21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布,其已为工厂自动化设备和空调推出一款可确保高工作温度(最大Ta = 110°C)和高达350V集电极电压(VCEO)的光电晶体管耦合器。新产品“TLP188”可确保最小漏
1988年,Intel研发的NORFlash技术彻底改变了原先由电可编程序只读存储器和电可擦只读存储器一统天下的局面,为计算机技术的发展提供了又一助推利器。近年来,由于技术的突飞猛进,价格低廉的SerialFlash开始快速替代
台湾新竹, 2013年2月20日 /美通社-PR Newswire/ -- 全球领先的半导体晶圆加工厂台湾联华电子公司 (United Microelectronics Corporation) (以下简称「UMC」)今天宣布,该公司荣获 Lantiq 颁发的2012年「最佳供应商
GLOBALFOUNDRIES 宣布将公司的 55 奈米 (nm) 低功率强化 (LPe) 制程技术平台持续向上提升,推出具备 ARM 合格的新一代记忆体和逻辑 IP 解决方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是业界首创唯一支援 ARM 1.0/1.2V 实体 I
无线通讯芯片大厂迈威尔(Marvell)昨(21)日宣布推出专为移动通信装置设计的4核心处理器PXA1088,并将于下周MWC展与高通、辉达、联发科、三星等业者一拚高下,该芯片同样采用台积电(2330)28纳米制程,让台积电在
市场研究机构 IC Insights 最新报告指出,记忆体厂商与晶圆代工业者是目前12寸晶圆产能的最大贡献者。根据统计,前六大 12寸晶圆产能供应商在 2012年囊括了整体产能的74.4%;而IC Insights预期,该比例将在 2013年继
软体模拟的九轴微机电系统(MEMS)方案渐受瞩目。瞄准7寸平板、中低价手机商机,MEMS业者正积极研发多轴感测元件,展开圈地,然而,目前九轴MEMS功耗及成本过高,恐难吸引OEM采纳;因此,MEMS业者遂提出以感测器融合(S
放大电路(amplification circuit)增加电信号幅度或功率的电子电路。应用放大电路实现放大的装置称为放大器。它的核心是电子有源器件,如电子管、晶体管等。为了实现放大,必须给放大器提供能量。常用的能源是直流电
处理器厂威盛电子(2388)昨(20)日公布去年财报,受到宏达电股价去年大跌拖累,以及认列转投资公司亏损,威盛去年全年税后亏损高达40.73亿元,每股亏损8.26元。威盛今年力求转型,年初已与大陆官方背景的上海联和投
晶圆双雄南科新投资计划启动,台积电南科14厂第7期3月将动土;联电Fab12A第5、6期整地后,厂房也加紧赶工中,2大业者估计3至5年内,在南科总投资额上看7,400亿元,为台湾投资动作最大的电子族群。南科管理局局长陈俊
Intel基于22nm制程技术的Ivy Bridge架构才问世没有多久时间,Intel便马不停蹄地开始着手计划生产制程技术更精密的晶片。目前主要是由以色列南部城市Kiryat Gat Fab28晶圆厂负责量产22nm制程技术的Ivy Bridge,据消息
三星第二联发科第三研调机构iSuppli最新手机晶片调查报告,受惠去年智慧手机市场,全球手机晶片前两名由高通与三星拿下,其中高通去年手机晶片市占率达31%,连续5年位居全球手机晶片龙头地位,联发科排名第三。根据i
工研院IEKITIS计划日前公布2012年第四季及全年我国半导体产业回顾与展望报告,统计数据显示2012年第四季台湾整体IC产业产值(含设计、制造、封装、测试)达新台币4,151亿元,较2012年第三季衰退5.6%;2012年全年度台湾
GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55纳米(nm)低功耗强化型(LPe)制程技术平台进行了最新技术强化,推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是业内首个且唯一支持ARM1.0/1.2V物理I
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列表面贴装铝电容器---160 CLA,兼具耐高温、低阻抗、高纹波电流和长寿命等特性。为提高加工过程的灵活性,Vishay BCcomponents 160 CLA器件满足要求严格