• IC设计与制造

    低功耗，拼的到底是什么？低功耗一直是各大芯片厂商的兵家必争之地。今年3月份以来，市场上一下子出来很多基于M0、M3内核的产品，瑞萨、飞思卡尔、德仪、Microchip这四大家族各自标榜着自家产品的低功耗技压群雄，每

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    2012-12-26
    IC设计 低功耗 MCU Microchip

  • MPD公司推出新型窄轮廓CR2032电池固定器件：P/N：BC-2003

    21ic讯 Memory Protection Devices公司推出固定产品家族的窄轮廓系列产品：针对直径20mm电池的P/N B C -2003。该产品最大的优势是与同类竞争产品相比占用更小的宽度以及仅重0.48g。BC -2003固定器超低的价格使得它特

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    2012-12-26
    器件 电池 PD CR2032

  • IC封测 手机芯片最补

    IC封测业第4季营收表现以智慧型手机和平板电脑等产品关联高的厂商营运动能最强；法人分析，这股效应将持续到明年，尤其苹果明年在台代工及封测，大单花落谁家，将左右营运荣枯。 法人表示，IC封测业今年以手机相关

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    2012-12-26
    手机芯片 平板电脑 IC

  • 智能型手机总体毛利率将达35% 台积电要抓新机会

    台积电(2330-TW)(TSM-US)今(25)日早盘领先大盘表态，股价一度收复5日线支撑。随着圣诞连假的到来，行动终端市场的变化也随多款品牌新机的出笼浮上台面，Bernstein Research更指出今年智慧型手机总体不受总体经济疲软

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    2012-12-25
    苹果 智能型 台积电

  • 晶圆双雄间接携手3年台湾自主开发超低压晶片初露锋芒

    工研院今(25)日发表可于超低电压条件下工作的低功耗视讯录影系统晶片解决方案。据悉，该方案由台积电(2330-TW)、晶心科技与中正大学、交通大学合作共同开发历时3年而初露锋芒。 晶心科技早先由行政院国家开发基金、

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    2012-12-25
    晶片 晶圆 低压 低电压

  • 一种面向云计算环境下虚拟机的威胁建模方法

    摘要：针时云计算环境中虚拟机平台存在的弱点和漏洞，分析研究了虚拟机可能面临的威胁和攻击，基于STRIDE建模技术构建了云计算环境下虚拟机平台的安全威胁模型。并对威胁发生的可能性和严重程度进行量化，从而进一步

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    2012-12-25
    云计算 虚拟机 建模方法 BSP

  • 台积联电发债336亿 过关

    低利时代到，台积电（2330）与联电昨（24）日被获准共336亿元无担保公司债，不但可因应明年资本支出资金需求，法人正面认为有助两大晶圆代工厂持续冲刺先进制程与大幅扩产的需求。因应高资本支出产生的资金需要，加上

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    2012-12-25
    芯片 联电 电表 台积电

  • 联电宣布客户完成55奈米SDDI制程投片

    晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)日前宣布，该公司客户已采用联电55奈米小尺寸萤幕驱动晶片(SDDI)制程，顺利完成首个产品投片(tape-out)。联电现可推出提供高阶智慧型手机Full-HD画质的55奈米制程，领先晶圆

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    2012-12-25
    联电 SD HD

  • 联发科攻AP 向高通宣战

    联发科参与经济部发展国产化中高阶应用处理器（AP）计画，以全球手机龙头高通（Qualcomm）高阶处理器S4为开发的目标，明年底可望完成样品，后年与宏达电等合作，展开样品测试并商品化。联发科早于10月间向经济部提出

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    2012-12-25
    联发科 华硕 宏达

  • 三星领先台积 14纳米进化

    三星21日宣布成功试产第1颗导入3D鳍式场效晶体管（FinFET）的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。韩联社报导，三星与安谋（ARM）、益华（Cadence）、

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    2012-12-25
    三星 处理器 台积电 FINFET

  • 台积联电发债336亿 过关

    低利时代到，台积电（2330）与联电昨（24）日被获准共336亿元无担保公司债，不但可因应明年资本支出资金需求，法人正面认为有助两大晶圆代工厂持续冲刺先进制程与大幅扩产的需求。 因应高资本支出产生的资金需要，加

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    2012-12-25
    芯片 联电 电表 台积电

  • Imec与Synopsys携手将TCAD应用于10nm FinFET

    比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电

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    2012-12-25
    FINFET SYNOPSYS CAD TCA

  • 联电宣布客户完成55奈米SDDI制程投片

    晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电 )日前宣布，该公司客户已采用联电55奈米小尺寸萤幕驱动晶片( SDDI )制程，顺利完成首个产品投片(tape-out) 。联电现可推出提供高阶智慧型手机 Full-HD画质的55奈米制程，领先

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    2012-12-25
    联电 SD HD

  • 京元电 明年资本支出增3成

    测试大厂京元电子（2449）昨（24）日召开董事会，决议明年资本支出将拉高到49.89亿元，较今年的38亿元增加约31％，主要将用来购置机器设备，以及兴建苗栗铜锣科学园区新厂。京元电董事长李金恭对明年景气看法乐观，库

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    2012-12-25
    影像传感器 芯片测试 CMOS 驱动IC

  • 中国本土催生一批芯片测试企业逐渐壮大

    “中国芯”企业成长十年有余，也催生了一批芯片/晶圆片（wafer）测试企业。例如上海华岭集成电路技术股份有限公司，2001年初创时期，国内IC产业链还不够完善，很多初创和成长中的设计公司没有能力解决测试问题，尤其

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    2012-12-25
    芯片测试 封装 IC测试 IC产业
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