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台积4/27、联电4/28法说登场，半导体持续偏多
晶圆双雄台积电(2330) 与联电(2303)今年Q1法说会，预计分别于4月27、28日两天接续登场。 在英特尔(Intel)Q1财报缴出创下历年同期新高的获利水平，并上调今年度毛利率至 64%，加上先前台积电董事长张忠谋已表态看好
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台积电发展20奈米制程 2年后投产
台积电（2330）于美西时间13日在加州圣荷西市举行技术研讨会，宣布将跳过22奈米制程，直接发展20奈米制程，此制程预计 2012年下半年导入生产；董事长暨总执行长张忠谋并重申今年全球半导体业的产值将年增长22%，明年
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先进制程 台积超越英特尔
台积电研究资深发展副总蒋尚义表示，台积电将跳过22奈米制程，直接发展20奈米制程，预计2012年第三季导入，2013 年大量量产，进度首度超越半导体龙头英特尔，让台积电在先进制程发展拿下全球第一。 蒋尚义于美西时
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直接上20nm? 台积电玩火又要坑NV+AMD
为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研发，直接上马更高级的20nm工艺。 有趣的是，台积电和GlobalFoundries这两大代工厂此前已经不约而同地先后取消了32nm Bul
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TSMC宣布跳过22纳米 直接发展20纳米工艺
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。此次技术研讨会有1,500位客户及合
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台积电发展20奈米制程，2012年下半导入生产
台积电(2330)于美西时间13日在加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22奈米制程，直接发展20奈米制程，预计于2012年下半开始导入生产。 此次技术研讨会有1500位客户及合作厂商代表参与，台积公司研究发展资深副
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比黄金贵十倍 天科合达碳化硅晶片产量全球第三
外观像透明玻璃，厚薄似一张纸，大小如一次性纸杯杯底——日前，记者在苏州天科合达蓝光半导体有限公司看到了该公司的产品：一片2英寸大的“碳化硅晶片”。可别小看这片圆圆的“小东西”，它是第三代半导体的核心材
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台积电跳过22nm，直接从28nm到20nm
半导体厂商台积电（TSMC），在近日举行的2010TechnologySymposium讨论会上，再度做出了惊人的壮举，跳过22nm，直接从28nm到20nm制造工艺。 台积电公司发言人蒋尚义表示，20nm工艺的转换将会带来极高的栅密度以及优于
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中电广通：封装龙头 高位整理
公司是国内模块封装龙头企业，公司持股58.14%的中电智能卡公司不仅承担第二代身份证模块封装业务，还承担SIM卡、社保卡、加油卡等其他智能卡产品的封装业务。公司继续保持在模块封装生产领域的国内技术领先地位，连续
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基于ADS的通信设备低噪声放大器改进设计与仿真
摘要：介绍接收机前端的低噪声放大器(LNA)对于整个通信设备的接收机系统灵敏度的影响，利用ADS软件对接收机低噪声放大器进行改进设计，重点阐述了采用Smith圆图和微带线进行输入输出阻抗的匹配。通过仿真结果可以看出
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台积电预测今年全球半导体销售将增长22%
4月14日消息，台积电今日预计，今年全球半导体销售将增长22%，明年则为约7%，均高于平均值。同时，以2011-2014年复合增长率预计将为约4.2%。据悉，台积电董事长张忠谋周二在美国举行的年度北美科技论坛上做出上述预测
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为赢订单主流触屏IC供应商纷纷降价
4月14日消息，最近，包括美国Synaptics公司、台湾义隆电子(ELANMicroelectronics)、美国赛普拉斯半导体公司（Cypress）和美国爱特梅尔半导体公司（Atmel）等主要触摸屏方案供应商开始为某些特定客户或产品将价格压低
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IC设计和IDM厂频下单晶圆代工和测试订单能见度拉长
受惠于IC设计厂和整合组件(IDM)厂下单力道有增无减，晶圆代工厂第2季接单畅旺，甚至部分订单已看到第3季，市场估计台积电和联电第2季营收季增率可望落在10~20%之间。由于晶圆产出到晶圆测试端的前置期约2个月，预料晶
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DRAM厂吹史上最大减资潮南亚科、力晶、茂德瘦身逾千亿新台币
台DRAM产业大吹减资风，继2009年第3季南亚科完成减资66%，力晶12日宣布减资38％，减资后净值6.9元，预期以力晶目前获利能力，第3季底完成减资后，净值可望提升至10元以上，而下一个可能减资的DRAM厂将是茂德，预计在
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低功耗高转换速率CMOS模拟缓冲器
提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。
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