由于数字电路是利用上升沿/下降沿很短的脉冲信号,所以会向外部放出包括高频成分的多余电磁波(噪声),而且对外部来的电磁波(噪声)敏感地响应,造成误动作。另外在电路内部也存在线间产生交调失真、数字器件的通/断时
网络附属存储:用于无线数据传输和数据存储的设计和构建 NAS 系统 网络附属存储 (NAS) 产品广泛用于电子信息储存的消费和企业应用。除了用于计算机的传统直接附属数据存储,NAS(网络附属存储)还有通过无线网络存
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制
据市场调研机构Linley集团“2011年通信半导体市场报告”,通信半导体市场在2011年下跌3%之后,2012年将略微增长。通信芯片市场在2011年初强势启动之后,下半年开始表现萎靡,主要是受累于OEM缩减库存以及无线运营商在
6月14日下午,全球智能手机市场近几年来出现爆发式增长,智能手机迅速对功能手机进行更新换代,高端智能手机的需求也同样增长迅猛。但目前最高端的28纳米尺寸芯片的缺货,可能对高端智能手机的出货产业影响。虽然日前
超微(AMD)全球资深副总裁与技术长马克(MarkPapermaster)表示,2013年超微制程技术上将有新的改变,由绝缘层上覆矽(SOI)制程改为28纳米块状矽(BulkCMOS)制程。市场预期,台积电(2330)明年有望双吃超微部分2
13日下午4点22分台湾发生芮氏规模4.9级的地震,由于震央位于新竹县尖石乡,十分接近竹科,也让外界相当关切其对晶圆代工厂的后续影响。对此,包括台积电(2330)、联电(2303)、世界(5347)均澄清,目前营运一切正常,对
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最小。LT
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
众所周知,中国现在不仅快速崛起成为一个新兴的晶圆代工大国,而且近几年在IC设计领域也取得了许多令全球同行刮目相看的不俗成绩,不少大规模系统级产品不仅创造了‘全球第一’,而且系统应用市场也开始放量增大,可
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
台积电13日召开第十二届第一次董事会,会中全体董事一致推举张忠谋续任董事长。另,董事会核准十二寸晶圆厂等资本预算两笔,以及募集450亿元额度内无担保普通公司债以支应产能扩充资金需求。台积电全体董事一致推举张
未来几年,FPGA融合架构的演进还在持续,而这需硬件和软件的“鼎力相助”。Misha Burich指出,3D封装和Open CL将是关键支撑技术。日前,Altera宣布采用TSMC的CoWoS(基底晶圆芯片生产)技术,开发出全球首颗能够整合多
更快的处理器和复杂的移动设备让芯片在实现理想的性能方面有巨大压力。随着芯片设计逐渐延伸到40nm以下,甚至达到28nm,受晶圆的极端漏电流效应影响,芯片良率正经受挑战。在28nm节点,晶圆加工厂商仍可以在小基板上
超微(AMD)全球资深副总裁与技术长马克(Mark Papermaster)表示,2013年超微制程技术上将有新的改变,由绝缘层上覆矽(SOI)制程改为28纳米块状矽(Bulk CMOS)制程。 市场预期,台积电(2330)明年有望双吃超微部