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新iPhone将使用19针接口以取代目前30针接口
新iPhone将使用19针接口取代目前30针接口北京时间6月21日消息，据美国科技博客网站TechCrunch报道，TechCrunch获得的相关屏幕截图显示，苹果将为新iPhone配备一个19针的接口，以取代当前所使用的30针接口。TechCru
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台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台
台积电(TSM-US)(2330-TW)与美商亚德诺(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布双方合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。此平台适合许多电脑、工业电子及消费性电子产品的应用。此
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布线的重要步骤：PCB布线技巧
在PCB设计中，布线是完成产品设计的重要步骤，可以说前面的准备工作都是为它而做的， 在整个PCB 中，以布线的设计过程限定最高，技巧最细、工作量最大。PCB 布线有单面布线、 双面布线及多层布线。布线的方式也有两
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中芯国际双核芯片测试结果达1.3GHz
6月20日消息，中芯国际(0.255,-0.00,-1.92%,实时行情)和灿芯半导体宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM Cortex-A9 MPCore双核芯片测试结果达到1.3GHz。该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用中芯国
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2012年1-5月中国集成电路产量微增1.74%
2012年5月份，我国生产集成电路89.6亿块，同比增长7.20%。中商情报网监测数据显示:2012年1-5月，全国集成电路的产量达386.8亿块，同比增长1.74%。从各省市的产量来看，2012年1-5月，江苏省集成电路的产量达190.1亿块
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日本5月晶片设备BB值连4个月低于1 订单额连12降
根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)19日公布的初步统计显示，2012年5月份日本制半导体(晶片)制造设备接单出货比(book-to-billratio；BB值)较前月上扬0.03点至0.91，连续第2个月呈现上扬，惟已连续第4个月跌破1；BB值低
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日本：瑞萨电子将获得 1,000亿日元融资
据日本媒体报道，就日本大型半导体公司瑞萨电子陷入经营困境的问题，四家大型交易银行和设立该公司的三大股东公司(日立制作所、三菱电机和NEC)于6月18日就”提供总计1,000亿日元(12.66亿美元)的金融支援事宜”基本达
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瑞萨电子与台积电合作提升微控制器市场份额
6月20日上午消息，全球最大汽车微控制器生产商瑞萨电子周二表示，与台积电的合作将帮助该公司提升市场份额和营业利润率。瑞萨电子是丰田等汽车厂商的供应商，该公司微控制器部门高级副总裁ShinichiIwamoto表示，计划
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中芯国际双核芯片测试结果达1.3GHz
6月20日消息，中芯国际和灿芯半导体宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARMCortex-A9MPCore双核芯片测试结果达到1.3GHz。该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计，采用中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器包括一
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台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台
美商亚德诺(ADI)与台积电(2330)今（20）日共同宣布，双方已合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。而台积电的0.18微米BCD（Bipolar(双载子)-CMOS(双极)-DMOS(扩散)，互补金属氧化半导体）整
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晶圆代工 三星无法竞争
面对韩国电子业来势汹汹，IC封测大厂矽品董事长林文伯表示，矽品与晶圆双雄台积电、联电掌握“一条龙解决方案”，尽管三星有心切入IC晶圆代工和封测供应链，但还没办法和矽品竞争。林文伯说，矽品将在两岸大举征才，
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封测厂营收 旺到10月
封测厂第3季来劲，包括矽品（2325）、矽格、京元电、台星科及欣铨等，均预期营收逐月成长可延续至10月。 矽品董事长林文伯乐观看第3季半导体景气，多家封测业也力挺林文伯的看法，认为在台积电、联电第3季产能仍然满
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林文伯：三星在封测领域尚无法与矽品竞争
封测大厂矽品(2325)董事长林文伯指出，韩厂Samsung近年虽积极切入晶圆代工与封测领域，但因矽品已经和晶圆代工大厂台积电(2330)、联电(2303)共同掌握IC制造的上下游一条龙解决方案，扮演全球无晶圆IC厂(Fabless)的重
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林文伯：与台积、联电 合攻三星
IC封测大厂矽品(2325)昨日举行股东会，对鸿海董事长郭台铭视为下一步「歼灭目标」的韩国三星，矽品董事长林文伯也说，矽品与台积电及联电共同掌握一条龙解决方案，成为全球IC设计大厂成功关键，三星还没办法在此领域
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中芯国际双核芯片测试结果达1.3GHz
6月20日消息，中芯国际和灿芯半导体宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM Cortex-A9 MPCore双核芯片测试结果达到1.3GHz。 该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理
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