杭州中天微系统有限公司,一家来自中国杭州的32位嵌入式CPU内核的领先供应商,今日成为电子系统设计(ESD)联盟的成员,享有表决权。电子系统设计(ESD)联盟是一家旨在为全球半导体设计生态系统提供商品和服务的国际企业协会。
传感器作为物联网(IoT)的硬件基础、数据采集的入口,被誉为物联网的“五官”,市场前景巨大。BCC Research预计全球传感器市场规模在2016~2021年间复合增长率为11%,到2021年将达到近2,000亿美元。
在前不久落下帷幕的深圳国际电子展现场,聚集了大量专业观众的富士通展台格外亮眼,而引发这场围观的“黑科技”之一就是已“上天入地”的铁电随机存储器(FRAM)。
最近谷歌在一则广告中也间接讽刺苹果存储容量太小这一弊病。可见外界的反馈是促成苹果彻底取消16G入门版机型的重要原因。
分析师表示,时序迈入第3季出货旺季,由于三星旗舰机Note 7刚上市、新一代iPhone即将推出,加上中国品牌手机出货未见停歇,都让移动式存储器的需求同步大增。
三星公开讨论了后GDDR5时代的显卡存储器标准,提出新一代显卡存储器速率在14-16Gbps,电压1.35V,简单来说就是在保持时钟频率1.75GHz的情况下,将数据频率至少翻倍。
半导体与电子元器件顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子宣布与贸泽电子的长期客户、全球备受赞誉的工程师、“流言终结者”格兰特·今原开启“国际空间站设计挑战”。
NAND Flash缺货压力已获缓解。然而以三星、美光、英特尔、东芝等业者的扩产计划来看,3D NAND产能将在明年大量开出,明年将是3D NAND杀戮战场。
钰创下半年受惠于英特尔Kaby Lake平台放量出货,以及PC市场进入传统备货旺季,总体出货量在8月之后已见明显增温。其中,USB-PD控制IC获得英特尔Kaby Lake平台参考设计认证通过,可望顺利打进一线ODM/OEM厂生产链。
科再奇在主题演讲中明确阐述FPGA是英特尔成长策略的关键,其动力来自成长引发的良性循环。在智慧化与连网化的世界中,“万物”能被撷取成一段资料、即时量测、还能从任何地方存取这些资料。
平面NAND闪存的量产己经达15纳米,几乎接近它的物理极限,因此为了提高存储器的容量及带宽,向3DNAND技术迈进是必然趋势。但是3DNAND技术很复杂,相比较而言由于成品率低,导致成本高。
据悉,今年的iPhone 7系列可能会搭载3GB RAM,提升整体性能。至于Android 7.0,一个醒目的新功能分屏多任务,将成为系统的基本功能,或许多RAM容量的要求会更高。
英特尔公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期间撰文,阐述英特尔推动“融合现实”(Merged Reality)世界的愿景,及其为开发者、创客和发明者提供的革命性技术进步。
按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。
平面NAND闪存的制程己经达15纳米,几乎接近它的物理极限,因此为了提高存储器的容量及带宽,向3D NAND技术迈进是必然趋势。