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ARM采用GLOBALFOUNDRIES 28奈米HKMG制程
ARM于29日宣布ARM Cortex-A9 MPCore处理器优化套件（POP）将应用于GLOBALFOUNDRIES 28奈米超低功耗高介电常数金属闸极（HKMG）制程。针对行动装置、网路和企业应用最佳化的ARM 28奈米超低功耗处理器优化套件，可协助
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全球IC代工版图生变
特约撰稿 莫大康 近期有报道，IBM、三星及GF将组成全球最大的芯片制造联盟，并合作开发通用技术平台，此举或是为了对抗台积电在代工中的独霸天下。我们看到，全球半导体业正经历戏剧性的变化，由2010年增长32%到2
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4点半召开记者会，力成董座亲上火线说清楚
日本DRAM(动态随机存取记忆体)大厂尔必达(916665)声请更生破产保护之后，国内的力成(6239)与瑞晶(4932)成为最大苦主，其中的力成不但饱受负面消息冲击，就连外资也看衰。在利空环伺之下，力成股价连吞2根跌停板，今日
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英特尔移动芯片路线图：2014年采用14纳米工艺
北京时间3月1日上午消息，虽然一直以来都以PC处理器著称，但英特尔本周在移动世界大会(MWC)上公布的发展路线图却表明，该公司将在2014年年底前继续针对Android设备开发高性能处理器。英特尔目前的手机芯片名称为Medf
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德州仪器 (TI) 宣布推出业界最快速度16位数模转换器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界最快速度 16 位数模转换器 (DAC)，进一步突破数据转换器的性能极限。该 4 通道 DAC34SH84 与性能最接近的16 位 DAC 相比，速度提升 50%，功耗降低 50%，时钟速率高达 1.5 GSPS，单
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韩厂或主导DRAM行情 台“联美日抗韩”基调不变
日本内存大厂尔必达(Elpida)向东京地方法院申请破产保护，台湾“经济部”和“金管会”2月28日紧急研商对策，并强调政府协助台湾DRAM（动态随机存取记忆体）产业“联合美日抗韩”的基调不变，虽然尔必达目前有状况，变
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欧厂拥抱18吋晶圆 锁定设备材料商机
王怡苹／慕尼黑 继全球5大半导体厂英特尔(Intel)、台积电、三星电子(Samsung Electronics)、IBM及Global Foundries于2011年9月宣布组成联盟G450C(Global 450 Consortium)，投入18吋(450mm)晶圆研发，欧洲设备及材料供
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“十二五”期间IC产业将迎新机遇
集成电路“十二五”发展规划中提到，到2015年末，集成电路产业规模将要再翻一番，关键核心技术及产品将取得突破性的发展。“十一五”期间，国内集成电路产业规模持续扩大，2005年-2010年其产量和
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2011年陀螺仪是MEMS领域的头号创收产品
据IHS iSuppli公司的MEMS市场追踪报告，由于苹果iPhone和iPad去年第四季度创出最高销量纪录，2011年陀螺仪成为消费与移动MEMS领域中的创收大户。 2011年陀螺仪创造的营业收入达6.554亿美元，比2010年的3.945亿美元大
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迈向第五代Wi-Fi 芯片厂竞逐802.11ac
采用IEEE802.11ac标准的第五代Wi-Fi技术，传输性能较现今802.11n大幅跃升，可望消弭高画质影音串流体验不佳的问题，发展前景备受市场看好，包括联发科与博通(Broadcom)等晶片大厂，皆已在今年消费性电子展(CES)上发布
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探讨十二五时期中国芯片行业的发展重点
着力发展芯片设计业，开发高性能集成电路产品围绕移动互联网、信息家电、三网融合、物联网、智能电网和云计算等战略性新兴产业和重点领域的应用需求，创新项目组织模式，以整机系统为驱动，突破CPU/DSP/存储器等高端
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国产化路径孕育大商机 金融IC卡芯片发行临近爆发点
按照央行时间表，国内各大银行自年初起纷纷加大了金融IC卡的发行进度，随着POS机、ATM机受理金融IC卡的改造工作逐步深化，金融IC卡发行呈现出放量的趋势。具体到智能卡行业，在业务逐步放量的背景下，恒宝股份（0021
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《尔必达破产》封测厂启动因应机制，降低冲击
日本DRAM(动态随机储取记忆体)巨头尔必达27日无预警声请破产! 不但引发市场哗然，更撼动全球DRAM业界。尔必达在台封测代工厂包括力成(6239)、华东科技(8110)均已经启动因应机制，也强调手握来自于尔必达的记忆体晶圆
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意法半导体MEMS传感器出货量达20亿颗
意法半导体宣布其MEMS传感器全球出货量已突破20亿颗大关。而仅15个月之前，意法半导体的MEMS传感器出货量超过10亿颗。 意法半导体MEMS传感器可为智能手机、平板电脑、媒体播放器等众多主流消费电子设备实现运动控制
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中芯、灿芯、ARM合作成功流片40nm低漏电工艺A9双核测试芯片
IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）及ARM日前联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM Cortex-A9 MPCore双核
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