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2013年全球晶圆设备支出恐衰退

最新预测显示，2013年全球晶圆设备(WFE)支出270亿美元，年减9.7%。晶圆设备支出2012年299亿美元，年减17.4%。预计晶圆设备市场2014年恢复成长。2012年，全球经济的不景气，加之内存和逻辑芯片的投资呈反景气循环，致

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2012-12-20

晶圆平板芯片生产
浸润式微影寿命延长EUV恐无出头天？

当193奈米微影技术在半导体制程技术蓝图上已经接近终点，下一代应该是157奈米微影；德州仪器( TI )前段制程部门经理Jim Blatchford虽然才刚完成采购先进157奈米微影系统的协商，他还是有点担心这种未经验证的技术。

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2012-12-20

节点 EUV FOR LATCH
急单涌现台积12月营收估仅小滑5%优于预期

台积电董事长张忠谋于14日举办的年度供应链大会上，释出明年资本支出达90亿美元创历史新高、高于外界预期的讯息，等于为设备商打上一剂强心针。而材料商也透露，台积电整体Q4表现可望优于财测预估，主要是12月行动通

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2012-12-20

通讯供应链 ARM 台积电
卡位14/16nm市场　晶圆厂加码FinFET研发

全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀藉此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案，

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2012-12-20

联电台积电晶圆厂 FINFET
卡位14/16奈米市场晶圆代工厂加码FinFET研发

全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀借此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案，

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2012-12-20

晶圆代工联电台积电 FINFET
本土芯片测试企业在逐渐壮大

“中国芯”企业成长十年有余，也催生了一批芯片/晶圆片（wafer）测试企业。例如上海华岭集成电路技术股份有限公司，2001年初创时期，国内IC产业链还不够完善，很多初创和成长中的设计公司没有能力解决测试问题，尤其

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2012-12-20

芯片测试封装 IC测试 IC产业
Gartner：全球晶圆设备支出恐将衰退9.7%

国际研究暨顾问机构发布最新预测，2013年全球晶圆设备（WFE）支出总计为270亿美元，较2012年减少9.7%。晶圆设备支出于2012年为299亿美元，较2011年的支出规模衰退17.4%。晶圆设备市场可望在2014年恢复成长。 Gart

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2012-12-20

晶片 GARTNER JOHNSON 晶圆
联电持和舰股权87% 争议落幕

经济部投审会昨日通过联电以1.5亿余美元取得苏州和舰科技（苏州）8寸晶圆厂51.85%股权，累计上一次取得的股权，联电已取得和舰近90%股权，使和舰成为联电旗下子公司，为争议长达7年的联电和舰案画下圆满句点！在

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2012-12-20

电子联电太阳能电池晶圆厂
中芯国际每年“捡”到近900万元

魔术人人会变，关键是看谁更专业、手法更纯熟。在清洁生产的大舞台上，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司上演了一出非常专业的“魔术”，在不到三年的时间内共实施了35个清洁生产项目，靠清洁生产每年能“捡”到

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2012-12-20

中芯国际节电 PFC ISO
矽品获外资青睐

矽品(2325)11月合并营收55.2亿元，月衰退4.8%、年长5.2%，累计前11月合并营收为598.42亿元，年成长6.6%。来自行动装置端在第四季释出后段封测代工订单加温，弥补PC端的转弱不足。美银美林证券看好明年半导体族群，尤

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2012-12-20

半导体联发科联电 IC
联电入主和舰持股升至87.59% 迈向全面持有

联电(2303-TW)(UMC-US)申请取得大陆地区事业和舰科技（苏州）有限公司51.85％股权今(19)日获经济部投资审议委员会核准生效。等了7年的和舰案告一段落，联电正式入主苏州和舰科技筹码持续增加，加计早先通过持股已升至

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2012-12-19

半导体市场联电太阳能电池晶圆
基于零序电流的单相接地故障定位系统设计

随着经济的快速发展，配电网的规模越来越大，铺架的距离越来越远，电力系统安全、可靠、稳定的运行就变得至关重要。所以当配电网发生故障时需要第一时间定位故障点并排除故障。目前，国内对于配电网故障选线技术的

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2012-12-19

定位系统系统设计零序电流单相接地故障
电容三点式振荡电路

电容三点式振荡电路又称考毕兹振荡电路，如图Z0808所示，其结构与电感三点式振荡电路相似，只是将电感、电容互换了位置。为了形成集电极回路的直流通路，增设了电阻RC。该电路的交流通路如图Z0809 所示。可以看出，它

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2012-12-19

电容电感振荡电路振荡频率
电感三点式振荡电路

图Z0805是电感三点式振荡电路，又称哈特莱振荡电路。图中L1、L2、C组成谐振回路，L2兼作反馈网络，通过耦合电容Cb将L2上反馈电压送到三极管的基极。由图Z0806交流通路看出，谐振回路有三个端点与三极管的三个电极相连

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2012-12-19

电感回路振荡电路振荡频率
三点式LC振荡电路的构成原则

三点式LC振荡电路三点式振荡电路是指三极管的三个极（对于交流信号）分别与LC谐振回路的三个端点直接相接的振荡电路。这种电路的一般结构如图Z0804所示。图中X表示组成谐振回路各元件的电抗。谐振回路是由电感和电容

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2012-12-19

元件回路 PI LC振荡电路

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