模拟
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台积电有望双吃超微独家代工订单
超微（AMD）全球资深副总裁与技术长马克（MarkPapermaster）表示，2013年超微制程技术上将有新的改变，由绝缘层上覆矽（SOI）制程改为28纳米块状矽（BulkCMOS）制程。市场预期，台积电明年有望双吃超微部分28纳米的A
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2011年车用MEMS市场点将录Bosch傲视群雄
市场研究机构IHS iSuppli的最新报告显示，德国厂商Bosch GmbH Automotive Electronics在2011年全球车用微机电系统(MEMS)市场蝉联龙头宝座；该公司2011年营收总计6.25亿美元，较2010年增加了19 %，超越整体车用MEMS市
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ST与GLOBALFOUNDRIES签订28/20奈米FD-SOI技术代工协定
意法半导体(STMicroelectronics，ST)宣布，半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体独有的FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件)技术为意法半导体生产28奈米和20
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强打HKMG技术格罗方德抢食28奈米大饼
趁台积电28奈米(nm)产能供应不及之际，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)已积极展开抢单攻势。挟在高介电常数金属闸极(HKMG)技术丰富经验，格罗方德已成功拿下超微(AMD)第二代加速处理器(APU)、意法半导体(ST)及多家通讯晶片
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日月光矽品 下季保守
尽管欧债疑虑升高，封测双雄日月光（2311）及矽品上修资本支出计划仍未改变，封测双雄均密集在5、6月增购设备，虽保守看待下半年，但强调第3季来自逻辑晶片需求仍强，预料可保有中个位数成长。 日月光和矽品将于本
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ST与GLOBALFOUNDRIES签订28/20奈米FD-SOI技术代工协定
意法半导体(STMicroelectronics，ST)宣布，半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES 将采用意法半导体独有的 FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator，完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件)技术为意法半导体生产 28奈米
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光电耦合器电路应用符号
开关电源的电路结构 它采用了STE-S6709厚膜集成电路，开关管集成在IC内部，1脚为集成电极。交流输入电流经整流滤波形成的300V直流电压，经变压器初极绕组1～4加到IC801的1脚。启动电压经R804、R806加到IC801的9脚
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股东会行情启动，京元电暴量涨停
京元电(2449)今天召开股东会，会中通过100年度财务报表，并配发每股现金股利0.65元，激励股价表现走强，一路开高走高至涨停14.1元作收，成交量暴增至2万多张。 京元电股东会通过100年度营收为新台币115.26亿元，较9
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力成：2年内进全球封测前四大
(记者钟荣峰新竹15日电)记忆体封测厂力成董事长蔡笃恭表示，预估最快2年内，力成全年合并营业额规模，可进入全球封测产业前四大。力成今天上午在新竹明新科技大学召开股东会，议事进行相当顺利，不到半小时股东会便宣
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德仪报喜台积联电利多晶圆双雄营运持续乐观
晶圆双雄通讯客户频频报喜，高通释出28奈米产能已获满足，德仪（TI）第2季财测优于预期，显示晶圆双雄台积电（2330）与联电营运多头未变，股价再添有利支撑。台积电昨日下跌0.8元，收在79.2元。联电下跌0.15元，收在
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怎样延长电子管放大器的寿命
自70年代电子管放大器复出重登音响舞台以来，已占有一定市场，但目前的电子管音响产品中，电子管引起的故障--包括欧美电子管在内，并不少见，使人产生一种电子管寿命短的看法，然而这却往往并非电子管本身的问题，而
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掺铒光纤放大器
掺铒光纤放大器是利用掺铒光纤这一活性介质，当泵浦光输入到EDF中时，就可以将大部分处于基态的Er3+抽运到激发态上，处于激发态的Er3+又迅速无辐射地转移到亚稳态上，由于Er3+在亚稳态上的平均停留时间为10ms，因此很
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放大器的类别
长期以来，高品质音频放大器的工作类别，只限于A类(甲类)和AB类 (甲乙类)。其原因在于过去只有电子管这样的器件，B类(乙类)电子管放 大器产生的失真使它们甚至在公共广播用时都难于被人们所接受。所有的自称为高保真
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怎样关键制作电荷放大器
制作一个高质量的电荷放大器确实非常困难，首先要选取最合适的芯片，为什么一般的运放不适合做电荷放大器呢?因为电荷放大器的反馈电阻非常大，通常在150M欧姆以上，如果要制作频带响应非常好的电荷放大器，则反馈电阻
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意法半导体委托GLOBALFOUNDRIES代工28nm和20nmFD-SOI芯片
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的FD-SOI（FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制
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