 基板, 可大幅减少杂散电感和热阻。 这种设计将散热器的热阻降低了 9.3%, 有助于在高负载下维持较低的工作温度, 进而提升整体可靠性。

图 1: 300 kW+ 光伏组串式逆变器原理图

图 2: F5BP 与 F5 的热性能

Si/SiC 混合模块, F5BP NXH600N105H7F5P2HG

特性• I 型中性点钳位三电平逆变器模块• 1050V 场截止 7 型 IGBT 和 1200V SiC 二极管• 高效率、高功率密度及出色可靠性• 低热阻底板• 低电感布局, 内置 NTC 热敏电阻

优势

• 系统效率高达 99%• 减少模块数量,简化 PCB 设计并降低系统成本

应用

• 1500 V 组串式工商业用光伏逆变器

图 3: F5BP 封装PIM60 112x62(压接式)

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